画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy7C265-50WMB | 50.2400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | Cy7C265 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A001A2C | 8542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 50 ns | eprom | 8k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | S29AL016J70BFN010 | 2.5979 | ![]() | 4274 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | S29AL016 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA (8.15x6.15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 676 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | S25FL512SAGBHID10 | 9.8400 | ![]() | 2652 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | MT48LC64M8A2TG-75 IT:C Tr | - | ![]() | 4212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT48LC64M8A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MT28F400B3WG-8 TET TR | - | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28F400B3 | フラッシュ - | 3V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | ||||
IS46DR16160B-25DBLA1-TR | 5.2523 | ![]() | 1626 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 400 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | GD25LQ128EWIGR | 2.3000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD25LQ128 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |||
![]() | MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR | - | ![]() | 5570 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | MT52L256 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | MT52L256M64D2QB-125XT:BTR | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | |||||||
S25FL512SDPBHB213 | 10.5875 | ![]() | 7673 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 66 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | S25FL064LABNFV043 | 2.3450 | ![]() | 9362 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-l | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | S25FL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | Cy7C1347G-200AXC | 6.3300 | ![]() | 314 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1347 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 48 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 2.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | IS25LP256E-RHLE-TR | 3.6170 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP256E-RHLE-TR | 2,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||||
BR24C01-WDW6TP | - | ![]() | 3994 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR24C01 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | S25HL01GTDPMHI010 | 15.7200 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HL-T | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25HL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | IS46QR81024A-083TBLA1 | 19.5816 | ![]() | 3735 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14V〜1.26V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46QR81024A-083TBLA1 | 136 | 1.2 GHz | 揮発性 | 8gbit | 18 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||
S26KL256SDABHB023 | 9.6600 | ![]() | 3119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、HyperFlash™Kl | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | S26KL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 100 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 96 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MT41K512M4HX-187E:d | - | ![]() | 7371 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41K512M4 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.125 ns | ドラム | 512m x 4 | 平行 | - | |||
![]() | R1LV0408DSB-7LR #S0 | 13.3100 | ![]() | 546 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | R1LV0408D | sram | 2.7V〜3.6V | 32-TSOP II | - | 適用できない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 70 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 70ns | ||||||
![]() | Cy7C1313KV18-250BZXC | 25.4300 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1313 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 12 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
w25q80jvzpiq tr | - | ![]() | 5991 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | S29JL032J70TFA423 | 3.8455 | ![]() | 2152 | 0.00000000 | Infineon Technologies | JL-J | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1,000 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | CFI | 70ns | |||||||||
mt46v64m8cy-5b:j | 5.8283 | ![]() | 4247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | mt46v64m8 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,368 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS64WV12816EDBLL-10BLA3-TR | 5.2500 | ![]() | 2703 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS64WV12816 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
S25FL512SAGBHEC13 | 52.9025 | ![]() | 3193 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 24-tbga | S25FL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||
![]() | MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR | - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 256m x 64 | - | - | ||||
![]() | 7005L35GB | - | ![]() | 2716 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 68-BPGA | 7005L35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 68-PGA (29.46x29.46 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 3 | 揮発性 | 64kbit | 35 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | S29GL064S90DHVV10 | 4.2935 | ![]() | 6334 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL064 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 520 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
MT41K128M16JT-125 AUT:K Tr | 5.9700 | ![]() | 1302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C | 表面マウント | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-FBGA (8x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 13.75 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy62157G30-45BVXI | 11.7000 | ![]() | 1199 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62157 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E TR | 52.9800 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC:ETR | 2,000 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫