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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT53D512M16D1DS-046 IT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M16D1DS-046 IT：D TR 8.5200
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード 557-MT53D512M16D1DS-046IT：DTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit ドラム 512m x 16 平行 -
GS864236GB-300I GSI Technology Inc. GS864236GB-300I 193.7800
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 119-BGA GS864236 sram- 同期、標準 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 119-fpbga（22x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS864236GB-300I 3A991B2A 8542.32.0041 14 300 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
GS81314LQ37GK-933I GSI Technology Inc. GS81314LQ37GK-933I 622.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C （TJ 表面マウント 260-BGA GS81314LQ37 sram- qdr ive 1.25V〜1.35V 260-BGA （22x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS81314LQ37GK-933I 3A991B2B 8542.32.0041 10 933 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 -
CY7C1414SV18-167BZC Infineon Technologies Cy7C1414Sv18-167bzc -
RFQ
 ECAD 1987年年 0.00000000 Infineon Technologies - バッグ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1414 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA - ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
S72XS256RE0AHBHH3 Infineon Technologies S72XS256RE0AHBHH3 -
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 ECAD 9046 0.00000000 Infineon Technologies XS-R テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 133-VFBGA S72XS256 フラッシュ、ドラム 1.7V〜1.95V 133-FBGA - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 108 MHz 不揮発性、揮発性 256mbit （フラッシュ）、256mbit（ddr dram） フラッシュ、ラム - 平行 -
IS49NLS96400-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-25BI -
RFQ
 ECAD 9190 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS96400 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA （11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 64m x 9 平行 -
M24C64-FDW6TP STMicroelectronics M24C64-FDW6TP 0.3400
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 ECAD 7 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） M24C64 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 1 MHz 不揮発性 64kbit 450 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
11LC080-E/SN Microchip Technology 11LC080-E/SN 0.4050
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 11LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 100 kHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 単一ワイヤ 5ms
MT62F1G64D4ZV-026 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D4ZV-026 WT：b 37.2450
RFQ
 ECAD 8710 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C - - SDRAM- lpddr5 1.05V - - 557-MT62F1G64D4ZV-026WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 64gbit ドラム 1g x 64 平行 -
IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 9.0440
RFQ
 ECAD 4756 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 2,500 揮発性 16mbit 55 ns sram 1m x 16 平行 55ns
CY7C146-25JC Cypress Semiconductor Corp Cy7C146-25JC 9.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc Cy7C146 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8542.32.0041 33 揮発性 16kbit 25 ns sram 2k x 8 平行 25ns 確認されていません
CG8450AA Infineon Technologies CG8450AA -
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - 影響を受けていない 廃止 136
24C01CT-E/MNY Microchip Technology 24C01CT-E/MNY 0.5100
RFQ
 ECAD 9394 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 24C01C Eeprom 4.5v〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 100 kHz 不揮発性 1kbit 3.5 µs Eeprom 128 x 8 i²c 1.5ms
C-1333D3QRLPR/16G ProLabs C-1333D3QRLPR/16G 105.0000
RFQ
 ECAD 9255 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-1333D3QRLPR/16G ear99 8473.30.5100 1
IS43TR16512BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBL-TR 18.3008
RFQ
 ECAD 9409 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR16512BL-107MBL-TR 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
CY7C1021DV33-10BVXIKB Cypress Semiconductor Corp Cy7C1021DV33-10BVXIKB 1.9100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-CY7C1021DV33-10BVXIKB-428 1
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
RFQ
 ECAD 6355 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS43LR32800 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
CY62256NLL-70SNXA Cypress Semiconductor Corp Cy62256NLL-70SNXA 22.2700
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0041 23 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE-TR 0.9320
RFQ
 ECAD 6199 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、1.6ms
MT47H128M4CF-25E:G Micron Technology Inc. MT47H128M4CF-25E：g -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA MT47H128M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 128m x 4 平行 15ns
CY7C1565V18-375BZC Infineon Technologies Cy7C1565V18-375BZC -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1565 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 375 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
W25Q64JWWA Winbond Electronics w25q64jwwa -
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 ECAD 5870 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） - - W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWWA 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
CY7C1019CV33-12BVXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1019CV33-12BVXI 0.8500
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 ECAD 802 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1019 sram-非同期 3V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
CY7C026AV-25AXCKJ Cypress Semiconductor Corp Cy7C026AV-25AXCKJ 23.9200
RFQ
 ECAD 130 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-CY7C026AV-25AXCKJ-428 1
CY7C1414BV18-250BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1414Bv18-250bzc 49.1400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1414 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 - ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 - 確認されていません
IDT71V67703S85PFI Renesas Electronics America Inc IDT71V67703S85PFI -
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 ECAD 1270 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71v67703 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71v67703S85pfi 3A991B2A 8542.32.0041 72 87 MHz 揮発性 9mbit 8.5 ns sram 256k x 36 平行 -
70V35L20PF Renesas Electronics America Inc 70V35L20PF -
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 ECAD 2897 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70V35L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 6 揮発性 144kbit 20 ns sram 8k x 18 平行 20ns
W988D6FBGX7I Winbond Electronics W988D6FBGX7I -
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 ECAD 9241 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 54-TFBGA W988D6 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 54-VFBGA （8x9） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W988D6FBGX7I 1 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 lvcmos 15ns
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G01ABAGDSF-IT：G TR -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） MT29F2G01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 16-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 2Gbit フラッシュ 2g x 1 spi -
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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