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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
IS61NVF25672-6.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1I -
RFQ
 ECAD 3918 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 209-BGA IS61NVF25672 sram- sdr 2.375V〜2.625V 209-LFBGA（14x22） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 256k x 72 平行 -
W25X10CLZPIG TR Winbond Electronics w25x10clzpig tr -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25x10 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 800µs
S25FS512SFABHV213 Infineon Technologies S25FS512SFABHV213 10.5875
RFQ
 ECAD 7895 0.00000000 Infineon Technologies FS-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-bga （8x6） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 102 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi 2ms
S29GL256P10TFI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL256P10TFI010 6.4700
RFQ
 ECAD 1872年 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp GL-P トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL256P10TFI010 91 不揮発性 256mbit 100 ns フラッシュ 32m x 8 平行 100ns 確認されていません
7130SA17TFI8 Renesas Electronics America Inc 7130SA17TFI8 -
RFQ
 ECAD 7688 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-LQFP sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 64-TQFP （10x10） - 800-7130SA17TFI8TR 1 揮発性 8kbit 17 ns sram 1k x 8 平行 17ns
CAT25C08Y-TE13 Catalyst Semiconductor Inc. CAT25C08Y-TE13 -
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 ECAD 5287 0.00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT25C08 Eeprom 2.5V〜6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 2,000 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
AS7C256B-15JIN Alliance Memory, Inc. AS7C256B-15JIN -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Alliance Memory - チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） AS7C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
AS4C4M16SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-6bin 3.5400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1257 ear99 8542.32.0002 348 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
MT58L256L18F1T-8.5ITTR Micron Technology Inc. MT58L256L18F1T-8.5ITTR 4.9900
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 ECAD 15 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst™ バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram-標準 3.135V〜3.6V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 100 MHz 揮発性 4mbit 8.5 ns sram 256k x 18 平行 -
S25FS512SDSMFB013 Infineon Technologies S25FS512SDSMFB013 10.5875
RFQ
 ECAD 3411 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、FS-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FS512 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 80 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
5962-9161708MYA Renesas Electronics America Inc 5962-9161708mya -
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -55°C〜125°C 表面マウント 84フラットパック 5962-9161708 sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 84-FPACK ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 800-5962-9161708Mya 6 揮発性 128kbit 35 ns sram 8k x 16 平行 35ns
MTFC32GAPALBH-AAT ES TR Micron Technology Inc. mtfc32gapalbh-aat es tr -
RFQ
 ECAD 6376 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 153-TFBGA mtfc32g フラッシュ -ナンド - 153-TFBGA （11.5x13 - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
47C04T-E/SN Microchip Technology 47C04T-E/SN 0.8400
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 ECAD 3536 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 47C04 eeprom、sram 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 1 MHz 不揮発性 4kbit 400 ns イーラム 512 x 8 i²c 1ms
7134SA55J Renesas Electronics America Inc 7134SA55J -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7134SA sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 32kbit 55 ns sram 4k x 8 平行 55ns
IS46LD32128C-25BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-25BPLA2 -
RFQ
 ECAD 5780 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128C-25BPLA2 ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
93LC56C-I/WF15K Microchip Technology 93LC56C-I/WF15K -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 死ぬ 93LC56 Eeprom 2.5V〜5.5V 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 3 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8、128 x 16 マイクロワイヤ 6ms
W25N01GVSFIT Winbond Electronics W25N01GVSFIT 2.7741
RFQ
 ECAD 9842 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N01 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01GVSFIT 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
MTFC32GAPALHT-AAT Micron Technology Inc. mtfc32gapalht-aat -
RFQ
 ECAD 5316 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク 前回購入します -40°C〜105°C（Ta） mtfc32g フラッシュ -ナンド - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 557-MTFC32GAPALHT-AAT 8542.32.0071 980 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 MMC -
IDT70V7319S166DD Renesas Electronics America Inc IDT70V7319S166DD -
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 144-LQFP露出パッド IDT70V7319 sram- デュアルポート、同期 3.15V〜3.45V 144-TQFP （20x20） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 70V7319S166DD 3A991B2A 8542.32.0041 6 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.6 ns sram 256k x 18 平行 -
AS7C256A-20JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C256A-20JCNTR 2.2706
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） AS7C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 20 ns sram 32k x 8 平行 20ns
S99ML01G10040 SkyHigh Memory Limited S99ML01G10040 -
RFQ
 ECAD 2866 0.00000000 Skyhigh Memory Limited - バルク sicで中止されました S99ML01 - 未定義のベンダー 2120-S99ML01G10040 0000.00.0000 1,000 確認されていません
TH58NYG2S3HBAI6 Kioxia America, Inc. TH58NG2S3HBAI6 6.3600
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 Kioxia America - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-BGA Th58ng2 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-BGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 25ns
R1LV3216RSD-5SI#S0 Renesas Electronics America Inc R1LV3216RSD-5SI ＃S0 -
RFQ
 ECAD 1792 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 52-TFSOP （0.350 "、幅8.89mm） R1LV3216 sram 2.7V〜3.6V 52-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 32mbit 55 ns sram 4m x 8、2m x 16 平行 55ns
CY7C1399-15VC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1399-15VC 1.3800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） Cy7C1399 sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8542.32.0041 1 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
CY62157G30-45BVXI Infineon Technologies Cy62157G30-45BVXI 11.7000
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 Infineon Technologies mobl® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62157 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns
NDS38PT5-20ET TR Insignis Technology Corporation nds38pt5-20et tr 2.4786
RFQ
 ECAD 9428 0.00000000 Insignis Technology Corporation * テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS3準拠 3 （168 時間） 1982-NDS38PT5-20ETTR 1,000
MT46H32M16LFBF-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-5 IT：C Tr 5.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-VFBGA MT46H32M16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS25LQ025B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） IS25LQ025 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 256kbit フラッシュ 32k x 8 spi -quad i/o 800µs
T0H92AA-C ProLabs T0H92AA-C 41.0000
RFQ
 ECAD 9618 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-T0H92AA-C ear99 8473.30.5100 1
IS43DR16128C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-3DBLI 11.9772
RFQ
 ECAD 2240 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-1569 ear99 8542.32.0036 209 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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