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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
M36L0R7050B4ZAQF TR Micron Technology Inc. M36L0R7050B4ZAQF TR -
RFQ
 ECAD 9309 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 M36L0R7050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,500
MT55L256V32PT-6IT Micron Technology Inc. MT55L256V32PT-6IT 14.9900
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp SRAM -ZBT 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz 揮発性 8mbit 3.5 ns sram 256k x 32 平行 -
IS43TR82560D-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-107MBLI-TR 4.4619
RFQ
 ECAD 3038 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR82560D-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
MT62F1G32D2DS-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 WT ES：B TR 40.9200
RFQ
 ECAD 7633 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023WTES：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
7007S55PF Renesas Electronics America Inc 7007S55PF -
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 80-lqfp 7007S55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 80-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
CAT24C01YI-GT3 onsemi CAT24C01YI-GT3 -
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT24C01 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tssop ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 400 kHz 不揮発性 1kbit 900 ns Eeprom 128 x 8 i²c 5ms
IDT71T75602S200PFG8 Renesas Electronics America Inc IDT71T75602S200PFG8 -
RFQ
 ECAD 2787 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp IDT71T75 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 71T75602S200PFG8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.2 ns sram 512K x 36 平行 -
S29GL128S10TFIV23 Infineon Technologies S29GL128S10TFIV23 4.7250
RFQ
 ECAD 7319 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL128 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 128mbit 100 ns フラッシュ 8m x 16 平行 60ns
IS34MW04G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW04G084-TLI-TR 8.4321
RFQ
 ECAD 4704 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） IS34MW04 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4gbit 45 ns フラッシュ 512m x 8 平行 45ns
S25FL128SAGNFI001 Infineon Technologies S25FL128SAGNFI001 5.1100
RFQ
 ECAD 1743 0.00000000 Infineon Technologies fl-s チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 82 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
CY14V101NA-BA25XI Cypress Semiconductor Corp Cy14V101NA-BA25XI 1.0000
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy14V101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード 1 不揮発性 1mbit 25 ns nvsram 64k x 16 平行 25ns 確認されていません
IS61WV20488FBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-10TLI-TR 8.6823
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 2.4V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS61WV20488FBLL-10TLI-TR 1,000 揮発性 16mbit 10 ns sram 2m x 8 平行 10ns
24LC08BH-E/MS Microchip Technology 24LC08BH-E/MS 0.5100
RFQ
 ECAD 4105 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 24LC08BH Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 8kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 x 4 i²c 5ms
CAT93C46RLI-G Catalyst Semiconductor Inc. cat93c46rli-g -
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） CAT93C46 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8542.32.0051 50 4 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8、64 x 16 マイクロワイヤ -
MT53E256M32D2FW-046 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2FW-046AIT：B TR 14.0850
RFQ
 ECAD 9501 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード 557-MT53E256M32D2FW-046AIT：BTR 2,000 2.133 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 平行 18ns
A1979736-C ProLabs A1979736-C 17.5000
RFQ
 ECAD 3501 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A1979736-C ear99 8473.30.5100 1
MT62F1G32D4DS-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 WT：b 23.3100
RFQ
 ECAD 3803 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D4DS-031WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
S29GL064S90FHIV10 Infineon Technologies S29GL064S90FHIV10 -
RFQ
 ECAD 5882 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S トレイ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 64mbit 90 ns フラッシュ 8m x 8、4m x 16 平行 60ns
IDT71016S-15PH IDT, Integrated Device Technology Inc IDT71016S-15ph 3.5000
RFQ
 ECAD 619 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II - 3277-IDT71016S-15PH ear99 8542.32.0041 100 揮発性 1mbit sram 64k x 16 平行 15ns 確認されていません
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U Micron Technology Inc. MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U -
RFQ
 ECAD 5653 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 廃止 mt29rz4 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
FM24C08ULMT8 Fairchild Semiconductor FM24C08ULMT8 -
RFQ
 ECAD 2929 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） FM24C08 Eeprom 2.7V〜4.5V 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 8kbit 3.5 µs Eeprom 1k x 8 i²c 15ms
AT49BV1604AT-90CI Microchip Technology AT49BV1604AT-90CI -
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 45-TFBGA 、CSBGA AT49BV1604 フラッシュ 2.65V〜3.3V 45-CBGA （6.5x7.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 364 不揮発性 16mbit 90 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 50µs
IS63WV1288DBLL-10HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10HLI-TR 1.6544
RFQ
 ECAD 9929 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） IS63WV1288 sram-非同期 2.4V〜3.6V 32-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,000 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
CY14B512Q1A-SXI Cypress Semiconductor Corp Cy14B512q1a-sxi 6.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） Cy14B512 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 44 40 MHz 不揮発性 512kbit nvsram 64k x 8 spi - 確認されていません
MT58L512L18PS-7.5TR Micron Technology Inc. MT58L512L18PS-7.5TR 10.2600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 500 133 MHz 揮発性 8mbit 4 ns sram 512K x 18 平行 -
BR24T02FJ-WGE2 Rohm Semiconductor BR24T02FJ-WGE2 0.2752
RFQ
 ECAD 6070 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） BR24T02 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-SOP-J ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
AT24C08BN-SH-B Microchip Technology AT24C08BN-SH-B -
RFQ
 ECAD 4785 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） AT24C08 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 1 MHz 不揮発性 8kbit 550 ns Eeprom 1k x 8 i²c 5ms
W25X80VZPIG T&R Winbond Electronics w25x80vzpig t＆r -
RFQ
 ECAD 5863 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25x80 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 75 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi 3ms
FT93C56A-UDR-B Fremont Micro Devices Ltd FT93C56A-UDR-B -
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 Fremont Micro Devices Ltd - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） 93C56A Eeprom 1.8V〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1219-1203 ear99 8542.32.0051 50 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 3線シリアル 10ms
MT28FW512ABA1HJS-0AAT Micron Technology Inc. MT28FW512ABA1HJS-0AAT -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28FW512 フラッシュ - 1.7V〜3.6V 56-tsop - 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 576 不揮発性 512mbit 105 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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