SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY7C265-50WMB Cypress Semiconductor Corp Cy7C265-50WMB 50.2400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -55°C〜125°C Cy7C265 EPROM -UV 4.5v〜5.5V ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けた 3A001A2C 8542.32.0061 1 不揮発性 64kbit 50 ns eprom 8k x 8 平行 -
S29AL016J70BFN010 Infineon Technologies S29AL016J70BFN010 2.5979
RFQ
ECAD 4274 0.00000000 Infineon Technologies al-j トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA S29AL016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-FBGA (8.15x6.15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 676 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
S25FL512SAGBHID10 Infineon Technologies S25FL512SAGBHID10 9.8400
RFQ
ECAD 2652 0.00000000 Infineon Technologies fl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 IT:C Tr -
RFQ
ECAD 4212 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 (72 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT28F400B3WG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 TET TR -
RFQ
ECAD 9304 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) MT28F400B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
IS46DR16160B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-25DBLA1-TR 5.2523
RFQ
ECAD 1626 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
GD25LQ128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EWIGR 2.3000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ128 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR -
RFQ
ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - ROHS3準拠 3 (168 時間) MT52L256M64D2QB-125XT:BTR 廃止 0000.00.0000 2,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
S25FL512SDPBHB213 Infineon Technologies S25FL512SDPBHB213 10.5875
RFQ
ECAD 7673 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 66 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
S25FL064LABNFV043 Infineon Technologies S25FL064LABNFV043 2.3450
RFQ
ECAD 9362 0.00000000 Infineon Technologies fl-l テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-udfn露出パッド S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON (4x4) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 6,000 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
CY7C1347G-200AXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1347G-200AXC 6.3300
RFQ
ECAD 314 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 100-lqfp Cy7C1347 sram- sdr 3.15V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 48 200 MHz 揮発性 4.5mbit 2.8 ns sram 128k x 36 平行 - 確認されていません
IS25LP256E-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-RHLE-TR 3.6170
RFQ
ECAD 9881 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 2.3V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP256E-RHLE-TR 2,500 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
BR24C01-WDW6TP Rohm Semiconductor BR24C01-WDW6TP -
RFQ
ECAD 3994 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) BR24C01 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
S25HL01GTDPMHI010 Infineon Technologies S25HL01GTDPMHI010 15.7200
RFQ
ECAD 700 0.00000000 Infineon Technologies HL-T トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) S25HL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi -
IS46QR81024A-083TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-083TBLA1 19.5816
RFQ
ECAD 3735 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-TWBGA (10x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46QR81024A-083TBLA1 136 1.2 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
S26KL256SDABHB023 Infineon Technologies S26KL256SDABHB023 9.6600
RFQ
ECAD 3119 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-VBGA S26KL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-fbga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 100 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
MT41K512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K512M4HX-187E:d -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 512m x 4 平行 -
R1LV0408DSB-7LR#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV0408DSB-7LR #S0 13.3100
RFQ
ECAD 546 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) R1LV0408D sram 2.7V〜3.6V 32-TSOP II - 適用できない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 70 ns sram 512k x 8 平行 70ns
CY7C1313KV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1313KV18-250BZXC 25.4300
RFQ
ECAD 135 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga Cy7C1313 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 12 250 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 - 確認されていません
W25Q80JVZPIQ TR Winbond Electronics w25q80jvzpiq tr -
RFQ
ECAD 5991 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 3ms
S29JL032J70TFA423 Infineon Technologies S29JL032J70TFA423 3.8455
RFQ
ECAD 2152 0.00000000 Infineon Technologies JL-J テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 影響を受けていない 1,000 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ CFI 70ns
MT46V64M8CY-5B:J Micron Technology Inc. mt46v64m8cy-5b:j 5.8283
RFQ
ECAD 4247 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA (8x12.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR 5.2500
RFQ
ECAD 2703 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV12816 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
S25FL512SAGBHEC13 Infineon Technologies S25FL512SAGBHEC13 52.9025
RFQ
ECAD 3193 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 24-tbga S25FL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR -
RFQ
ECAD 2568 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) 廃止 -30°C〜105°C(TC) - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
7005L35GB Renesas Electronics America Inc 7005L35GB -
RFQ
ECAD 2716 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 68-BPGA 7005L35 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PGA (29.46x29.46 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 3 揮発性 64kbit 35 ns sram 8k x 8 平行 35ns
S29GL064S90DHVV10 Infineon Technologies S29GL064S90DHVV10 4.2935
RFQ
ECAD 6334 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 64-lbga S29GL064 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA (9x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 520 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AUT:K Tr 5.9700
RFQ
ECAD 1302 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (8x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
CY62157G30-45BVXI Infineon Technologies Cy62157G30-45BVXI 11.7000
RFQ
ECAD 1199 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62157 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E TR 52.9800
RFQ
ECAD 6135 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC:ETR 2,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫