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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S29CD016J0PFAM010 Cypress Semiconductor Corp S29CD016J0PFAM010 5.3000
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp CD-J バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 80-lbga S29CD016 フラッシュ - 1.65V〜2.75V 80-FBGA （13x11） ダウンロード 57 66 MHz 不揮発性 16mbit 54 ns フラッシュ 512K x 32 平行 60ns 確認されていません
S98WS01GP0HFW0060A Infineon Technologies S98WS01GP0HFW0060A -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
A2257216-C ProLabs A2257216-C 125.0000
RFQ
 ECAD 9770 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A2257216-C ear99 8473.30.5100 1
S-24C08DI-I8T1U5 ABLIC Inc. S-24C08DI-I8T1U5 0.2268
RFQ
 ECAD 2636 0.00000000 Ablic Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SMD 、フラットリード S-24C08 Eeprom 1.7V〜5.5V SNT-8A ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 8kbit 500 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
03X3816-C ProLabs 03x3816-c 62.5000
RFQ
 ECAD 2029 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-03x3816-C ear99 8473.30.5100 1
71421LA4J Renesas Electronics America Inc 71421LA4J -
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 前回購入します 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 - 800-71421LA4J 1 揮発性 16kbit sram 2k x 8 平行 -
DS1230Y-70IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230y-70ind -
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 28-dip モジュール（0.600 "、15.24mm） DS1230Y nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-EDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない DS1230y70ind ear99 8542.32.0041 12 不揮発性 256kbit 70 ns nvsram 32k x 8 平行 70ns
MTFC16GAPALBH-AAT TR Micron Technology Inc. mtfc16gapalbh-aat tr 19.2750
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-TFBGA MTFC16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.9V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
MX78U64A00FXDJ02 Macronix MX78U64A00FXDJ02 2.0760
RFQ
 ECAD 4280 0.00000000 マクロニックス - トレイ アクティブ - 3 （168 時間） 1092-MX78U64A00FXDJ02 480
IDT71V3558S133BG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V3558S133BG8 -
RFQ
 ECAD 1480 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA IDT71V3558 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V3558S133BG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 256k x 18 平行 -
IDT71V2558S100BG Renesas Electronics America Inc IDT71V2558S100BG -
RFQ
 ECAD 1616 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA IDT71v2558 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 71v2558S100bg 3A991B2A 8542.32.0041 84 100 MHz 揮発性 4.5mbit 5 ns sram 256k x 18 平行 -
41X1081-C ProLabs 41x1081-c 17.5000
RFQ
 ECAD 7181 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-41x1081-C ear99 8473.30.5100 1
QS8888-20P Quality Semiconductor QS8888-20P 3.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 高品質の半導体 * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
AT27C020-55JU Atmel AT27C020-55JU -
RFQ
 ECAD 1686 0.00000000 Atmel - バルク アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 32-lcc AT27C020 eprom -otp 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 2mbit 55 ns eprom 256k x 8 平行 -
CY7C1312KV18-300BZXC Infineon Technologies Cy7C1312KV18-300BZXC 43.1100
RFQ
 ECAD 76 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1312 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 680 300 MHz 揮発性 18mbit sram 1m x 18 平行 -
MEM-DR480L-SL04-ER24-C ProLabs MEM-DR480L-SL04-ER24-C 53.5000
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-MEM-DR480L-SL04-ER24-C ear99 8473.30.5100 1
AT45DB321D-MWU Adesto Technologies AT45DB321D-MWU -
RFQ
 ECAD 6775 0.00000000 Adesto Technologies - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-vdfn露出パッド AT45DB321 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-vdfn （8x6） ダウンロード 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 338 66 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 528バイトx 8192ページ spi 6ms
W25Q128FVEAQ Winbond Electronics W25Q128FVEAQ -
RFQ
 ECAD 1087 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス * チューブ 廃止 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 8-wson （8x6） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128FVEAQ 廃止 1
CY7C1354BV25-166AC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1354BV25-166AC 7.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1354 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-TQFP ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 9mbit 3.5 ns sram 256k x 36 平行 -
IS61LV25616AL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10BLI 5.2700
RFQ
 ECAD 393 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61LV25616 sram-非同期 3.135V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 220 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
STK14C88-C45I Infineon Technologies STK14C88-C45I -
RFQ
 ECAD 6802 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 32-CDIP （0.300 "、7.62mm） STK14C88 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 32-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 2015-STK14C88-C45I ear99 8542.32.0041 24 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
577606-001-C ProLabs 577606-001-C 30.0000
RFQ
 ECAD 5840 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-577606-001-C ear99 8473.30.5100 1
MT41J256M16HA-093G:E Micron Technology Inc. MT41J256M16HA-093G：e -
RFQ
 ECAD 3506 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41J256M16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 -
S70GL02GT11FHB010 Analog Devices Inc. S70GL02GT11FHB010 -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 Analog Devices Inc. - バルク アクティブ - 2156-S70GL02GT11FHB010 1
EDFA164A2PK-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PK-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2167 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント - EDFA164 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.95V 216-WFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1,000 933 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 平行 -
CY7C1648KV18-450BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1648Kv18-450bzc 308.7200
RFQ
 ECAD 325 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-CY7C1648KV18-450BZC-428 1
CY7C1011DV33-10BVXIT Infineon Technologies Cy7C1011DV33-10BVXIT 5.0750
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1011 sram-非同期 3V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
CY7C1520KV18-333BZXC Infineon Technologies Cy7C1520KV18-333BZXC 190.9250
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1520 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,360 333 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
S29GL256P10TFI020 Cypress Semiconductor Corp S29GL256P10TFI020 6.0700
RFQ
 ECAD 1974年年 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL256PT10TFI020 1 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8 平行 100ns 確認されていません
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062EAAT：E TR 10.1250
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A1G8SA-062EAAT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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