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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
RM24C128AF-7-GCSI-T Adesto Technologies RM24C128AF-7-GCSI-T -
RFQ
 ECAD 5174 0.00000000 Adesto Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 4-XFBGA 、WLCSP RM24C128 Eeprom 1.65V〜2.2V 4-wlcsp（ 0.75x0.75） - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 10,000 1 MHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 i²c 1ms
S34ML08G201BHB003 Cypress Semiconductor Corp S34ML08G201BHB003 -
RFQ
 ECAD 6915 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp aec-q100 、ml-2 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA S34ML08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-BGA （11x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,300 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 平行 25ns
6116SA20SOI IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA20SOI 2.9400
RFQ
 ECAD 326 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） 6116SA sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 16kbit 20 ns sram 2k x 8 平行 20ns
IS42S32800D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 4557 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
870840-001-C ProLabs 870840-001-C 113.5000
RFQ
 ECAD 1486 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-870840-001-C ear99 8473.30.5100 1
7005L20JI Renesas Electronics America Inc 7005L20JI -
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 68-lcc 7005L20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
IS43LD32320C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320C-25BLI 12.1900
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 171 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
7006S45FB Renesas Electronics America Inc 7006S45FB -
RFQ
 ECAD 2928 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -55°C〜125°C 表面マウント 68フラットパック sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-fpack - 800-7006S45FB 1 揮発性 128kbit 45 ns sram 16k x 8 平行 -
GS880Z36CGT-333I GSI Technology Inc. GS880Z36CGT-333I 36.5900
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp GS880Z sram- zbt 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 100-TQFP （20x14 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS880Z36CGT-333I ear99 8542.32.0041 36 333 MHz 揮発性 9mbit sram 256k x 36 平行 -
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAEAWP-IT：E TR 3.2000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
70V05L12PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V05L12PFI8 -
RFQ
 ECAD 5216 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 - 800-70V05L12PFI8TR 1 揮発性 64kbit 12 ns sram 8k x 8 平行 12ns
IDT71V016SA20YI Renesas Electronics America Inc IDT71V016SA20YI -
RFQ
 ECAD 3372 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） IDT71V016 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V016SA20YI 3A991B2B 8542.32.0041 16 揮発性 1mbit 20 ns sram 64k x 16 平行 20ns
IS45S16800F-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7CTLA1-TR 5.1909
RFQ
 ECAD 4197 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
71V416VL10BEGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416VL10BEGI -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA 71V416V sram-非同期 3V〜3.6V 48-cabga （9x9） ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
GD25LQ40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40EKIGR 0.4222
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25LQ40EKIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
MEM3800-64U256CF-C ProLabs MEM3800-64U256CF-C 58.7500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MEM3800-64U256CF-C ear99 8473.30.9100 1
SST25VF020B-80-4I-SAE-T Microchip Technology SST25VF020B-80-4I-SAE-T 1.0600
RFQ
 ECAD 3091 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST25 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SST25VF020 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,300 80 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 10µs
MT47H64M16HR-25 IT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25 IT：h -
RFQ
 ECAD 6348 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
AT24C1024B-PU25 Microchip Technology AT24C1024B-PU25 -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） AT24C1024 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 1 MHz 不揮発性 1mbit 550 ns Eeprom 128k x 8 i²c 5ms
71V67803S166BQG8 Renesas Electronics America Inc 71V67803S166BQG8 32.2143
RFQ
 ECAD 3425 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA 71v67803 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 512K x 18 平行 -
24AA64T-I/SNG Microchip Technology 24AA64T-I/SNG 0.5400
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 24AA64 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
W63AH2NBVABE TR Winbond Electronics w63ah2nbvabe tr 4.1409
RFQ
 ECAD 3014 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH2NBVABETR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
MT29F8T08EWLCEM5-QJ:C Micron Technology Inc. MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c 242.1750
RFQ
 ECAD 9688 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F8T08EWLCEM5-QJ：c 1
W632GG8NB-15 TR Winbond Electronics w632gg8nb-15 tr 4.0953
RFQ
 ECAD 3662 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GG8NB-15TR ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 SSTL_15 15ns
709269L15PFG Renesas Electronics America Inc 709269L15PFG -
RFQ
 ECAD 6094 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram- デュアルポート、標準 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-709269L15PFG 1 40 MHz 揮発性 256kbit 30 ns sram 16k x 16 平行 -
IS25LP020E-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLA3-TR 0.4537
RFQ
 ECAD 1090 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc * テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS25LP020E-JNLA3-TR 3,000
S99GL128P0120 Infineon Technologies S99GL128P0120 -
RFQ
 ECAD 2022 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ 廃止 - S99GL128 フラッシュ - - - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 128mbit フラッシュ 8m x 16 平行 -
CY7C1353F-100ACT Cypress Semiconductor Corp Cy7C1353F-100ACT 3.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1353 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 750 100 MHz 揮発性 4.5mbit 8 ns sram 256k x 18 平行 -
BR24G128F-3GTE2 Rohm Semiconductor BR24G128F-3GTE2 0.7700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） BR24G128 Eeprom 1.6V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 128kbit Eeprom 16k x 8 i²c 5ms
CY7C1019CV33-12VI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1019CV33-12VI -
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-BSOJ （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1019 sram-非同期 3V〜3.6V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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