画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61LPD51236A-250B3-TR | - | ![]() | 3461 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPD51236 | sram- クアッドポート、同期 | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1021BNV33L-10ZXC | - | ![]() | 4675 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 163 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | 確認されていません | |||||
![]() | 7015L20PF | - | ![]() | 4069 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | 7015L20 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 72kbit | 20 ns | sram | 8k x 9 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | GS8182T19BGD-400I | 38.2644 | ![]() | 8553 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | GS8182T19 | sram-同期 | 1.7V〜1.9V | 165-fpbga (15x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2364-GS8182T19BGD-400I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 18 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
IS61C25616AS-25TLI-TR | 3.2261 | ![]() | 3470 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61C25616 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 25 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
CY7C1484BV25-250AXI | - | ![]() | 2512 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1484 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | SM671PAD-AFSS | - | ![]() | 5993 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM671PAD-AFSS | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||
![]() | mtfc128gapalbh-aat | 105.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 前回購入します | -40°C〜105°C(Ta) | MTFC128 | フラッシュ -ナンド | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 557-MTFC128GAPALBH-AAT | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | MT48LC8M16A2B4-6A:L | - | ![]() | 6451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-VFBGA | MT48LC8M16A2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,560 | 167 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IDT71T75802S166PFI8 | - | ![]() | 5403 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71T75 | sram- sdr(zbt) | 2.375V〜2.625V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71T75802S166PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | M25PX32-VMW6E | - | ![]() | 6549 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | M25PX32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO w | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 75 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
![]() | 881067-B21-C | 162.0000 | ![]() | 6696 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-881067-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT46V128M4P-5B:J | - | ![]() | 1789 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V128M4 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 128m x 4 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MR2764A-35/BZA | 99.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy62147G30-55BVXE | 9.3975 | ![]() | 7721 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62147 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 051AL016J70TFI020 | - | ![]() | 6140 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | IDT71V67703S80PF | - | ![]() | 5948 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v67703 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v67703S80pf | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 9mbit | 8 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | 24FC64-I/MF | 0.8700 | ![]() | 6255 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | 24FC64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-dfn-s(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 400 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IDT71V3577SA75BQG | - | ![]() | 2042 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3577SA75BQG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL256SAGBHI310 | 4.7997 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | CY7C1021B-12VXIT | - | ![]() | 5094 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | S29GL128S11FFA010 | - | ![]() | 4809 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | 25AA080D-I/WF16K | - | ![]() | 9095 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 25AA080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | W27C512-45Z | - | ![]() | 6634 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | W27C512 | Eeprom | 4.75v〜5.25V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 15 | 不揮発性 | 512kbit | 45 ns | Eeprom | 64k x 8 | 平行 | - | ||||
7130LA100CB | 151.5860 | ![]() | 7695 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 7130la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 8 | 揮発性 | 8kbit | 100 ns | sram | 1k x 8 | 平行 | 100ns | |||||
![]() | 27S35ADM/b | 68.6500 | ![]() | 3312 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-27S35ADM/B-2156 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CAT93C56SI-26492 | - | ![]() | 6106 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | - | |||||||
![]() | R1EX24064ASA00A s0 | 2.5600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | ||||||||||||||||||
![]() | AT24C08D-MAHM-T | 0.3200 | ![]() | 3524 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT24C08 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 8kbit | 4.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | Cy7C1019B-12ZXC | - | ![]() | 6416 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1019 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 184 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | 確認されていません |
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