画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29AL008J70BAI020 | 1.5743 | ![]() | 5415 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AL008 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,380 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1M x 8、512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | S29GL128S10FHB013 | 5.7400 | ![]() | 8286 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 128mbit | 100 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | |||
![]() | IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | - | ![]() | 7779 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜115°C | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640CL-125JBLA25-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | GD25Q40CEJGR | 0.7100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25Q40 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | SST39VF010-70-4I-WHE | 1.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | SST39VF010 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | sst39vf010704iwhe | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 1mbit | 70 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 20µs | ||
![]() | MT54V512H36EF-5 | 19.3000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 2.4V〜2.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.2 ns | sram | 512K x 36 | HSTL | - | |||
![]() | Cy7C1357A-133AC | 7.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1357 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
![]() | DS1265Y-70+ | 145.3333 | ![]() | 6477 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 36-dip モジュール(0.610 "、15.49mm) | DS1265Y | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 36-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | nvsram | 1m x 8 | 平行 | 70ns | |||
BU9833GUL-WE2 | 0.8300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 6-ufbga、cspbga | BU9833 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | VCSP50L1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
S25FL256LAGBHA023 | 5.4600 | ![]() | 5291 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | AS7C1024B-12TCNTR | 2.8125 | ![]() | 7872 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AS7C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | AT28BV16-25TI | - | ![]() | 8842 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT28BV16 | Eeprom | 2.7V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT28BV1625TI | ear99 | 8542.32.0051 | 234 | 不揮発性 | 16kbit | 250 ns | Eeprom | 2k x 8 | 平行 | 3ms | ||
![]() | M29F040B90N1T TR | - | ![]() | 8227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29F040 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 90 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 90ns | |||
![]() | IS62C25616EL-45TLI-TR | 3.4742 | ![]() | 3497 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62C25616 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | |||
AT24C08C-XHM-B | 0.3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 550 ns | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | S25FL128LAGMFA003 | 3.5175 | ![]() | 3354 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||
MT29F4G08ABAEAWP:e | - | ![]() | 2915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F4G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | EM68B08CWAH-25H | 3.1099 | ![]() | 2679 | 0.00000000 | ETRON TECHNOLOGY 、INC。 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 60-TFBGA | EM68B08 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-fbga (8x10) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2174-EM68B08CWAH-25HTR | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 512mbit | 400 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS43TR81280BL-125KBLI | 5.9578 | ![]() | 3111 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | 93C76AT-I/MS | - | ![]() | 8404 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 93C76 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | マイクロワイヤ | 2ms | |||
![]() | MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 | - | ![]() | 1071 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | |||||||||||||||||
MR256A08BYS35R | 7.3228 | ![]() | 8516 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MR256A08 | ミスター(磁気抵抗ラム) | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 256kbit | 35 ns | ラム | 32k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | BR25L010FVT-WE2 | - | ![]() | 2279 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR25L010 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 5 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | BR24C04-RDS6TP | - | ![]() | 1628 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | BR24C04 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 10ms | |||
![]() | AT25SF041B-SSHD-T | 0.4100 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25SF041 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
![]() | IS29GL256-70DLEB | 6.9600 | ![]() | 263 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS29GL256-70DLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 200µs | ||
![]() | M25PE80-VMP6TG TR | - | ![]() | 5781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | M25PE80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VDFPN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi | 15ms、3ms | |||
![]() | w25q16cvsnjg | - | ![]() | 4041 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | AT93C86A-10SU-1.8-T | 0.4100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | at93c86a | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | 3線シリアル | 10ms | |||
![]() | IS46TR16640B-125JBLA1-TR | - | ![]() | 1163 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns |
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