画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy62148CV30LL-55BAI | 2.3100 | ![]() | 664 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL2™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | Cy62148 | sram-非同期 | 2.7V〜3.3V | 36-BGA (7x8.5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 7GA6Y0046 | - | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS49NLC18160A-25EWBLI | 31.9177 | ![]() | 2710 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC18160 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLC18160A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 18 | HSTL | - | ||||
![]() | BR24H16FVT-5ACE2 | 0.6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | i²c | 3.5ms | ||||||||
![]() | S29GL01GT11TFIV20 | 16.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL01 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 91 | 不揮発性 | 1gbit | 110 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | Cy7C1380C-167bgc | 17.0700 | ![]() | 7946 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 71256L100TDB | 38.8776 | ![]() | 8164 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 71256L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | 揮発性 | 256kbit | 100 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | P00924-H21-C | 230.0000 | ![]() | 5499 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-P00924-H21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | EDB4432BBBJ-1DAIT-FD | - | ![]() | 4607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-wfbga | EDB4432 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-FBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,520 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | CAT24FC256li | - | ![]() | 1866年 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | CAT24FC256 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 500 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CG8227AA | - | ![]() | 6861 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | M25PX64-VZM6TP TR | - | ![]() | 7101 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | M25PX64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-T-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 75 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | N25Q032A13EF4A0F | 2.0800 | ![]() | 461 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | N25Q032A13 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-UFDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-N25Q032A13EF4A0FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 5ms | |||
cat93c56vi-g-on | - | ![]() | 6491 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | - | |||||
![]() | CG7926AT | - | ![]() | 3534 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MD2732A-45/b | - | ![]() | 8622 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | ||||||||||||||||||
24AA00-I/p | 0.3400 | ![]() | 1239 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 24AA00 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 400 kHz | 不揮発性 | 128ビット | 3500 ns | Eeprom | 16 x 8 | i²c | 4ms | ||||
![]() | 24FC16-E/MS | 0.5000 | ![]() | 863 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24FC16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | 150-24FC16-E/MS | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 16kbit | 450 µs | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | HM4-6516B | 20.0000 | ![]() | 678 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MR10Q010SCR | 7.0944 | ![]() | 5497 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MR10Q010 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 819-MR10Q010SCRTR | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 7 ns | ラム | 128k x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||
![]() | S29GL512T10DHI020 | 11.4200 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 512mbit | 100 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | AT49BV4096A-12RC | - | ![]() | 2325 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 44-SOIC (0.525 "、13.34mm 幅) | AT49BV4096 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 44-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 16 | 不揮発性 | 4mbit | 120 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 30µs | ||||
![]() | AS4C512M8D3LB-12bin | - | ![]() | 4218 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | AS4C512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1446 | ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | Cy7C1440AV25-167BZXC | 98.0100 | ![]() | 784 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1440 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1 | 167 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | 71V124SA10TYG8 | 2.9800 | ![]() | 125 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 71V124 | sram-非同期 | 3.15V〜3.6V | 32-SOJ | ダウンロード | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 10ns | |||||||
![]() | W978H6KBVX1I | 5.1184 | ![]() | 5313 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W978H6KBVX1I | ear99 | 8542.32.0024 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | HSUL_12 | 15ns | ||
![]() | IS66WV1M16EBLL-70BLI | 3.0454 | ![]() | 7355 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | psram(pseudo sram | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 16mbit | 70 ns | psram | 1m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | BR25H320F-5ACE2 | 0.6000 | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.173 "、幅4.40mm) | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | 3 (168 時間) | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | spi | 3.5ms | |||||||||
![]() | SM662GED-BESS | 54.1700 | ![]() | 2816 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GED-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | ||||
![]() | AT45DB041E-SHNHA-T | 1.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB041 | フラッシュ | 1.65v〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 264バイトx 2048ページ | spi | 8µs、3ms |
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