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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
K6X0808C1D-BF55 Samsung Semiconductor, Inc. K6X0808C1D-BF55 6.0000
RFQ
 ECAD 806 0.00000000 Samsung Semiconductor - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント sram-非同期 4.5v〜5.5V 28ソップ - 3277-K6X0808C1D-BF55 ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit sram 32k x 8 平行 55ns 確認されていません
IDT71V424YS12Y Renesas Electronics America Inc IDT71v424ys12y -
RFQ
 ECAD 4658 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 36-bsoj（0.400 "、10.16mm 幅） IDT71v424 sram-非同期 3V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71v424ys12y 3A991B2A 8542.32.0041 20 揮発性 4mbit 12 ns sram 512k x 8 平行 12ns
CY62146G30-45BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy62146G30-45BVXI -
RFQ
 ECAD 9436 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62146 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード 50 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns 確認されていません
M30042040108X0PWAR Renesas Electronics America Inc M30042040108X0PWAR 14.5624
RFQ
 ECAD 7687 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド M30042040108 ミスター（磁気抵抗ラム） 2.7V〜3.6V 8-dfn ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 800-M30042040108X0PWARTR ear99 8542.32.0071 4,000 108 MHz 不揮発性 4mbit ラム 1m x 4 - -
7142LA45L48B Renesas Electronics America Inc 7142LA45L48B -
RFQ
 ECAD 2160 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -55°C〜125°C 表面マウント 48-lcc sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 48-lcc（ 14.22x14.22） - 800-7142LA45L48B 1 揮発性 16kbit 45 ns sram 2k x 8 平行 45ns
LC3564CM-70U-TLM-E onsemi LC3564CM-70U-TLM-E 1.4000
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 0000.00.0000 1,000
W25N512GWPIR TR Winbond Electronics W25N512GWPIR TR -
RFQ
 ECAD 1579 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GWPIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
713981-S21-C ProLabs 713981-S21-C 72.5000
RFQ
 ECAD 7467 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-713981-S21-C ear99 8473.30.5100 1
CY7C0853AV-133BBC Cypress Semiconductor Corp CY7C0853AV-133BBC -
RFQ
 ECAD 3304 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 172-lbga Cy7C0853 sram- デュアルポート、同期 3.135V〜3.465V 172-FBGA （15x15 - ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 126 133 MHz 揮発性 9mbit sram 256k x 36 平行 - 確認されていません
CS18LV00645PCR55 Chiplus CS18LV00645PCR55 1.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Chiplus - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） sram-非同期 5V 28-dip - 3277-CS18LV00645PCR55 ear99 8542.32.0041 200 揮発性 64kbit sram 8k x 8 平行 55ns 確認されていません
W25Q512JVEIQ TR Winbond Electronics w25q512jveiq tr 4.8300
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q512jveiqtr 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
25LC320A-E/MS Microchip Technology 25LC320A-E/MS 0.9200
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 25LC320 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 5ms
M29F800DB70M1 Micron Technology Inc. M29F800DB70M1 -
RFQ
 ECAD 7464 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-SOIC （0.525 "、13.34mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 16 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAACAFAMD-6 IT -
RFQ
 ECAD 3721 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
MSR830AGE-1512 MoSys, Inc. MSR830AGE-1512 -
RFQ
 ECAD 8393 0.00000000 mosys 、Inc。 - トレイ 前回購入します - 表面マウント 1512-BGA 、FCBGA sram、rldram - 1512-FCBGA （27x27） - 2331-MSR830AGE-1512 1 揮発性 1gbit 2.7 ns ラム 16m x 72 平行 -
NDT16PFJ-9MET TR Insignis Technology Corporation ndt16pfj-9met tr 4.6000
RFQ
 ECAD 2859 0.00000000 Insignis Technology Corporation - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA NDT16 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
M25PX16STVZM6TP TR Micron Technology Inc. M25PX16STVZM6TP TR -
RFQ
 ECAD 8644 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 24-tbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0071 2,500 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
IS49RL18640-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18640-107EBL 109.1224
RFQ
 ECAD 1959年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA（13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49RL18640-107EBL 119 933 MHz 揮発性 1.152gbit 8 ns ドラム 64m x 18 平行 -
MT29E1T08CMHBBJ4-3:B Micron Technology Inc. MT29E1T08CMHBBJ4-3：b -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 132-VBGA MT29E1T08 フラッシュ -ナンド 2.5V〜3.6V 132-VBGA（12x18） - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 333 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
FT24C08A-UNR-T Fremont Micro Devices Ltd FT24C08A-UNR-T -
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C 表面マウント 8-wfdfn露出パッド FT24C08 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-dfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 1 MHz 不揮発性 8kbit 550 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
AS4C256M16D3B-12BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BAN -
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA（13.5x9 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1444 ear99 8542.32.0036 180 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AT24C16-10PI-2.5 Microchip Technology AT24C16-10PI-2.5 -
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） AT24C16 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT24C1610PI2.5 ear99 8542.32.0051 50 400 kHz 不揮発性 16kbit 900 ns Eeprom 2k x 8 i²c 5ms
BR24G08NUX-3TTR Rohm Semiconductor BR24G08NUX-3TTR 0.2700
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド BR24G08 Eeprom 1.6V〜5.5V VSON008X2030 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 400 kHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
MT46V32M8P-6T IT:G TR Micron Technology Inc. MT46V32M8P-6T IT：G TR -
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT46V32M8 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 167 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
N25Q032A13EF440E Micron Technology Inc. N25Q032A13EF440E -
RFQ
 ECAD 1691 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn N25Q032A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-PDFN（3x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 8m x 4 spi 8ms、5ms
R1LP0108ESA-5SI#S1 Renesas Electronics America Inc R1LP0108ESA-5SI ＃S1 3.0700
RFQ
 ECAD 5895 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） R1LP0108 sram 4.5v〜5.5V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
CYDM064B16-40BVXI Infineon Technologies CYDM064B16-40BVXI -
RFQ
 ECAD 8522 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-VFBGA cydm sram- デュアルポート、 mobl 1.7V〜1.9V 、2.4V〜2.6V、3V〜3.6V 100-VFBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 429 揮発性 64kbit 40 ns sram 4k x 16 平行 40ns
7006L45J Renesas Electronics America Inc 7006L45J -
RFQ
 ECAD 1595 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 7006L45 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 128kbit 45 ns sram 16k x 8 平行 45ns
CY7C1360B-200AJC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1360B-200AJC 6.3800
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp Cy7C1360 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 200 MHz 揮発性 9mbit 3 ns sram 256k x 36 平行 -
CY14B256K-SP45XCT Infineon Technologies Cy14B256K-SP45XCT -
RFQ
 ECAD 7901 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） CY14B256 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.45V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 256kbit 45 ns nvsram 32k x 8 平行 45ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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