画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 70P264L55BYGI8 | - | ![]() | 1435 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 81-TFBGA | 70P264L | sram- デュアルポート、非同期 | 1.7V〜1.9V | 81-CABGA | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 3,000 | 揮発性 | 256kbit | 55 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | Cy7C136-25JXCT | - | ![]() | 8364 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | Cy7C136 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 350 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | T0E51AT-C | 41.0000 | ![]() | 6377 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-T0E51AT-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS49RL36320-107EBL | 109.1224 | ![]() | 4558 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49RL36320-107EBL | 119 | 933 MHz | 揮発性 | 1.152gbit | 8 ns | ドラム | 32m x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | TMS27PC010-12NL | 4.5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25Q32FWSSBQ | - | ![]() | 3956 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32FWSSBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||||
![]() | CG7751AA | - | ![]() | 5894 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | ||||||||||||||||||
![]() | C-1333D3N9K3/6G | 47.0000 | ![]() | 5560 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-1333D3N9K3/6G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71V547S80PFG8 | 7.0140 | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V547 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | MT29F4G16666ABAFAH4-AATES:F TR | - | ![]() | 8790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 63-VFBGA | MT29F4G16 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 256m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | CAT24C02TDE-GT3A | 0.2000 | ![]() | 4676 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 | CAT24C02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | TSOT-23-5 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-CAT24C02TDE-GT3A | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | 確認されていません | |
![]() | 24FC64T-I/MNY | 0.5700 | ![]() | 7154 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 24FC64 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 64kbit | 400 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | S29GL032N90FFI012 | - | ![]() | 3764 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 400 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | Cy7C1380KV33-167AXIT | 41.3875 | ![]() | 7555 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1380 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS49NLS18160A-18WBLI | 33.5439 | ![]() | 8006 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49NLS18160A-18WBLI | 104 | 533 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 18 | HSTL | - | |||||
![]() | M29W320DT70N3F TR | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29W320 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 24AA16-E/MS | 0.5400 | ![]() | 1150 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24AA16 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 16kbit | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | Cy7C1470V25-167BZXC | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1470 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S34SL04G200BHV003 | - | ![]() | 1376 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | SL-2 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 63-VFBGA | S34SL04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 63-BGA (11x9) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,300 | 不揮発性 | 4gbit | 25 ns | フラッシュ | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | 71V321L35JG8 | 20.8416 | ![]() | 7891 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 71V321L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | MT29F8T08EWLEEM5-QA:e | - | ![]() | 7472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-QA:e | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT29F4G01ABBFDWB-ITS:F | - | ![]() | 6822 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn | MT29F4G01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-updfn | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,920 | 83 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 4g x 1 | spi | - | ||||
![]() | DS1265AB-70IND+ | 148.2044 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 36-dip モジュール(0.610 "、15.49mm) | DS1265AB | nvsram (不揮発性 sram) | 4.75v〜5.25V | 36-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | nvsram | 1m x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 40060431 | - | ![]() | 2117 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 前回購入します | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | IS42S16160J-6TI-TR | - | ![]() | 3163 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | MX25U8033EBAI-12G | 0.8900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | MX25U8033 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 6,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
![]() | MTC20C2085S1EC56BAZ | 334.4700 | ![]() | 5253 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MTC20C2085S1EC56BAZ | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | cy14b104la-ba25xit | 30.5550 | ![]() | 8384 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy14B104 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 不揮発性 | 4mbit | 25 ns | nvsram | 512k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | SST39WF1601-70-4C-B3KE-T | 2.7600 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFBGA | SST39WF1601 | フラッシュ | 1.65V〜1.95V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 40µs | ||||
S25FL127SABBHBC03 | 3.3250 | ![]() | 7350 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - |
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