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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
W25Q128FVSJQ TR Winbond Electronics w25q128fvsjq tr -
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q128FVSJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
S29GL01GS10FHSS23 Infineon Technologies S29GL01GS10FHSS23 12.4950
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
W972GG8JB25I Winbond Electronics w972gg8jb25i -
RFQ
 ECAD 8476 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W972GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 189 200 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 256m x 8 平行 15ns
RM25C512C-LSNI-T Adesto Technologies RM25C512C-LSNI-T -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 Adesto Technologies Mavriq™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） RM25C512 CBRAM 1.65v〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 20 MHz 不揮発性 512kbit CBRAM® 128バイトページサイズ spi 100μs5ms
S25HS02GTDZBHM050 Infineon Technologies S25HS02GTDZBHM050 40.5475
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-FBGA （8x8） - 3A991B1A 8542.32.0071 260 133 MHz 不揮発性 2Gbit 6 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o、qpi 1.7ms
IS25LP512MG-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RMLE-TR 6.9200
RFQ
 ECAD 360 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） IS25LP512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 512mbit 5.5 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
CAT24C02WGE Catalyst Semiconductor Inc. CAT24C02WGE -
RFQ
 ECAD 6777 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT24C02 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
S25FL032P0XBHI020 Spansion S25FL032P0XBHI020 0.8000
RFQ
 ECAD 5990 0.00000000 スパンション fl-p バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5µs、3ms
S29GL256S90FHSS20 Infineon Technologies S29GL256S90FHSS20 6.9825
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
S25FL164K0XWEI009 Infineon Technologies s25fl164k0xwei009 -
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 Infineon Technologies fl1-k バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ S25FL164 フラッシュ - 2.7V〜3.6V ウェーハ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 25 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
IS46TR16640A-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-125JBLA2 -
RFQ
 ECAD 4792 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
CY14B104NA-ZSP45XI Cypress Semiconductor Corp Cy14B104NA-ZSP45XI 29.4665
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy14B104 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード 1 不揮発性 4mbit 45 ns nvsram 256k x 16 平行 45ns 確認されていません
CAT64LC10J Catalyst Semiconductor Inc. CAT64LC10J 0.1400
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT64LC10 Eeprom 2.5V〜6V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 64 x 16 spi 5ms
CY62256VNLL-70ZRI Cypress Semiconductor Corp cy62256vnll-70zri 0.6700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） Cy62256 sram-非同期 2.7V〜3.6V 28-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
IS61LPS51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-250B3I -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LPS51236 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA（13x15） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 512K x 36 平行 -
71V124SA12PHI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA12PHI -
RFQ
 ECAD 4853 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） 71V124 sram-非同期 3V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 -
RFQ
 ECAD 1998年年 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29vzzzad8 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,520
SFEM020GB2ED1TO-A-6F-11P-STD Swissbit SFEM020GB2ED1TO-A-6F-11P-STD 30.1200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 swissbit EM-36 トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 153-TFBGA フラッシュ-Nand （PSLC） 2.7V〜3.6V 153-BGA （11.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 MHz 不揮発性 160gbit フラッシュ 20g x 8 EMMC -
71V3577S85BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S85BGI 10.8200
RFQ
 ECAD 740 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71V3577 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 87 MHz 揮発性 4.5mbit 8.5 ns sram 128k x 36 平行 -
MX29F800CBTJ-70Q Macronix MX29F800CBTJ-70Q 4.0040
RFQ
 ECAD 4752 0.00000000 マクロニックス MX29F トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 4.5v〜5.5V 48-tsop - 3 （168 時間） 1092-MX29F800CBTJ-70Q 96 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 512K x 16、1m x 8 平行 70ns、300µs
CG8282AAT Infineon Technologies CG8282AAT -
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 2,500
MT29C4G96MAAGBACKD-5 WT TR Micron Technology Inc. mt29c4g96maagbackd-5 wt tr -
RFQ
 ECAD 5160 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 137-VFBGA MT29C4G96 フラッシュ-nand 、モバイルlpdram 1.7V〜1.95V 137-VFBGA（13x10.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz 不揮発性、揮発性 4gbit（nand フラッシュ、ラム 256m x 16 平行 -
GS82582D36GE-375I GSI Technology Inc. GS82582D36GE-375I 423.0000
RFQ
 ECAD 4379 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C （TJ 表面マウント 165-lbga GS82582D36 sram- クアッドポート、同期 1.7V〜1.9V 165-fpbga（15x17 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS82582D36GE-375I 3A991B2B 8542.32.0041 10 375 MHz 揮発性 288mbit sram 8m x 36 平行 -
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology Inc. MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 162-VFBGA MT29RZ2B1 フラッシュ-nand、dram -lpddr2 1.8V 162-VFBGA（10.5x8） - 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,440 533 MHz 不揮発性、揮発性 2GBIT「NAND ）、1GBit （LPDDR2」 フラッシュ、ラム 256M x 8 平行 -
MX25L6473EZNI-10G Macronix MX25L6473EZNI-10G 1.0130
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 ECAD 3829 0.00000000 マクロニックス MXSMIO™ トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド MX25L6473 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi 50µs、3ms
IS29GL128S-10TFV02-TR Infineon Technologies IS29GL128S-10TFV02-TR -
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 ECAD 5327 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 16m x 8 平行 60ns
P00928-B21-C ProLabs P00928-B21-C 3.0000
RFQ
 ECAD 1805 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-P00928-B21-C ear99 8473.30.5100 1
UPD46365092BF1-E40-EQ1-A Renesas Electronics America Inc upd46365092bf1-e40-eq1-a 60.1500
RFQ
 ECAD 214 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
CY7C1165KV18-550BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C1165KV18-550BZXC 56.9000
RFQ
 ECAD 570 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1165 sram- qdr ii+ 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 6 550 MHz 揮発性 18mbit sram 512K x 36 平行 - 確認されていません
MTFC8GLVEA-IT Micron Technology Inc. mtfc8glvea-it -
RFQ
 ECAD 3755 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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