画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | N25W128A11EF740E | - | ![]() | 5385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | N25W128 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-VDFPN | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 32m x 4 | spi | - | |||||
![]() | 25AA128T-I/MF | 1.5900 | ![]() | 8831 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vdfn露出パッド | 25AA128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-dfn-s(6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 25AA128T-I/MFTR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | |||
Cy7C1361C-133333333333333333333333333333333333333333333333333333333 | 9.0600 | ![]() | 182 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1361 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 6.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | AT27C256R-70PU | 2.7900 | ![]() | 9539 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | AT27C256 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT27C256R70PU | ear99 | 8542.32.0061 | 14 | 不揮発性 | 256kbit | 70 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | |||
24LC014H-I/p | 0.4200 | ![]() | 5936 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | 24LC014H | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 60 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | 24FC02T-E/MUY | 0.2700 | ![]() | 937 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | 24FC02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS42VM32400E-75BLI-TR | - | ![]() | 5365 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32400 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||
AT24C02C-XHM-B | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AT24C02CXHMB | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 550 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IDT71V3577SA75BQI8 | - | ![]() | 8969 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3577SA75BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | MT29F64G08CBEBBL84A3WC1 | - | ![]() | 4381 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | |||||||||
w631gg6mb12i tr | - | ![]() | 8294 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||||
CAT24C32WE-GT3 | - | ![]() | 4500 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT24C32 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | 400 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | ||||
93LC86CT-I/ST | 0.6300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | 93LC86 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||||
![]() | CYD18S72V18-167BBXI | - | ![]() | 5383 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 256-lbga | CYD18S72 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 256-FBGA (17x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 4 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | |||
![]() | 93aa56xt-i/sn | - | ![]() | 1308 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93AA56 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 93AA56XT-I/SN-NDR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 2 MHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8、128 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | |||
![]() | MT46V32M16FN-6 IT:c | - | ![]() | 4399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-FBGA (10x12.5 | - | ROHS非準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy7C1513AV18-200BZI | - | ![]() | 3748 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1513 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1520KV18-333BZI | 148.6700 | ![]() | 616 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1520 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 333 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | 00U0896-C | 37.0000 | ![]() | 1552 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-00U0896-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT28F400B5WP-8 b | - | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | ||||
![]() | Cy14B104L-BA45XI | - | ![]() | 3653 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | Cy14B104 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 299 | 不揮発性 | 4mbit | 45 ns | nvsram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | IS42S16160B-7T | - | ![]() | 6643 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |||
MT47H128M16RT-25E AAT:c | - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H128M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (9x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1,260 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | M24C04-WMN6 | - | ![]() | 5457 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M24C04 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT27C256R-70JU-306 | - | ![]() | 6144 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT27C256 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 256kbit | 70 ns | eprom | 32k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | w25q257fvfig tr | - | ![]() | 7047 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q257 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
MT48LC4M32B2B5-7:G TR | - | ![]() | 4465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | 14ns | ||||
![]() | upd44165362bf5-e40-eq3 | 37.1700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 843313-B21-C | 143.7500 | ![]() | 7200 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-843313-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SST26VF016BT-80E/SN | 2.0700 | ![]() | 5002 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST26SQI® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SST26VF016 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,300 | 80 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 1.5ms |
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