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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
S70FL01GSAGBHEC13 Infineon Technologies S70FL01GSAGBHEC13 72.3653
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） - ROHS3準拠 影響を受けていない 2,500 133 MHz 不揮発性 1gbit 6.5 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
S29GL128S11TFIV10 Infineon Technologies S29GL128S11TFIV10 5.5800
RFQ
 ECAD 182 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL128 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない SP005664489 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 128mbit 110 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
71V432S7PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V432S7PFG 1.6600
RFQ
 ECAD 661 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71V432 sram- sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 7 ns sram 32K x 32 平行 -
MX25U12832FM2I02 Macronix MX25U12832FM2I02 2.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） MX25U12832 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-MX25U12832FM2I02 3A991B1A 8542.32.0071 92 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 40µs、3ms
S27KL0642DPBHV023 Infineon Technologies S27KL0642DPBHV023 4.0075
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™kl テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B2 8542.32.0041 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 36 ns psram 8m x 8 ハイパーバス 36ns
AA335284-C ProLabs AA335284-C 360.0000
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-AA335284-C ear99 8473.30.5100 1
IS43R83200F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-5TL 3.0705
RFQ
 ECAD 1726 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS43R83200 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR Micron Technology Inc. MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：F TR 8.4150
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F8G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT29F8G0808ADAFAWP-AIT：FTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 -
S25FL116K0XMFI043 Infineon Technologies S25FL116K0XMFI043 -
RFQ
 ECAD 2007年 0.00000000 Infineon Technologies fl1-k テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） S25FL116 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,600 108 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
CY62128BNLL-55ZXIT Cypress Semiconductor Corp cy62128bnll-55zxit 2.5000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） Cy62128 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
W66BL6NBUAHJ TR Winbond Electronics w66bl6nbuahj tr 6.3150
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66bl6 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BL6NBUAHJTR ear99 8542.32.0036 2,500 2.133 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
24LC16BHT-E/OT Microchip Technology 24LC16BHT-E/OT 0.4350
RFQ
 ECAD 6312 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 24LC16B Eeprom 2.5V〜5.5V SOT-23-5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
IS43TR85120A-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBL-TR -
RFQ
 ECAD 5302 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （9x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS43TR85120A-093NBL-TR ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
24FC02-E/SN36KVAO Microchip Technology 24FC02-E/SN36KVAO -
RFQ
 ECAD 2414 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 24FC02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 影響を受けていない 150-24FC02-E/SN36KVAO ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 2kbit 450 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
71V3556SA100BQGI8 Renesas Electronics America Inc 71V3556SA100BQGI8 8.5003
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA 71V3556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 100 MHz 揮発性 4.5mbit 5 ns sram 128k x 36 平行 -
S99-50287 Infineon Technologies S99-50287 -
RFQ
 ECAD 8445 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
AS4C64M16D3-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BINTR -
RFQ
 ECAD 4446 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
MT48LC16M16A2B4-7E IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2B4-7E IT：G TR 6.0918
RFQ
 ECAD 2717 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-VFBGA MT48LC16M16A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-VFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 14ns
MT53E768M64D4HJ-046 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT53E768M64D4HJ-046AAT：B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 556-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 556-WFBGA（12.4x12.4 - 557-MT53E768M64D4HJ-046AAT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 48gbit 3.5 ns ドラム 768m x 64 平行 18ns
MX25L5121EMC-20G Macronix MX25L5121EMC-20G 0.2435
RFQ
 ECAD 9851 0.00000000 マクロニックス - チューブ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） MX25L5121 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 98 45 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -、650µs
C-3200D4SR4RN/16G ProLabs C-3200D4SR4RN/16G 185.0000
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-3200D4SR4RN/16G ear99 8473.30.5100 1
SM662GAC BFSS Silicon Motion, Inc. SM662GAC BFSS 26.5800
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM662GACBFSS 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 160gbit フラッシュ 20g x 8 EMMC -
CY7C09269-12AC Cypress Semiconductor Corp CY7C09269-12AC 13.3400
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C09269 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 50 MHz 揮発性 256kbit 12 ns sram 16k x 16 平行 -
CY7C1481BV33-133BZXC Infineon Technologies CY7C1481BV33-133BZXC -
RFQ
 ECAD 2043 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1481 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 133 MHz 揮発性 72mbit 6.5 ns sram 2m x 36 平行 -
MEM-DR464L-CL01-LR26-C ProLabs MEM-DR464L-CL01-LR26-C 615.0000
RFQ
 ECAD 2617 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MEM-DR464L-CL01-LR26-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1470V33-167BZXC Infineon Technologies Cy7C1470V33-167BZXC -
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 Infineon Technologies NOBL™ トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1470 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 167 MHz 揮発性 72mbit 3.4 ns sram 2m x 36 平行 -
IS43LR16128B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16128B-6BLI-TR 8.8844
RFQ
 ECAD 7546 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LR16128B-6BLI-TR 2,000 166 MHz 揮発性 2Gbit 5 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W631GU8KB15I TR Winbond Electronics W631GU8KB15I TR -
RFQ
 ECAD 8923 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-WBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
GD25VQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25vq20ceigr -
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25VQ20 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
7M4048L85N IDT, Integrated Device Technology Inc 7M4048L85N -
RFQ
 ECAD 3866 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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