画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Cy71347A-133ACT | - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 750 | ||||||||||||||||||||
![]() | 7025S35PFGI8 | - | ![]() | 1293 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 800-7025S35PFGI8 | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S29GL032N90FFIS13 | - | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-n | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,600 | 不揮発性 | 32mbit | 90 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | IS46TR16512B-125KBLA1 | 21.9519 | ![]() | 1732 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46TR16512B-125KBLA1 | 136 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 16 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | Cy7C1318Bv18-250bzc | 35.1300 | ![]() | 572 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1318 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | CY7C1418JV18-300BZXC | 58.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1418 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | IS25LQ025B-JBLE-TR | - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LQ025 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラッシュ | 32k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | IS61NVF102418-7.5B3I | - | ![]() | 6844 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NVF102418 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 18.3750 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 149-VFBGA | フラッシュnand( slc )、 dram -lpddr4 | 1.06V〜1.17V | 149-VFBGA (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-53AIT.112 | 1 | 不揮発性、揮発性 | 8gbit | 25 ns | フラッシュ、ラム | 1g x 8 | onfi | 30ns | |||||||||
![]() | 70121S45JG | - | ![]() | 7426 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | - | 800-70121S45JG | 1 | 揮発性 | 18kbit | 45 ns | sram | 2k x 9 | 平行 | 45ns | |||||||||
![]() | w25q64fwzeig | - | ![]() | 4111 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FWZEIG | 廃止 | 8542.32.0071 | 63 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
![]() | 7026L12JI8 | - | ![]() | 1542 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-LCC | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | - | 800-7026L12JI8TR | 1 | 揮発性 | 256kbit | 12 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 12ns | |||||||||
![]() | CyDMX064A16-90BVXI | 6.9400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-VFBGA | cydmx | sram- デュアルポート、 mobl | 1.8V〜3.3V | 100-VFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0041 | 44 | 揮発性 | 64kbit | 90 ns | sram | 4k x 16 | 平行 | 90ns | 確認されていません | |||||
![]() | snpyxc0vc/16g-c | 150.0000 | ![]() | 5910 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNPYXC0VC/16G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | mtfc32gapalbh-aat es tr | - | ![]() | 6376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 153-TFBGA | mtfc32g | フラッシュ -ナンド | - | 153-TFBGA (11.5x13 | - | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | MMC | - | |||||||
![]() | IDT70V7319S166DD | - | ![]() | 6687 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-LQFP露出パッド | IDT70V7319 | sram- デュアルポート、同期 | 3.15V〜3.45V | 144-TQFP (20x20) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 70V7319S166DD | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.6 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - | ||
![]() | 647873-B21-C | 36.2500 | ![]() | 4729 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647873-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | nds38pt5-20et tr | 2.4786 | ![]() | 9428 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDS38PT5-20ETTR | 1,000 | ||||||||||||||||||||
![]() | MT53D2G32D8QD-053 WT ES:e | - | ![]() | 5666 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,360 | 1.866 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | |||||||||
![]() | 47C04T-E/SN | 0.8400 | ![]() | 3536 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 47C04 | eeprom、sram | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 400 ns | イーラム | 512 x 8 | i²c | 1ms | ||||
![]() | S34ML01G200TFB003 | - | ![]() | 4236 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | S34ML01 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34ML01G200TFB003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4:c | 78.1500 | ![]() | 4679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4:c | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | FM24C128LN | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | FM24C128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 128kbit | 3.5 µs | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 6ms | |||
![]() | Cy62157G18-55BVXI | 13.1075 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62157 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | T0H92AA-C | 41.0000 | ![]() | 9618 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-T0H92AA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7134SA55J | - | ![]() | 3726 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7134SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 32kbit | 55 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 71321SA55PFI | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | 71321SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 92 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | |||||
IS43DR16128C-3DBLI | 11.9772 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1569 | ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 24AA04SC-I/S16K | - | ![]() | 1149 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 24AA04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT25TL512BAA1ESF-0AAT | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MT25TL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms |
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