画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S32800G-7BLI | 7.8889 | ![]() | 5734 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||
CAT25C08VGI | - | ![]() | 8392 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25C08 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | MX29F800CBTI-70G | 4.5800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | マクロニックス | MX29F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MX29F800 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 1m x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | 709349L7PF8 | - | ![]() | 5207 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 709349L | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 72kbit | 7.5 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | 71V2546S100PFG | 7.6801 | ![]() | 9152 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71v2546 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL164K0XNFIQ10 | - | ![]() | 5718 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl1-k | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL164 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | IS43R32400E-4BL-TR | 4.6089 | ![]() | 2771 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32400 | SDRAM -DDR | 2.4V〜2.6V | 144-LFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 250 MHz | 揮発性 | 128mbit | 700 ps | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 16ns | |||
![]() | Cy7C1462AV25-167BZI | - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1462 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | CY7C1041DV33-10VXIT | - | ![]() | 6268 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | M25P16-VMF3TPB TR | - | ![]() | 1477 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | M25P16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 75 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi | 15ms、5ms | ||||
W948D6FBHX6I | - | ![]() | 6947 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | W948D6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR | - | ![]() | 3686 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜105°C(TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
CAT25640VP2IGT3E | - | ![]() | 4061 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | CAT25640 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 488-CAT25640VP2IGT3ETR | 廃止 | 3,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | 5ms | ||||||
![]() | IS61DDP2B21M18A-400M3L | 44.1540 | ![]() | 4556 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDP2 | sram- ddr iip | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | MX25L12855FXCI-10G | 1.5730 | ![]() | 8621 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-TBGA 、CSPBGA | MX25L12855 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-cspbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 30µs、3ms | ||||
![]() | Cy62138FV30LL-45ZXI | 4.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | Cy62138 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 32-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | AS1C512K16PL-70bin | 3.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -30°C〜85°C(TA) | 表面マウント | 48-VFBGA | AS1C512 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 48-FBGA (6x7) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-1473 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 364 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | |||
93AA66BT-I/OT | 0.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-6 | 93AA66 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | SOT-23-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 256 x 16 | マイクロワイヤ | 6ms | |||||
MT25QU128ABB8E12-0AUT TR | 4.3247 | ![]() | 4763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | MT25QU128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 24-T-PBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||||
![]() | Cy7C1019CV33-12VC | - | ![]() | 5719 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1019 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2,070 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | IS43TR82560BL-125KBLI | - | ![]() | 6076 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | |||
70V659S10BC | 244.5046 | ![]() | 8299 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 256-lbga | 70V659 | sram- デュアルポート、非同期 | 3.15V〜3.45V | 256-CABGA (17x17) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 4 (72 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 4.5mbit | 10 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | 70V9279S6PRF8 | - | ![]() | 9282 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 128-LQFP | 70V9279 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 128-TQFP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 512kbit | 6.5 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL204K0TMFI043 | - | ![]() | 1849 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL2-K | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | S25FL204 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,600 | 85 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 16-1005469-01-T | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | sicで中止されました | - | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT41J128M8JP-15E AIT:G TR | - | ![]() | 3011 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | MT41J128M8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-FBGA (8x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL032P0XNFI011 | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-p | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | S25FL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 99 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5µs、3ms | ||||
![]() | cy62137vll-70zxe | - | ![]() | 7966 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62137 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 70ns | ||||
24LC02BHT-E/LT | 0.4050 | ![]() | 8845 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 | 24LC02BH | Eeprom | 2.5V〜5.5V | SC-70-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | mt29pzzz4d4wketf-18 w.6e4 | - | ![]() | 9191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 |
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