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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
M29W400FT55N3E Micron Technology Inc. M29W400FT55N3E -
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29W400 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 55ns
CY7C188-20VC Infineon Technologies Cy7C188-20VC -
RFQ
 ECAD 2492 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C188 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 1 揮発性 288kbit 20 ns sram 32K x 9 平行 20ns
W25Q128FWSAQ Winbond Electronics W25Q128FWSAQ -
RFQ
 ECAD 9350 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128FWSAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
S25FL128SAGBHV300 NXP Semiconductors S25FL128SAGBHV300 2.8200
RFQ
 ECAD 257 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-S25FL128SAGBHV300 107
CY14B116N-ZSP45XIT Infineon Technologies Cy14b116n-zsp45xit 82.6875
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy14b116 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 不揮発性 16mbit 45 ns nvsram 1m x 16 平行 45ns
R1EX24128BSAS0I#S1 Renesas Electronics America Inc R1EX24128BSAS0I ＃S1 4.2300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 250
CYD18S72V18-250BBXC Infineon Technologies CYD18S72V18-250BBXC -
RFQ
 ECAD 9164 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 256-lbga CYD18S72 sram- デュアルポート、同期 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V 256-FBGA （17x17 ダウンロード ROHS3準拠 5 （48 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 MHz 揮発性 18mbit 2.64 ns sram 256k x 72 平行 -
70V05L15PF Renesas Electronics America Inc 70V05L15PF -
RFQ
 ECAD 2444 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 70V05L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 45 揮発性 64kbit 15 ns sram 8k x 8 平行 15ns
AM27S25SAJC Advanced Micro Devices AM27S25SAJC 16.0000
RFQ
 ECAD 133 0.00000000 高度なマイクロデバイス - バルク アクティブ 0°C〜75°C（Ta） 表面マウント 28-lcc AM27S25S - 4.75v〜5.25V 28-PLCC（11.51x11.51 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 4kbit 25 ns プロム 512 x 8 平行 -
C-1333D3N9K2/4G ProLabs C-1333D3N9K2/4G 31.2500
RFQ
 ECAD 4793 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-C-1333D3N9K2/4G ear99 8473.30.5100 1
MT28HL32GQBB3ERK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL32GQBB3ERK-0GCT 73.5000
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ MT28HL32 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 960
MT62F1G32D2DS-023 AAT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT ES：b 31.9350
RFQ
 ECAD 9571 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 箱 アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 200-WFBGA SDRAM- lpddr5 1.05V 200-WFBGA （10x14.5 - 557-MT62F1G32D2DS-023AATE：b 1 4.266 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 平行 -
MTFC64GAZAQHD-IT TR Micron Technology Inc. mtfc64gazaqhd-it tr 29.3250
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-VFBGA mtfc64 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-VFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC64GAZAQHD-ITTR 2,000 200 MHz 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
H6Y77UT-C ProLabs H6Y77UT-C 24.5000
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-H6Y77UT-C ear99 8473.30.5100 1
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT：b 55.3050
RFQ
 ECAD 9548 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT：b 1 4.266 GHz 揮発性 96gbit ドラム 1.5GX 64 平行 -
MT42L64M32D1TK-18 IT:C Micron Technology Inc. MT42L64M32D1TK-18それ：c -
RFQ
 ECAD 3494 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-wfbga MT42L64M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V 134-FBGA （10x11.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0036 1,260 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 -
S70KL1282GABHM020 Infineon Technologies S70KL1282GABHM020 10.3950
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™kl トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-VBGA psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B2A 8542.32.0041 3,380 200 MHz 揮発性 128mbit 35 ns psram 16m x 8 ハイパーバス 35ns
CY14B512I-SFXIT Infineon Technologies cy14b512i-sfxit -
RFQ
 ECAD 1268 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy14B512 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 3.4 MHz 不揮発性 512kbit nvsram 64k x 8 i²c -
W9725G8KB25I TR Winbond Electronics W9725G8KB25I TR 2.2334
RFQ
 ECAD 7973 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 60-TFBGA W9725G8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x12.5） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 揮発性 256mbit 400 PS ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT53D512M64D4NW-046 WT:F Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-046 WT：F -
RFQ
 ECAD 2266 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 廃止 - 557-MT53D512M64D4NW-046WT：F 廃止 1
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT：B TR 86.2050
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C - - SDRAM- lpddr5 - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT：BTR 2,000 3.2 GHz 揮発性 96gbit ドラム 3g x 32 平行 -
IS43LQ32640AL-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640AL-062TBLI-TR 9.2036
RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43LQ32640AL-062TBLI-TR 2,500 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 64m x 32 LVSTL 18ns
7130SA55J8/C Renesas Electronics America Inc 7130SA55J8/c -
RFQ
 ECAD 6339 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7130SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 24 揮発性 8kbit 55 ns sram 1k x 8 平行 55ns
CAT93C56WGI onsemi CAT93C56WGI 0.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） CAT93C56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-CAT93C56WGI-488 ear99 8542.32.0071 1 2 MHz 不揮発性 2kbit 250 ns Eeprom 128 x 16、256 x 8 マイクロワイヤ -
W25Q80DVUXIE TR Winbond Electronics W25Q80DVUXIE TR 0.6600
RFQ
 ECAD 472 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q257JVEIQ TR Winbond Electronics w25q257jveiq tr -
RFQ
 ECAD 6048 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q257 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q257JVEIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 3ms
24CS512-E/SM Microchip Technology 24CS512-E/SM 1.4800
RFQ
 ECAD 3585 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） 24CS512 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-SOIJ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 150-24CS512-E/SM ear99 8542.32.0051 90 3.4 MHz 不揮発性 512kbit 400 ns Eeprom 64k x 8 i²c 5ms
S29GL01GS11DHSS20 Infineon Technologies S29GL01GS11DHSS20 12.4950
RFQ
 ECAD 4206 0.00000000 Infineon Technologies gl-s トレイ アクティブ 0°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL01 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,600 不揮発性 1gbit 110 ns フラッシュ 64m x 16 平行 60ns
MT29F4G08ABADAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4：d -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
NM24C02MT8 Fairchild Semiconductor NM24C02MT8 0.3700
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） NM24C02 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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