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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AT24CS01-STUM-T Microchip Technology AT24CS01-STUM-T 0.3200
RFQ
 ECAD 9294 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 AT24CS01 Eeprom 1.7V〜5.5V SOT-23-5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 1kbit 550 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
SM662PXD-BD Silicon Motion, Inc. SM662PXD-BD -
RFQ
 ECAD 5587 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ アクティブ SM662 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
AS4C512M8D3LA-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LA-12BAN -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
7130LA25J Renesas Electronics America Inc 7130LA25J -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7130la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 8kbit 25 ns sram 1k x 8 平行 25ns
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB1EW9-0SIT TR 13.1400
RFQ
 ECAD 4177 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MT25QL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wpdfn ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
N25Q256A13ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 7788 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） N25Q256A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-sop2 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 64m x 4 spi 8ms、5ms
AS7C1024B-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-15TCNTR 2.8125
RFQ
 ECAD 9692 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AS7C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 15 ns sram 128k x 8 平行 15ns
AT49LV002N-12TC Microchip Technology AT49LV002N-12TC -
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） AT49LV002 フラッシュ 3V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない AT49LV002N12TC ear99 8542.32.0071 156 不揮発性 2mbit 120 ns フラッシュ 256k x 8 平行 50µs
AT29LV020-12JI Microchip Technology AT29LV020-12JI -
RFQ
 ECAD 4028 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT29LV020 フラッシュ 3V〜3.6V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 2mbit 120 ns フラッシュ 256k x 8 平行 20ms
MX25L25635EZNI-12G Macronix MX25L25635EZNI-12G -
RFQ
 ECAD 3789 0.00000000 マクロニックス MX25XXX35/36 -MXSMIO™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MX25L25635 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi 300μs5ms
CY7C09359AV-9AXC Infineon Technologies Cy7C09359AV-9AXC -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C09359 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 90 67 MHz 揮発性 144kbit 9 ns sram 8k x 18 平行 -
AS4C4M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-6BINTR -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
IS45S16320F-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-6BLA1-TR 13.0500
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
CY7C1315BV18-200BZXC Infineon Technologies Cy7C1315BV18-200BZXC -
RFQ
 ECAD 9957 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1315 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 200 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 -
S25FL512SAGMFB013 Infineon Technologies S25FL512SAGMFB013 10.5875
RFQ
 ECAD 8860 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
IS42S32400F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BLI 6.4030
RFQ
 ECAD 7691 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
70T633S12BFGI8 Renesas Electronics America Inc 70T633S12BFGI8 332.9813
RFQ
 ECAD 3258 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 208-LFBGA 70T633 sram- デュアルポート、非同期 2.4V〜2.6V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 9mbit 12 ns sram 512K x 18 平行 12ns
MT29F16G08ABECBM72A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F16G08ABECBM72A3WC1P -
RFQ
 ECAD 5782 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
IDT71V424S10YI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V424S10YI8 -
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） IDT71v424 sram-非同期 3V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V424S10YI8 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
S-25C040A0I-T8T1U ABLIC Inc. S-25C040A0I-T8T1U 0.4111
RFQ
 ECAD 2935 0.00000000 Ablic Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） S-25C040 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.32.0051 4,000 5 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 4ms
S34ML02G100TFA000 Cypress Semiconductor Corp S34ML02G100TFA000 -
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp ML-1 トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S34ML02 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
CY7C025-25AC Infineon Technologies Cy7C025-25AC -
RFQ
 ECAD 7382 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C025 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 128kbit 25 ns sram 8k x 16 平行 25ns
AT25512N-SH-B Microchip Technology AT25512N-SH-B 1.6800
RFQ
 ECAD 5480 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25512 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 不揮発性 512kbit Eeprom 64k x 8 spi 5ms
AS6C4008-55BIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55bin 4.5163
RFQ
 ECAD 6361 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 36-tfbga AS6C4008 sram-非同期 2.7V〜5.5V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
IS61QDPB451236A-400M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB451236A-400M3li 45.0000
RFQ
 ECAD 5607 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga IS61QDPB451236 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga（15x17） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 揮発性 18mbit 8.4 ns sram 512K x 36 平行 -
IS43TR16128A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBLI -
RFQ
 ECAD 1644 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AT28LV64B-25PI Microchip Technology at28lv64b-25pi -
RFQ
 ECAD 6516 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） at28lv64 Eeprom 確認されていません 3V〜3.6V 28-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない at28lv64b25pi ear99 8542.32.0051 14 不揮発性 64kbit 250 ns Eeprom 8k x 8 平行 10ms
FM24C32UEN Fairchild Semiconductor FM24C32UEN 0.4700
RFQ
 ECAD 1692 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） FM24C32 Eeprom 4.5v〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 32kbit 3.5 µs Eeprom 4k x 8 i²c 10ms
MTFC32GJDED-3M WT TR Micron Technology Inc. mtfc32gjded-3m wt tr -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 169-VFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド 1.65v〜3.6V 169-VFBGA（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR Micron Technology Inc. mt29c1g12maadyake-5 it tr -
RFQ
 ECAD 7380 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-TFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-TFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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