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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
7005S17G Renesas Electronics America Inc 7005S17G -
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 ECAD 5315 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 68-BPGA 7005S17 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PGA （29.46x29.46 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 3 揮発性 64kbit 17 ns sram 8k x 8 平行 17ns
MT53D768M32D4BD-053 WT:C Micron Technology Inc. MT53D768M32D4BD-053 WT：c -
RFQ
 ECAD 2235 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,360 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
MT25TL01GHBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25TL01GHBB8E12-0AAT -
RFQ
 ECAD 6351 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga MT25TL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi 8ms、2.8ms
CY7C2663KV18-550BZXI Infineon Technologies Cy7C2663KV18-550BZXI 572.7575
RFQ
 ECAD 7644 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C2663 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 -
70V9089L12PFGI Renesas Electronics America Inc 70V9089L12PFGI -
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 ECAD 5714 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V9089 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 45 揮発性 512kbit 12 ns sram 64k x 8 平行 -
1CA79AA-C ProLabs 1CA79AA-C 93.7500
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-1CA79AA-C ear99 8473.30.5100 1
MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 Micron Technology Inc. MT29VZZZBD9GULPR-046 W.214 27.4375
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 ECAD 8446 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ - 557-MT29VZZZBD9GULPR-046W.214 1,520
MT58V512V32FT-7.5 Micron Technology Inc. MT58V512V32FT-7.5 18.7900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 18mbit sram 512K x 32 平行 -
CY62157EV30LL-45ZSXIT Cypress Semiconductor Corp Cy62157EV30LL-45ZSXIT -
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 ECAD 5334 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy62157 sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード 1 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns 確認されていません
CG8772AFT Infineon Technologies CG8772aft -
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 ECAD 8499 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 1
S25FS128SAGBHV200 Nexperia USA Inc. S25FS128SAGBHV200 2.8200
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 ECAD 185 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FS128SAGBHV200 107
CAT28LV64H1325 onsemi CAT28LV64H1325 -
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 ECAD 1998年年 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） CAT28LV64 Eeprom 3V〜3.6V 28-tsop ダウンロード 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 234 不揮発性 64kbit 250 ns Eeprom 8k x 8 平行 5ms
CG8446AA Infineon Technologies CG8446AA -
RFQ
 ECAD 9340 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - 影響を受けていない 廃止 136
CY7C1460AV25-200BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1460AV25-200BZC 54.3500
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1460 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 105 200 MHz 揮発性 36mbit 3.2 ns sram 1m x 36 平行 - 確認されていません
R1LV5256ESA-5SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV5256ESA-5SI ＃S0 -
RFQ
 ECAD 1537 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LV5256 sram 2.7V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
CY7C199L-20ZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C199L-20ZC 1.2300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy7C199 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-tsop i ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
AT25DF021-MHF-Y Microchip Technology AT25DF021-MHF-Y -
RFQ
 ECAD 6345 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-udfn露出パッド AT25DF021 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-udfn （5x6） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 7µs 、5ms
S25FL128SAGMFM003 Infineon Technologies S25FL128SAGMFM003 7.9000
RFQ
 ECAD 2984 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
FM25V20A-DG Cypress Semiconductor Corp FM25V20A-DG -
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp f-ram™ バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド FM25V20 フラム（強誘電性ラム） 2V〜3.6V 8-dfn ダウンロード 1 40 MHz 不揮発性 2mbit フラム 256k x 8 spi - 確認されていません
71V3558S100PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S100PFGI 11.0800
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 71V3558 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 4.5mbit 5 ns sram 256k x 18 平行 -
S26361-F4026-E216-C ProLabs S26361-F4026-E216-C 162.0000
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-S26361-F4026-E216-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C1424KV18-333BZC Infineon Technologies Cy7C1424KV18-333BZC -
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 ECAD 6306 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1424 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -cy7c1424kv18-333bzc 3A991B2A 8542.32.0041 136 333 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
MX30LF1G28AD-XKI Macronix MX30LF1G28AD-XKI 3.2300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 マクロニックス MX30LF トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MX30LF1 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1092-MX30LF1G28AD-XKI 3A991B1A 8542.32.0071 220 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 20ns
SM671PXB-AFST Silicon Motion, Inc. SM671PXB-AFST -
RFQ
 ECAD 1940年 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-Nand （TLC） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM671PXB-AFST 1 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 UFS2.1 -
S34MS01G200BHI900 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200BHI900 -
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA S34MS01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-BGA （11x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 1gbit 45 ns フラッシュ 128m x 8 平行 45ns
S29GL512T11DHV020Y Spansion S29GL512T11DHV020Y -
RFQ
 ECAD 9912 0.00000000 スパンション gl-t バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
41X4257-C ProLabs 41x4257-c 17.5000
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-41x4257-C ear99 8473.30.5100 1
DS2433X#T Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS2433X＃t -
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-vbga fcbga DS2433 Eeprom - 6-flipchip （2.82x2.54） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 10,000 不揮発性 4kbit 2 µs Eeprom 256 x 16 1-Wire® -
CG8836AMT Infineon Technologies CG8836amt -
RFQ
 ECAD 6968 0.00000000 Infineon Technologies - バルク sicで中止されました - 影響を受けていない 1
93LC56-I/SL Microchip Technology 93LC56-I/SL 0.8300
RFQ
 ECAD 1574 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 14-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Eeprom 2.5V〜5.5V 14-SOIC ダウンロード 0000.00.0000 1 2 MHz 不揮発性 2kbit 500 ns Eeprom 128 x 16、256 x 8 マイクロワイヤ 10ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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