画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX60UF8G18AC-XKJ | 12.0935 | ![]() | 4125 | 0.00000000 | マクロニックス | MX60UF | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX60UF8G18AC-XKJ | 220 | 不揮発性 | 8gbit | フラッシュ | 1g x 8 | onfi | - | |||||||||
![]() | MX29F800CBTJ-70Q | 4.0040 | ![]() | 4752 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ - (slc) | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | 3 (168 時間) | 1092-MX29F800CBTJ-70Q | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 16、1m x 8 | 平行 | 70ns、300µs | ||||||||
![]() | MD27C256-17/b | 89.5400 | ![]() | 142 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | - | バルク | アクティブ | MD27C | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0061 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | Cy7C1061AV33-12ZXI | - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1061 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 108 | 揮発性 | 16mbit | 12 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | CG7137AAT | - | ![]() | 1243 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy62146G-45ZSXA | 7.5075 | ![]() | 8303 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62146 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,350 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | S29WS512P0SBFW000A | - | ![]() | 1025 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 200 | ||||||||||||||||||
![]() | S34ML02G100TFI900 | - | ![]() | 1426 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | ML-1 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S34ML02 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | UPD46184184BF1-E40-EQ1-A | 42.0700 | ![]() | 527 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | SST39VF040-70-4C-NHE-T | 2.5650 | ![]() | 7864 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | SST39VF040 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 750 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 20µs | ||||
![]() | Cy7C1363S-133AXC | 12.1000 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1363 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 適用できない | 3A991B2A | 25 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | M24128S-FCU6T/TF | - | ![]() | 8773 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 4-XFBGA 、WLCSP | M24128 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 4-wlcsp(0.83x0.83) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 497-M24128S-FCU6T/TFTR | 廃止 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 650 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | S25FL132K0XMFV043 | - | ![]() | 1260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | S25FL132 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,600 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w967d6hbgx7i tr | - | ![]() | 6915 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | W967D6 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 5,000 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 70 ns | psram | 8m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | cy62256vnll-70zri | 0.6700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | Cy62256 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 70 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | IDT71V432S7PF | - | ![]() | 6077 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V432 | sram- sdr | 3.135V〜3.63V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V432S7PF | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | 揮発性 | 1mbit | 7 ns | sram | 32K x 32 | 平行 | - | |||
![]() | AT45DB081E-SHN2B-T | 1.8100 | ![]() | 8394 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT45DB081 | フラッシュ | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 256バイトx 4096ページ | spi | 8µs 、4ms | ||||
![]() | S25FL064P0XNFV001J | - | ![]() | 1399 | 0.00000000 | スパンション | fl-p | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | ||||||
![]() | S25FL127SABMFB101 | 5.8800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FL127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | 0436A8ACLAB-37 | 123.7300 | ![]() | 67 | 0.00000000 | IBM | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 8mbit | sram | 256k x 36 | ||||||||||||||
![]() | MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | Kaga Fei America | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MB85AS4 | レラム(抵抗ラム) | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 5 MHz | 不揮発性 | 4mbit | ラム | 512k x 8 | spi | 17ms | ||||
![]() | 24FC08T-I/SN | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24FC08 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 450 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
23LCV512-I/ST | 2.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 23LCV512 | sram-同期 | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 23LCV512IST | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | 揮発性 | 512kbit | sram | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | - | ||||
![]() | AK6516CF | - | ![]() | 6812 | 0.00000000 | Asahi Kasei Microdevices/akm | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AK6516 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8ソップ | - | 1 (無制限) | ear99 | 8542.32.0051 | 1,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | - | ||||||
![]() | 85C82E/p | 1.4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | - | |||||
![]() | IS29GL256S-10DHB02-TR | - | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 256mbit | 100 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
S26KS512SDPBHI020A | - | ![]() | 6792 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Hyperflash™ks | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26KS512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 96 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | - | ||||
MT48H16M32L2B5-10 IT TR | - | ![]() | 2720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.9V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 100 MHz | 揮発性 | 512mbit | 7.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||||
![]() | 7050S35G | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 108-bpga | 7050S35 | sram- クアッドポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 108-PGA (30.48x30.48) | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 21 | 揮発性 | 8kbit | 35 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | 803655-081-C | 122.5000 | ![]() | 1651 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-803655-081-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
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