画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | sicプログラム可能 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT25QL128ABA1EW7-0M02IT | - | ![]() | 2178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | MT25QL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wpdfn | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 557-MT25QL128ABA1EW7-0M02IT | 廃止 | 2,940 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 1.8ms | |||||
![]() | CY7C1474BV33-167BGCT | - | ![]() | 6006 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 209-BGA | Cy7C1474 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 209-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 72 | 平行 | - | |||
![]() | gd25q64cfigr | 1.0164 | ![]() | 7769 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | GD25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
MT48LC8M32LFF5-8 IT | - | ![]() | 8668 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM- lPSDR | 3V〜3.6V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 125 MHz | 揮発性 | 256mbit | 7 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS61NLF51236-7.5B3I | - | ![]() | 3282 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | BR24L08FVM-WTR | 0.6500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-vssop、8-msop (0.110 "、2.80mm 幅) | BR24L08 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | 71321LA25TFI8 | - | ![]() | 1662 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | 71321LA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP (10x10) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 500 | 揮発性 | 16kbit | 25 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
FT24C256A-UTR-T | - | ![]() | 9518 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FT24C256 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 550 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | MT57W1MH18CF-4 | 30.4500 | ![]() | 587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | sram-同期 | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 450 PS | sram | 1m x 18 | HSTL | - | ||||
BU9833GUL-WE2 | 0.8300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 6-ufbga、cspbga | BU9833 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | VCSP50L1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | Cy14b116n-zsp45xit | 82.6875 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy14b116 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 16mbit | 45 ns | nvsram | 1m x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | Cy7C136E-55NXCT | - | ![]() | 9920 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-BQFP | Cy7C136 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-PQFP (10x10) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | MX25V1635FZBI | 0.5327 | ![]() | 3124 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 8-USON (4x3) | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25V1635FZBITR | 5,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 4、8m x 2、16m x 1 | spi -quad i/o | 100μs3.6ms | |||||||
![]() | IDT71V35761S166PF8 | - | ![]() | 9507 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V35761 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V35761S166PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | M93C66-WMN6T | - | ![]() | 3125 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | M93C66 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 2 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8、256 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | ||||
![]() | w25m121aweit tr | - | ![]() | 1734 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25M121 | フラッシュ -ナンド、フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M121AWEITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128MBIT(フラッシュ - ナー1gbit(フラッシュナンド) | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | Cy7C1325G-100AXCT | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1325 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 100 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 8 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | |||
![]() | R1EX25004ASA00A s0 | 0.6100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | R1EX25004 | Eeprom | 確認されていません | 1.8V〜5.5V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 5 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | |||||
![]() | IDT71P71604S250BQ | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71P71 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71P71604S250BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | AS7C31026B-12JIN | 3.2631 | ![]() | 4284 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | AS7C31026 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | M27C4001-15C1 | - | ![]() | 9147 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | M27C4001 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC(11.35x13.89) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 4mbit | 150 ns | eprom | 512k x 8 | 平行 | - | ||||
70V3579S6DR | - | ![]() | 6564 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 208-BFQFP | 70V3579 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 208-PQFP (28x28) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 1.125mbit | 6 ns | sram | 32K x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | 71V65903S85PFGI8 | 26.9705 | ![]() | 2232 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71v65903 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 9mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | IS61NLP51236-250TQLI-TR | - | ![]() | 5723 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C2264XV18-366BZXC | - | ![]() | 4430 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2264 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 680 | 366 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | MT25QU512ABB8ESF-0SIT | - | ![]() | 3017 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MT25QU512 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 16-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,440 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | ||||
![]() | IS43TR16512B-125KBLI | 26.1600 | ![]() | 658 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1657 | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w25q16fwsnig | - | ![]() | 6533 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16FWSNIG | 廃止 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | |||
![]() | S25HL01GTDPMHB013 | 20.2300 | ![]() | 5656 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||
![]() | IS29GL256-70DLEB | 6.9600 | ![]() | 263 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | IS29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS29GL256-70DLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 256mbit | 70 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 200µs |
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