画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
25LC256-E/p | 1.9000 | ![]() | 4825 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 25LC256 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 10 MHz | 不揮発性 | 256kbit | Eeprom | 32k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | Cy14ME256J2-SXI | - | ![]() | 2988 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CY14ME256 | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 97 | 3.4 MHz | 不揮発性 | 256kbit | nvsram | 32k x 8 | i²c | - | |||
![]() | S26KL128SDABHA030 | 4.9300 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S26KL128SDABHA030 | 61 | |||||||||||||||||||||
![]() | BR24G02FVM-3GTTR | 0.2700 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) | BR24G02 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS61VVPS204818B-166B3li | 139.9172 | ![]() | 1135 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VVPS204818 | sram- sdr | 1.71V〜1.89V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 166 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.8 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 70V9199L9PFI8 | - | ![]() | 2568 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9199 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1.125mbit | 9 ns | sram | 128k x 9 | 平行 | - | |||
S26HS512TGABHI000 | 15.4500 | ![]() | 3776 | 0.00000000 | Infineon Technologies | HS-T | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | S26HS512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | - | ||||
![]() | 71V3576S150PFGI8 | 7.9158 | ![]() | 4431 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71V3576 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 150 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.8 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NVF51236B-7.5TQLI | 17.2425 | ![]() | 3433 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NVF51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | SST39VF1601C-70-4I-B3KE-MCF-T | - | ![]() | 4018 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | SST39VF1601 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 16mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 16 | 平行 | 10µs | |||
![]() | W949D2DBJX5E | 2.9983 | ![]() | 7888 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 90-TFBGA | W949D2 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | Cy7C1021V33-15VC | 5.3400 | ![]() | 803 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | MX66U1G45GXDJ00 | 19.8400 | ![]() | 330 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | MX66U1 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 24-cspbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、dtr | 60µs 、750µs | |||
![]() | AT27BV020-90VI | - | ![]() | 8111 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | AT27BV020 | eprom -otp | 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT27BV02090VI | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 208 | 不揮発性 | 2mbit | 90 ns | eprom | 256k x 8 | 平行 | - | ||
![]() | 647651-081-C | 36.2500 | ![]() | 5619 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647651-081-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | w958d6dbcx7i tr | 6.1500 | ![]() | 5646 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | W958D6 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 5,000 | 133 MHz | 揮発性 | 256mbit | 70 ns | psram | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | 70V35L20PFGI | 55.1935 | ![]() | 9123 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V35L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 144kbit | 20 ns | sram | 8k x 18 | 平行 | 20ns | |||
![]() | AA579531-C | 230.0000 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-AA579531-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
AT93C86A-10TI-1.8 | - | ![]() | 9214 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | at93c86a | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | 3線シリアル | 10ms | ||||
![]() | AM27C256-120DC | 57.2000 | ![]() | 5974 | 0.00000000 | ロチェスターエレクトロニクス、LLC | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 未定義のベンダー | 影響を受けた | 2156-AM27C256-120DC-2156 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 06K4626 | 36.2600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | インテル | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | |||||||||||||||||||
mt46v16m16cy-5b it:m | 7.6900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V16M16 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,368 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | AT24CM01-SHD-T | 1.9600 | ![]() | 4313 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | AT24CM01 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 2,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 550 ns | Eeprom | 128k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | AT24C128-10PC | - | ![]() | 4006 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C128 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 不揮発性 | 128kbit | 550 ns | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 10ms | ||
![]() | 24LCS21AT-I/SN | 0.5400 | ![]() | 5579 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LCS21A | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 24LCS21AT-I/SN-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 10ms | |
![]() | at28bv64b-20ti | - | ![]() | 3476 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT28BV64 | Eeprom | 2.7V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 234 | 不揮発性 | 64kbit | 200 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | S99GL064N0150 | - | ![]() | 2177 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | 廃止 | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S26361-F3844-E617-C | 268.7500 | ![]() | 8056 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F3844-E617-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | M25P05-AVMN6T TR | - | ![]() | 9306 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M25P05-A | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,500 | 50 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi | 15ms、5ms | |||
![]() | IS43LD32640B-18BPL | - | ![]() | 2580 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32640 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | 平行 | 15ns |
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