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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
STK11C68-5K35M Infineon Technologies STK11C68-5K35M -
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） STK11C68 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 26 不揮発性 64kbit 35 ns nvsram 8k x 8 平行 35ns
S29GL256N11FAI010 Infineon Technologies S29GL256N11FAI010 -
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2832-S29GL256N11FAI010 廃止 1 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
MT40A512M16TB-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E：R Tr 6.0000
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A512M16TB-062E：RTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MTFC64GBCAQTC-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-AAT 35.1800
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC64GBCAQTC-AAT 1,520
W25Q64CVZESG Winbond Electronics w25q64cvzesg -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64CVZESG 廃止 1 80 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
MT28F320J3BS-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 MET TR -
RFQ
 ECAD 5914 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT53D384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT：E TR -
RFQ
 ECAD 4235 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES：e -
RFQ
 ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
S27KL0641DABHI033 Infineon Technologies S27KL0641DABHI033 -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™kl テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S27KL0641 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 100 MHz 揮発性 64mbit 40 ns psram 8m x 8 平行 -
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CKCCBH7-6：C TR -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29E512G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
IDT71V432S7PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V432S7PF8 -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71V432 sram- sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V432S7PF8 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 7 ns sram 32K x 32 平行 -
CAT25020VI-GT3JN onsemi CAT25020VI-GT3JN -
RFQ
 ECAD 4042 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25020 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
S26KS256SDPBHM020 Infineon Technologies S26KS256SDPBHM020 15.0325
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 Infineon Technologies Automotive トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,690 166 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
CY7C128A-35SCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C128A-35SCT 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） Cy7C128a sram-非同期 4.5v〜5.5V ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
MT29F4G01AAADDHC:D Micron Technology Inc. mt29f4g01aaaddhc：d -
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
AT25256AN-10SI-2.7 Microchip Technology AT25256AN-10SI-2.7 -
RFQ
 ECAD 5358 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25256 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT25256AN-10SI2.7 ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 不揮発性 256kbit Eeprom 32k x 8 spi 5ms
EMMC04G-MK27-C01C Kingston EMMC04G-MK27-C01C 3.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 キングストン - トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-FBGA フラッシュ-nand （mlc） 1.8V 、3.3V 153-FBGA （11.5x13x0.8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3217-EMMC04G-MK27-C01C ear99 8542.31.0001 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 EMMC
MT40A1G16KNR-075 IT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G16KNR-075 IT：E TR 23.9400
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13.5） - 557-MT40A1G16KNR-075IT：ETR 2,000 1.333 GHz 揮発性 16gbit 19 ns ドラム 1g x 16 平行 15ns
7140LA55JI Renesas Electronics America Inc 7140la55ji -
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-lcc 7140la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 24 揮発性 8kbit 55 ns sram 1k x 8 平行 55ns
6116SA25SOG8 Renesas Electronics America Inc 6116SA25SOG8 5.1102
RFQ
 ECAD 1263 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） 6116SA sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 16kbit 25 ns sram 2k x 8 平行 25ns
71V016SA20BF8 Renesas Electronics America Inc 71V016SA20BF8 4.0080
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-lfbga 71V016 sram-非同期 3V〜3.6V 48-cabga ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 2,000 揮発性 1mbit 20 ns sram 64k x 16 平行 20ns
74F219SJ Fairchild Semiconductor 74F219SJ 1.2000
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 フェアチャイルド半導体 74f バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） 74F219 ラム 4.5v〜5.5V 16ソップ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1 揮発性 64ビット 27 ns ラム 16 x 4 平行 29ns
MTFC16GLWDQ-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. mtfc16glwdq-4m ait z tr -
RFQ
 ECAD 4227 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga mtfc16g フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 100-lbga（14x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 MMC -
CYDD18S72V18-167BBXC Infineon Technologies CYDD18S72V18-167BBBBXC -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 256-lbga cydd sram- デュアルポート、同期 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V 256-FBGA （17x17 - ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 18mbit 600 PS sram 256k x 36 x 2 平行 -
DS28E01P-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS28E01P-100+ 2.3400
RFQ
 ECAD 184 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 6-smd、Jリード DS28E01 Eeprom 2.85V〜5.25V 6-TSOC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない -4941-DS28E01P-100+ ear99 8542.32.0051 120 不揮発性 1kbit 2 µs Eeprom 256 x 4 1-Wire® -
S25FL064P0XMFV001M Infineon Technologies S25FL064P0XMFV001M -
RFQ
 ECAD 2419 0.00000000 Infineon Technologies fl-p トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
IDT71T75802S200PFI Renesas Electronics America Inc IDT71T75802S200PFI -
RFQ
 ECAD 6610 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71T75 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71T75802S200PFI 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 18mbit 3.2 ns sram 1m x 18 平行 -
AS4C32M16D1-5BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D1-5BCNTR 3.8060
RFQ
 ECAD 6244 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
CG8774AF Infineon Technologies CG8774AF -
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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