画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71V424S15PH | - | ![]() | 5798 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71v424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v424S15ph | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS61LPS102418A-200B3I-TR | - | ![]() | 7699 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | M58LT256KST8ZA6F TR | - | ![]() | 7509 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | M58LT256 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 64-TBGA (10x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 52 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 85 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 85ns | ||||
MX25L12836EZNI-10G | 3.2300 | ![]() | 7274 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MX25L12836 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 300μs5ms | |||||
![]() | IS62WV1288BLL-55HI-TR | - | ![]() | 3700 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS62WV1288 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 70V9359S7PF8 | - | ![]() | 7630 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9359 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 144kbit | 7.5 ns | sram | 8k x 18 | 平行 | - | |||||
CAT25080VP2I-GT3 | - | ![]() | 3837 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | CAT25080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | |||||||
![]() | MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C Tr | 36.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F16G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 16gbit | 20 ns | フラッシュ | 2g x 8 | onfi | 20ns | ||||
![]() | PC28F512P33BFD | - | ![]() | 8900 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | axcell™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 52 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 95 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 95ns | |||
![]() | MT46V32M16P-5B:J TR | 6.4700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy7C1021CV33-12VC | 1.8100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 166 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 12ns | 確認されていません | |||||
![]() | MT53D1024M32D4NQ-062 WT ES:D TR | - | ![]() | 3805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 1g x 32 | - | - | |||||
![]() | MT29F1T08EELEEJ4-QJ:E TR | 26.4750 | ![]() | 8581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 557-MT29F1T08EELEEJ4-QJ:ETR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS61NLP102418B-200B3LI | 20.7400 | ![]() | 9334 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
Cav24C256YE-GT3 | 1.3700 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | onsemi | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | Cav24C256 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 400 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | HM1-6518-5 | 12.3300 | ![]() | 105 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | N25Q032A11EF440F TR | - | ![]() | 8556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | N25Q032A11 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-updfn | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 4,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 8m x 4 | spi | 8ms、5ms | |||||
![]() | AT25DF081A-SSH-B | 1.5100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25DF081 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 100 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 256バイトx 4096ページ | spi | 7µs、3ms | ||||
![]() | MT29F2T08EELCHD4-M:c | 41.9550 | ![]() | 3409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F2T08EELCHD4-M:c | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MX60UF8G18AC-XKI | 11.4570 | ![]() | 2595 | 0.00000000 | マクロニックス | MX60UF | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜1.95V | 63-VFBGA (9x11) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX60UF8G18AC-XKI | 220 | 不揮発性 | 8gbit | 22 ns | フラッシュ | 1g x 8 | onfi | 25ns 、600µs | ||||||||
![]() | IS49NLC36800-25EBL | - | ![]() | 5867 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 8m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MR45V256AMAZAAT-L | 5.2249 | ![]() | 3081 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | MR45V256 | フラム(強誘電性ラム) | 3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 15 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラム | 32k x 8 | spi | - | ||||
![]() | S29JL064J60TFA000 | - | ![]() | 2157 | 0.00000000 | スパンション | JL-J | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29JL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | |||||||
![]() | C-2400D4SR8S/4G | 21.7500 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-2400D4SR8S/4G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S26HL512TFPBHM013 | 17.3600 | ![]() | 9263 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6.5 ns | フラッシュ | 64m x 8 | ハイパーバス | 1.7ms | ||||||
![]() | AT45DB041A-TC-2.5 | - | ![]() | 8024 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT45DB041 | フラッシュ | 2.5V〜3V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT45DB041ATC2.5 | ear99 | 8542.32.0071 | 234 | 10 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 264バイトx 2048ページ | spi | 10ms | |||
![]() | MT53E256M32DS-046 AUT:b | 17.8200 | ![]() | 5236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53E256 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | MT53E256M32D2DS-046AUT:b | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 8gbit | ドラム | 256m x 32 | - | - | |||
![]() | IS43R16320E-6BI | - | ![]() | 8785 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
IS62WV10248DBLL-55TLI | - | ![]() | 8382 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV10248 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 55ns | |||||
24CS512T-I/ST | 1.2600 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 24CS512 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 400 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms |
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