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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT51J256M32HF-80:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-80：TR -
RFQ
 ECAD 5860 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 170-TFBGA MT51J256 sgram -gddr5 1.31V〜1.39V、1.46V〜1.55V 170-FBGA（12x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 2 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
IS46TR16256AL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-107MBLA2 -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46TR16256AL-107MBLA2 ear99 8542.32.0036 190 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
RP-SEMC08DA1 Panasonic Electronic Components RP-SEMC08DA1 -
RFQ
 ECAD 6887 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント 自動車、AEC-Q100 、MC トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-LFBGA RP-SEMC08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-FBGA （11.5x13 ダウンロード ROHS準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 152 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
S25FL064P0XMFA000 Infineon Technologies S25FL064P0XMFA000 3.9500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1HPC-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 2727 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga MT28EW512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lbga（11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 64m x 8、32m x 16 平行 60ns
CY7C1399B-15ZXIT Cypress Semiconductor Corp CY7C1399B-15ZXIT 0.7200
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 ECAD 9 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード 適用できない ear99 8542.32.0041 417 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns 確認されていません
7132SA35JI8 Renesas Electronics America Inc 7132SA35JI8 -
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 ECAD 4005 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-lcc 7132SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 400 揮発性 16kbit 35 ns sram 2k x 8 平行 35ns
IS62WV25616ECLL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35TLI 4.1774
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 3.135V〜3.465V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS62WV25616ECLL-35TLI 135 揮発性 4mbit 35 ns sram 256k x 16 平行 35ns
CAT28F001L-12T onsemi CAT28F001L-12T -
RFQ
 ECAD 9687 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） CAT28F001 フラッシュ 4.5v〜5.5V 32-PDIP ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 11 不揮発性 1mbit 120 ns フラッシュ 128k x 8 平行 120ns
S26HS512TGABHB010 Infineon Technologies S26HS512TGABHB010 17.1150
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 338 200 MHz 不揮発性 512mbit 5.45 ns フラッシュ 64m x 8 ハイパーバス 1.7ms
70V34S15PF Renesas Electronics America Inc 70V34S15PF -
RFQ
 ECAD 3634 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V34 sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 3 揮発性 72kbit 15 ns sram 4k x 18 平行 15ns
MT29F4G01AAADDHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F4G01AAADDHC-IT：d -
RFQ
 ECAD 5067 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 不揮発性 4gbit フラッシュ 4g x 1 spi -
K6T4008C1C-GL55T Samsung Semiconductor, Inc. K6T4008C1C-GL55T 4.2000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Samsung Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント sram-非同期 5V 32ソップ - 3277-K6T4008C1C-GL55TTR ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit sram 512k x 8 平行 55ns 確認されていません
MT29F1G08ABBEAM68M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAM68M3WC1 -
RFQ
 ECAD 3569 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ MT29F1G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 死ぬ - 廃止 0000.00.0000 1 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 平行 -
W98AD2KBJX6E Winbond Electronics w98ad2kbjx6e -
RFQ
 ECAD 5017 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 240
MT25QU128ABA8E12-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU128ABA8E12-0SIT TR 3.3831
RFQ
 ECAD 3647 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QU128 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi 8ms、2.8ms
71V65603S133BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S133BGGI 29.1800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71v65603 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
S70GL02GT11FHV013 Infineon Technologies S70GL02GT11FHV013 27.8075
RFQ
 ECAD 9801 0.00000000 Infineon Technologies gl-t テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 2Gbit 110 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
S29GL512S11FAIV10 Infineon Technologies S29GL512S11FAIV10 8.8900
RFQ
 ECAD 8043 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 900 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
S29GL128P10TAI020 Infineon Technologies S29GL128P10TAI020 -
RFQ
 ECAD 5208 0.00000000 Infineon Technologies GL-P トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 91 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 16m x 8 平行 100ns
71256S85DB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256S85dB 37.2500
RFQ
 ECAD 135 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm） 71256S sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード 3A001A2C 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 85 ns sram 32k x 8 平行 85ns
W66BM6NBUAFJ TR Winbond Electronics w66bm6nbuafj tr 5.7600
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66BM6 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BM6NBUAFJTR ear99 8542.32.0036 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
NAND08GAH0JZC5E Micron Technology Inc. NAND08GAH0JZC5E -
RFQ
 ECAD 2687 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-LFBGA NAND08G フラッシュ -ナンド 3.135V〜3.465V 153-lfbga（11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -NAND08GAH0JZC5E 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 MMC -
CAT25256VI-GT3 onsemi CAT25256VI-GT3 0.9100
RFQ
 ECAD 467 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT25256 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 20 MHz 不揮発性 256kbit Eeprom 32k x 8 spi 5ms
W25Q32JVSSIM Winbond Electronics W25Q32JVSSIM 0.7500
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 ECAD 8542 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVSSIM 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
MT48H16M16LFBF-75 AT:G TR Micron Technology Inc. MT48H16M16LFBF-75 AT：G TR -
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 54-VFBGA MT48H16M16 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 15ns
W25Q32JVSFIQ TR Winbond Electronics w25q32jvsfiq tr -
RFQ
 ECAD 4782 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
71V016SA10BFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA10BFG 5.0600
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-lfbga 71V016 sram-非同期 3.15V〜3.6V 48-cabga ダウンロード 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
AS4C64M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BINTR 4.2627
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（タタ 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
W25Q80DVSVIG TR Winbond Electronics w25q80dvsvig tr -
RFQ
 ECAD 8484 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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