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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
AT25DN256-XMHFGP-T Adesto Technologies AT25DN256-XMHFGP-T -
RFQ
 ECAD 7917 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） AT25DN256 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256kbit フラッシュ 32k x 8 spi 8µs 、1.75ms
CAT25160HU2I-GT3 onsemi CAT25160HU2I-GT3 -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド CAT25160 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-udfn （2x2） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-CAT25160HU2I-GT3-488 ear99 8542.32.0051 3,000 10 MHz 不揮発性 16kbit Eeprom 2k x 8 spi 5ms
S25FL116K0XBHV030 Cypress Semiconductor Corp S25FL116K0XBHV030 -
RFQ
 ECAD 8584 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl1-k トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga S25FL116 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0051 115 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms 確認されていません
CYDMX064A16-65BVXI Cypress Semiconductor Corp CyDMX064A16-65BVXI 6.9400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VFBGA cydmx sram- デュアルポート、 mobl 1.8V〜3.3V 100-VFBGA - ROHS3準拠 ear99 8542.32.0041 44 揮発性 64kbit 65 ns sram 4k x 16 平行 65ns 確認されていません
CY7C1441AV25-133BZXIT Infineon Technologies Cy7C1441AV25-133BZXIT -
RFQ
 ECAD 5550 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1441 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 揮発性 36mbit 6.5 ns sram 1m x 36 平行 -
NDS73PBE-16ET Insignis Technology Corporation NDS73PBE-16ET 3.6404
RFQ
 ECAD 4806 0.00000000 Insignis Technology Corporation * トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 1982-NDS73PBE-16ET 190
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
AT29LV256-15JC Microchip Technology AT29LV256-15JC -
RFQ
 ECAD 8290 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-lcc AT29LV256 フラッシュ 3V〜3.6V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 256kbit 150 ns フラッシュ 32k x 8 平行 20ms
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 WT：e 179.4900
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
S29GL512T10DHI010 Infineon Technologies S29GL512T10DHI010 10.2300
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 260 不揮発性 512mbit 100 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
AT24C256C-SSHLEM-T Atmel AT24C256C-SSHLEM-T -
RFQ
 ECAD 7012 0.00000000 Atmel - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C256C Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 256kbit 550 ns Eeprom 32k x 8 i²c 5ms
25LC1024T-E/SM16KVAO Microchip Technology 25LC1024T-E/SM16KVAO -
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） 25LC1024 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIJ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1B2 8542.32.0051 2,100 20 MHz 不揮発性 1mbit Eeprom 128k x 8 spi 6ms
MT29F4G08AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08AACWC：C Tr -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
71V3577S85BQG Renesas Electronics America Inc 71V3577S85BQG 8.5003
RFQ
 ECAD 9855 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA 71V3577 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 87 MHz 揮発性 4.5mbit 8.5 ns sram 128k x 36 平行 -
IS61VF102418A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3 -
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IS61VF102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 1m x 18 平行 -
EM064LXQAB313IS1T Everspin Technologies Inc. EM064LXQAB313IS1T 44.9250
RFQ
 ECAD 3357 0.00000000 Everspin Technologies Inc. emxxlx トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 24-tbga ミスター（磁気抵抗ラム） 1.65V〜2V 24-tbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 819-EM064LXQAB313IS1T ear99 8542.32.0071 480 200 MHz 不揮発性 64mbit ラム 8m x 8 SPI -OCTAL I/O -
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16666ABBEAHC-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 6751 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
EM6AA160TSE-4G Etron Technology, Inc. EM6AA160TSE-4G 1.6819
RFQ
 ECAD 3264 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） EM6AA160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2174-EM6AA160TSE-4GTR ear99 8542.32.0024 1,000 250 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
NLQ83PFS-6NIT Insignis Technology Corporation NLQ83PFS-6NIT 18.1702
RFQ
 ECAD 7007 0.00000000 Insignis Technology Corporation - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1982-NLQ83PFS-6NIT 136 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
IDT71P71804S167BQ8 Renesas Electronics America Inc IDT71P71804S167BQ8 -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA IDT71P71 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71P71804S167BQ8 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 167 MHz 揮発性 18mbit 8.4 ns sram 1m x 18 平行 -
IS61VVF409618B-7.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVF409618B-7.5TQL-TR 125.3000
RFQ
 ECAD 3230 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IS61VVF409618 sram- sdr 1.71V〜1.89V 100-lqfp（14x20） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 揮発性 72mbit 7.5 ns sram 4m x 18 平行 -
D2516ACXGXGRK-U Kingston D2516ACXGXGRK-U 2.4700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 キングストン - トレイ アクティブ 0°C〜95°C 表面マウント SDRAM -DDR4 1.2V ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3217-D2516ACXGXGRK-U ear99 8542.31.0001 1 揮発性 ドラム 平行
IS46LQ32640AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 1406 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ32640AL-062BLA1 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 64m x 32 LVSTL 18ns
CY7C1470BV33-167AXCT Infineon Technologies Cy7C1470BV33-167AXCT 172.4800
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1470 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 750 167 MHz 揮発性 72mbit 3.4 ns sram 2m x 36 平行 -
V29AL008D55TAIR10 Infineon Technologies V29AL008D55TAIR10 -
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
S99-50345 Infineon Technologies S99-50345 -
RFQ
 ECAD 6787 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
70V7319S166BC8 Renesas Electronics America Inc 70V7319S166BC8 188.0754
RFQ
 ECAD 4185 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 256-lbga 70V7319 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 256-CABGA （17x17） ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.6 ns sram 256k x 18 平行 -
93AA76A-I/ST Microchip Technology 93AA76A-I/ST -
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 93AA76 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 3 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 マイクロワイヤ 5ms
ASA5520-MEM-2GB-C ProLabs ASA5520-MEM-2GB-C 55.0000
RFQ
 ECAD 5707 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-ASA5520-MEM-2GB-C ear99 8473.30.9100 1
MT53D8DBWF-DC Micron Technology Inc. MT53D8DBWF-DC -
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 376-WFBGA mt53d8 SDRAM-モバイルLPDDR4 376-WFBGA（14x14） - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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