画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AT24C08AN-10SI-2.5 | - | ![]() | 2588 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C08 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 8kbit | 4.5 µs | Eeprom | 1k x 8 | i²c | 5ms | |||
24AA025T-I/OT | 0.3400 | ![]() | 6015 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | SOT-23-6 | 24AA025 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | SOT-23-6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | AT27C020-55JC | - | ![]() | 3633 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-lcc | AT27C020 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2(1 年) | 影響を受けていない | AT27C02055JC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 32 | 不揮発性 | 2mbit | 55 ns | eprom | 256k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR | - | ![]() | 2794 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | - | - | ||||
![]() | MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 18.3750 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 149-VFBGA | フラッシュnand( slc )、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-VFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 1 | 不揮発性、揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 1g x 8 | onfi | 30ns | |||||||||
![]() | S99FL164KMN13 | - | ![]() | 2974 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | - | - | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||
![]() | 34LC02T-I/MNY | 0.3600 | ![]() | 6878 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | 34LC02 | Eeprom | 2.2V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 400 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 5962-9161708mya | - | ![]() | 4894 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 表面マウント | 84フラットパック | 5962-9161708 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 84-FPACK | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-9161708Mya | 6 | 揮発性 | 128kbit | 35 ns | sram | 8k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | 5962-9089904MUA | 112.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | インテル | M28F010 | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 32-cflatpack | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | RC28F640P33TF60A | - | ![]() | 2367 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 64-TBGA | RC28F640 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 300 | 52 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | S34MS01G204TFI013 | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | S34MS01 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34MS01G204TFI013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | MT46V64M16TG-75:a | - | ![]() | 3560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | mt46v64m16 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 5 (48 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 1gbit | 750 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 24FC512-I/SN | 1.9400 | ![]() | 43 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24FC512 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 24FC512ISN | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 400 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||
![]() | 7024S35PFI8 | - | ![]() | 4139 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 7024S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 64kbit | 35 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | AT24C64-10PI-2.7 | - | ![]() | 5672 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | AT24C64 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 kHz | 不揮発性 | 64kbit | 900 ns | Eeprom | 8k x 8 | i²c | 10ms | |||
IS62WV5128BLL-55T2LI-TR | 3.3915 | ![]() | 8226 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | IS62WV5128 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | S25FL256SAGNFI003 | 7.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
AT45DB641E-CCUN2B-T | - | ![]() | 7835 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 9-UBGA | AT45DB641 | フラッシュ | 1.7V〜3.6V | 9 -UBGA (6x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 256バイトx 32kページ | spi | 8µs 、5ms | |||||
![]() | NM93C46LZM8 | - | ![]() | 9021 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 95 | 250 kHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 15ms | ||||
CAT24C04WI-GT3 | 0.2300 | ![]() | 24 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT24C04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | A2257182-C | 37.5000 | ![]() | 9529 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A2257182-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS61NVF51236-6.5B3 | - | ![]() | 8165 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVF51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS43TR16256A-107MBL | - | ![]() | 4085 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | |||
IDT71V256SA20Y8 | - | ![]() | 7806 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | IDT71v256 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 71V256SA20Y8 | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | 34AA04-E/SN | 0.4100 | ![]() | 8978 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 34AA04 | Eeprom | 1.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 350 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | AT27LV512A-15TC | - | ![]() | 9467 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | AT27LV512 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | AT27LV512A15TC | ear99 | 8542.32.0061 | 234 | 不揮発性 | 512kbit | 150 ns | eprom | 64k x 8 | 平行 | - | |||
![]() | BR24T01FJ-WE2 | 0.3267 | ![]() | 3142 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | BR24T01 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-SOP-J | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 2,500 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | 71V35761S166PFG | 5.9867 | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 71V35761S | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | w66cm2nquagi tr | - | ![]() | 5613 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66cm2 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | ||||
AT24C1024B-TH-B | - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | AT24C1024 | Eeprom | 1.8V〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 550 ns | Eeprom | 128k x 8 | i²c | 5ms |
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