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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
AA940922-C ProLabs AA940922-C 113.5000
RFQ
 ECAD 8352 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-AA940922-C ear99 8473.30.5100 1
28443776 A Infineon Technologies 28443776 a -
RFQ
 ECAD 1371 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 28443776a 廃止 0000.00.0000 1
MT58L64L18FT-8.5TR Micron Technology Inc. MT58L64L18FT-8.5TR 9.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 MHz 揮発性 1mbit 8.5 ns sram 64k x 18 平行 -
W25Q16JWSSIM TR Winbond Electronics w25q16jwssim tr 0.4992
RFQ
 ECAD 6302 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWSSIMTR ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
R1RW0416DSB-2PI#D1 Renesas R1RW0416DSB-2PI ＃D1 -
RFQ
 ECAD 4616 0.00000000 ルネサス R1RW0416DI バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP II - 2156-R1RW0416DSB-2PI＃D1 1 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
S28HL512TFPBHB010 Nexperia USA Inc. S28HL512TFPBHB010 -
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S28HL512TFPBHB010 1
S25FS064SAGBHI020 Cypress Semiconductor Corp S25FS064SAGBHI020 1.9800
RFQ
 ECAD 531 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FS064 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-bga （8x6） ダウンロード 1 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi - 確認されていません
S25HL01GTDPMHI010 Infineon Technologies S25HL01GTDPMHI010 15.7200
RFQ
 ECAD 700 0.00000000 Infineon Technologies HL-T トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25HL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、qpi -
CY7C1312KV18-250BZC Infineon Technologies Cy7C1312KV18-250BZC 34.8075
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 ECAD 5890 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1312 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 680 250 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 -
RM3005-XSNI-T Adesto Technologies RM3005-XSNI-T -
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 ECAD 4558 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 - 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RM3005 Eeprom 1.65V〜2.75V 8-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 1265-RM3005-XSNI-TTR 廃止 2,500 1 MHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 spi -
MTFC128GASAQJP-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc128gasaqjp-aat tr 57.1950
RFQ
 ECAD 8045 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - 557-MTFC128GASAQJP-AATTR 2,000 200 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC_5.1 -
AS4C512M8D3B-12BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3B-12BCNTR -
RFQ
 ECAD 4182 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
MT29F16G08AJADAWP:D TR Micron Technology Inc. MT29F16G08AJADAWP：D Tr -
RFQ
 ECAD 7397 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F16G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 2g x 8 平行 -
IS43LD32128A-25BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPL-TR -
RFQ
 ECAD 3065 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43LD32128A-25BPL-TR 廃止 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
S29GL064N90FAI040 Nexperia USA Inc. S29GL064N90FAI040 -
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク 廃止 - 2156-S29GL064N90FAI040 1
MT49H16M36BM-25:A Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-25：a -
RFQ
 ECAD 1236 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA MT49H16M36 ドラム 1.7V〜1.9V 144-µbga（18.5x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 16m x 36 平行 -
CY7C1570V18-400BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1570V18-400BZC 103.2800
RFQ
 ECAD 994 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1570 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 3 400 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 - 確認されていません
FEMC016GTTG7-T13-16 Flexxon Pte Ltd FEMC016GTTG7-T13-16 37.6000
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Flexxon Pte Ltd Xtra III トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 100-lbga FEMC016 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 100-FBGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3052-FEMC016GTTG7-T13-16 3A991B1A 8542.32.0071 1 200 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 EMMC -
SFEM064GB1ED1TO-I-6F-311-STD Swissbit SFEM064GB1ED1TO-I-6F-311-STD 30.6500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 swissbit EM-30 トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） 2.7V〜3.6V 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
MT55L256L32FT-12IT Micron Technology Inc. MT55L256L32FT-12IT 17.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 83 MHz 揮発性 8mbit 9 ns sram 256k x 32 平行 -
71V67603S133BGG8 Renesas Electronics America Inc 71V67603S133BGG8 26.1188
RFQ
 ECAD 2841 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71v67603 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
IS42S32800G-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BL-TR 6.3600
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
40060498 Infineon Technologies 40060498 -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 前回購入します - 1
GD25LQ32DSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DSIGR 1.0800
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25LQ32 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
W25Q64JVTCIQ TR Winbond Electronics w25q64jvtciq tr 1.1439
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
S29WS128N0LBAW010 Infineon Technologies S29WS128N0LBAW010 -
RFQ
 ECAD 4436 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L Micron Technology Inc. MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L 2.6600
RFQ
 ECAD 6064 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F2G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 死ぬ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT29F2G08ABBGAM79A3WC1L 1 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 平行 -
AT25EU0021A-MAHN-T Renesas Design Germany GmbH AT25EU0021A-MAHN-T 0.4300
RFQ
 ECAD 4925 0.00000000 Renesas Design - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT25EU0021A フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8-udfn （2x3） ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 85 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o -
S25FL256SDSMFBG10 Infineon Technologies S25FL256SDSMFBG10 7.9450
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,400 80 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
W632GU6MB-11 Winbond Electronics W632GU6MB-11 -
RFQ
 ECAD 2530 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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