SIC
close

メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
S29PL032J70BAI120 Cypress Semiconductor Corp S29PL032J70BAI120 9.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp pl-j トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA S29PL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-FBGA （8.15x6.15） ダウンロード ROHS3準拠 56 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 2m x 16 平行 70ns 確認されていません
70V9159L6PF Renesas Electronics America Inc 70v9159l6pf -
RFQ
 ECAD 3605 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V9159 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 72kbit 6.5 ns sram 8k x 9 平行 -
CY7C14251KV18-250BZI Cypress Semiconductor Corp Cy7C14251Kv18-250bzi 49.4300
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C14251 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 119 250 MHz 揮発性 36mbit sram 4m x 9 平行 - 確認されていません
A4501461-C ProLabs A4501461-C 30.0000
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A4501461-C ear99 8473.30.5100 1
S28HS512TGABHV010 Infineon Technologies S28HS512TGABHV010 13.8600
RFQ
 ECAD 7914 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード 1,690 200 MHz 不揮発性 512mbit 5.45 ns フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O 1.7ms
HN58X25256FPIAG#S0 Renesas Electronics America Inc hn58x25256fpiag＃S0 4.1768
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） hn58x25256 Eeprom 1.8V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 5 MHz 不揮発性 256kbit Eeprom 32k x 8 spi 5ms
CY14B101L-SP45XIT Infineon Technologies Cy14b101l-sp45xit -
RFQ
 ECAD 6055 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） Cy14B101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 平行 45ns
MT40A256M16GE-083E AAT:B Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083EAAT：b -
RFQ
 ECAD 1175 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,020 1.2 GHz 揮発性 4gbit ドラム 256m x 16 平行 -
S34MS04G204TFB013 Cypress Semiconductor Corp S34MS04G204TFB013 -
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp aec-q100、ms-2 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S34MS04 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit 45 ns フラッシュ 256m x 16 平行 45ns
IS49NLC36800-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25BLI -
RFQ
 ECAD 5203 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 8m x 36 平行 -
S25FL129P0XMFI001M Infineon Technologies S25FL129P0XMFI001M -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 Infineon Technologies fl-p トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL129 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
CY7C1061AV33-10ZXCT Infineon Technologies Cy7C1061AV33-10ZXCT -
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy7C1061 sram-非同期 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
IS49NLC36800A-25EWBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25EWBL 29.0237
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS49NLC36800A-25EWBL 104 400 MHz 揮発性 288mbit 15 ns ドラム 8m x 36 HSTL -
STK11C68-5K35M Infineon Technologies STK11C68-5K35M -
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.300 "、7.62mm） STK11C68 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 26 不揮発性 64kbit 35 ns nvsram 8k x 8 平行 35ns
S29GL256N11FAI010 Infineon Technologies S29GL256N11FAI010 -
RFQ
 ECAD 3033 0.00000000 Infineon Technologies gl-n トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2832-S29GL256N11FAI010 廃止 1 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 110ns
MT40A512M16TB-062E:R TR Micron Technology Inc. MT40A512M16TB-062E：R Tr 6.0000
RFQ
 ECAD 1499 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA （7.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MT40A512M16TB-062E：RTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MTFC64GBCAQTC-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GBCAQTC-AAT 35.1800
RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 557-MTFC64GBCAQTC-AAT 1,520
W25Q64CVZESG Winbond Electronics w25q64cvzesg -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64CVZESG 廃止 1 80 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
MT28F320J3BS-11 MET TR Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11 MET TR -
RFQ
 ECAD 5914 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-FBGA MT28F320J3 フラッシュ 2.7V〜3.6V 64-FBGA （10x13） ダウンロード ROHS3準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32mbit 110 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 -
MT53D384M32D2DS-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AAT：E TR -
RFQ
 ECAD 4235 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV Micron Technology Inc. MT29F32G08CBACAL73A3WC1PV -
RFQ
 ECAD 8145 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 死ぬ MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 死ぬ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NZ-046 WT ES：e -
RFQ
 ECAD 5519 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D1G64 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 - -
S27KL0641DABHI033 Infineon Technologies S27KL0641DABHI033 -
RFQ
 ECAD 8937 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™kl テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S27KL0641 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 100 MHz 揮発性 64mbit 40 ns psram 8m x 8 平行 -
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CKCCBH7-6：C TR -
RFQ
 ECAD 5665 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 152-TBGA MT29E512G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-TBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 平行 -
IDT71V432S7PF8 Renesas Electronics America Inc IDT71V432S7PF8 -
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71V432 sram- sdr 3.135V〜3.63V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V432S7PF8 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 7 ns sram 32K x 32 平行 -
CAT25020VI-GT3JN onsemi CAT25020VI-GT3JN -
RFQ
 ECAD 4042 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25020 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 spi 5ms
S26KS256SDPBHM020 Infineon Technologies S26KS256SDPBHM020 15.0325
RFQ
 ECAD 9444 0.00000000 Infineon Technologies Automotive トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S26KS256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,690 166 MHz 不揮発性 256mbit 96 ns フラッシュ 32m x 8 平行 -
CY7C128A-35SCT Cypress Semiconductor Corp Cy7C128A-35SCT 1.6000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） Cy7C128a sram-非同期 4.5v〜5.5V ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
MT29F4G01AAADDHC:D Micron Technology Inc. mt29f4g01aaaddhc：d -
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
AT25256AN-10SI-2.7 Microchip Technology AT25256AN-10SI-2.7 -
RFQ
 ECAD 5358 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT25256 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない AT25256AN-10SI2.7 ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 不揮発性 256kbit Eeprom 32k x 8 spi 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます