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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY7C1418JV18-300BZXC Infineon Technologies CY7C1418JV18-300BZXC -
RFQ
 ECAD 6567 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1418 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
7054S20PRF Renesas Electronics America Inc 7054S20PRF -
RFQ
 ECAD 2561 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 128-LQFP 7054S20 sram- クアッドポート、非同期 4.5v〜5.5V 128-TQFP ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 6 揮発性 32kbit 20 ns sram 4k x 8 平行 20ns
R1LV0408DSP-5SR#B0 Renesas Electronics America Inc R1LV0408DSP-5SR ＃B0 13.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-SOIC （0.450 "、11.40mm 幅） R1LV0408D sram 2.7V〜3.6V 32ソップ ダウンロード 適用できない 3A991B2A 8542.32.0041 1 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
S34MS02G200TFI000 SkyHigh Memory Limited S34MS02G200TFI000 -
RFQ
 ECAD 8555 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - トレイ sicで中止されました S34MS02 - ROHS準拠 3 （168 時間） 2120-S34MS02G200TFI000 3A991B1A 8542.32.0071 96 確認されていません
70V657S12BFGI Renesas Electronics America Inc 70V657S12BFGI 151.5524
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 208-LFBGA 70V657 sram- デュアルポート、非同期 3.15V〜3.45V 208-CABGA （15x15 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 7 揮発性 1.125mbit 12 ns sram 32K x 36 平行 12ns
MX29GL640EBTI-70G Macronix MX29GL640EBTI-70G 5.0100
RFQ
 ECAD 73 0.00000000 マクロニックス MX29GL トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MX29GL640 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 64mbit 70 ns フラッシュ 8m x 8 平行 70ns
70V24L20J8 Renesas Electronics America Inc 70V24L20J8 -
RFQ
 ECAD 6403 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-LCC 70V24L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 84-PLCC （29.31x29.31 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 200 揮発性 64kbit 20 ns sram 4k x 16 平行 20ns
CY62137CVSL-70BAXI Cypress Semiconductor Corp Cy62137CVSL-70Baxi 1.2800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy62137 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3A991B2A 8542.32.0041 234 揮発性 2mbit 70 ns sram 128k x 16 平行 70ns 確認されていません
IDT7164L20Y Renesas Electronics America Inc IDT7164L20Y -
RFQ
 ECAD 5817 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IDT7164 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 7164L20Y ear99 8542.32.0041 27 揮発性 64kbit 20 ns sram 8k x 8 平行 20ns
7024S15PFG8 Renesas Electronics America Inc 7024S15PFG8 -
RFQ
 ECAD 1492 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7024S15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-7024S15PFG8TR 廃止 250 揮発性 64kbit 15 ns sram 4k x 16 平行 15ns
S25FL064LABMFB011 Infineon Technologies S25FL064LABMFB011 3.9700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
M24C32-DFMN6TP STMicroelectronics M24C32-DFMN6TP 0.3800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） M24C32 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 1 MHz 不揮発性 32kbit 450 ns Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
IS26KS512S-DPBLI00TR Infineon Technologies IS26KS512S-DPBLI00TR -
RFQ
 ECAD 4005 0.00000000 Infineon Technologies Hyperflash™ks テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA IS26KL512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 166 MHz 不揮発性 512mbit 96 ns フラッシュ 64m x 8 平行 -
S25FS128SDSBHV200 Cypress Semiconductor Corp S25FS128SDSBHV200 3.0500
RFQ
 ECAD 540 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp FS-S バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga S25FS128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-bga （8x6） ダウンロード 560 80 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi - 確認されていません
CY62157EV30LL-45BVXA Infineon Technologies Cy62157EV30LL-45BVXA 11.7250
RFQ
 ECAD 4046 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62157 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 960 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
IS43R86400E-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TL-TR -
RFQ
 ECAD 3429 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43R86400E-5TL-TR 1,500 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 SSTL_2 15ns
AT27BV1024-90JU Atmel AT27BV1024-90JU 1.0000
RFQ
 ECAD 1457 0.00000000 Atmel - バルク アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 44-lcc AT27BV1024 eprom -otp 2.7V〜3.6V 、4.5v〜5.5V 44-PLCC（16.6x16.6 ダウンロード ear99 8542.32.0061 1 不揮発性 1mbit 90 ns eprom 64k x 16 平行 - 確認されていません
M25PX16-V6D11 Micron Technology Inc. M25PX16-V6D11 -
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ - - M25PX16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V - - ROHS3準拠 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1 75 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi 15ms、5ms
47C16-I/W16K Microchip Technology 47C16-I/W16K -
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 47C16 eeprom、sram 4.5v〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 16kbit 400 ns イーラム 2k x 8 i²c 1ms
AT29C020-12JC Microchip Technology AT29C020-12JC -
RFQ
 ECAD 3820 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 32-lcc AT29C020 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PLCC（ 13.97x11.43 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない Q1120753 ear99 8542.32.0071 32 不揮発性 2mbit 120 ns フラッシュ 256k x 8 平行 10ms
71V67703S75BQ8 Renesas Electronics America Inc 71V67703S75BQ8 26.1188
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-TBGA 71v67703 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-CABGA（13x15） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 揮発性 9mbit 7.5 ns sram 256k x 36 平行 -
N25Q512A13G1241F TR Micron Technology Inc. N25Q512A13G1241F TR -
RFQ
 ECAD 3240 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga N25Q512A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 128m x 4 spi 8ms、5ms
MTFC256GAOAMAM-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc256gaoamam-wt es tr -
RFQ
 ECAD 5596 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ - - MTFC256 フラッシュ -ナンド - - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 MMC -
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT -
RFQ
 ECAD 7994 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 130-VFBGA MT29C1G12 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 130-VFBGA （8x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 1gbit（nand フラッシュ、ラム 128m x 8 平行 -
71V2556S133BG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2556S133BG 2.0100
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA 71v2556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 4.5mbit 4.2 ns sram 128k x 36 平行 -
AS7C3513B-15JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C3513B-15JCNTR 4.0025
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） AS7C3513 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 500 揮発性 512kbit 15 ns sram 32k x 16 平行 15ns
MWS5101AEL2 Harris Corporation MWS5101AEL2 8.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 22-dip （0.400 "、10.16mm） MWS5101 sram-非同期 4.5v〜5.5V 22-pdip ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1 揮発性 1kbit 250 ns sram 256 x 4 平行 300ns
S99-50284 Infineon Technologies S99-50284 -
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
MT51J256M32HF-80:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80：TR -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V 170-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 2 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
IS46TR16256AL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-107MBLA2 -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16256AL-107MBLA2 ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
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    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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