画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F4T08GMLCEJ4:c | 78.1500 | ![]() | 4679 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT29F4T08GMLCEJ4:c | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | FM24C128LN | 0.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | FM24C128 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 128kbit | 3.5 µs | Eeprom | 16k x 8 | i²c | 6ms | |||
![]() | Cy62157G18-55BVXI | 13.1075 | ![]() | 1410 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62157 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | T0H92AA-C | 41.0000 | ![]() | 9618 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-T0H92AA-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 7134SA55J | - | ![]() | 3726 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7134SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 32kbit | 55 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | 71321SA55PFI | - | ![]() | 7658 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | 71321SA | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 92 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | |||||
IS43DR16128C-3DBLI | 11.9772 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1569 | ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 24AA04SC-I/S16K | - | ![]() | 1149 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 24AA04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||
![]() | MT25TL512BAA1ESF-0AAT | - | ![]() | 9864 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MT25TL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-sop2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 8ms、2.8ms | |||||
S29PL064J70BFW072 | 5.8150 | ![]() | 2527 | 0.00000000 | Infineon Technologies | pl-j | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-VFBGA | S29PL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 800 | 不揮発性 | 64mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 16 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | 7018S12PF | - | ![]() | 2647 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | - | 800-7018S12PF | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | ![]() | 3933 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | SNPVT8FPC/4G-C | 19.7500 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNPVT8FPC/4G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | mt53d6dabe-dc | - | ![]() | 2172 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,360 | |||||||||||||||||||||
MT46H32M16LFBF-5 IT:C Tr | 5.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H32M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | K6F4008U2D-FF70 | 2.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Samsung Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-FBGA | - | 3277-K6F4008U2D-FF70TR | ear99 | 8542.32.0041 | 100 | 揮発性 | 4mbit | sram | 512k x 8 | 平行 | 70ns | 確認されていません | ||||||||
![]() | 93C86C/W15K | - | ![]() | 5429 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | 93C86 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 3 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | マイクロワイヤ | 2ms | ||||
![]() | AS7C256A-20JCNTR | 2.2706 | ![]() | 8595 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 28-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | AS7C256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 256kbit | 20 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | S29GL512T11DHV023 | 10.1850 | ![]() | 8999 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,200 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 64m x 8 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | S34MS04G100TFI000 | - | ![]() | 2170 | 0.00000000 | Skyhigh Memory Limited | - | トレイ | sicで中止されました | S34MS04 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 2120-S34MS04G100TFI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 確認されていません | ||||||||||||||||
![]() | CG8426AAT | - | ![]() | 4995 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | EM04APGCL-AC000-2 | - | ![]() | 6519 | 0.00000000 | Delkin Devices、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | em04apg | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA (11.5x13 | - | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 3247-EM04APGCL-AC000-2 | 廃止 | 1,520 | 200 MHz | 不揮発性 | 32gbit | フラッシュ | 4g x 8 | EMMC | - | |||||
![]() | 70V05L25J | - | ![]() | 7209 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 68-lcc | 70V05L | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 68-PLCC(24.21x24.21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 18 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | 71v67703S75bg | 26.1188 | ![]() | 9916 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | 71v67703 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 647650-171-C | 62.5000 | ![]() | 6393 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-647650-171-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
R1LV3216RSA-7SR #S0 | - | ![]() | 9899 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | R1LV3216 | sram | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 32mbit | 70 ns | sram | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||||
![]() | w25q32jvtbiq tr | 0.9450 | ![]() | 1730 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | MT29F64G08CBCBBH1-10:B TR | - | ![]() | 1687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-VBGA | MT29F64G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 100-VBGA(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | MP2666RB/8G-C | 135.0000 | ![]() | 4971 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MP2666RB/8G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 48L256-I/SN | - | ![]() | 2449 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 48L256 | eeprom、sram | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 150-48L256-I/SN | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 66 MHz | 不揮発性 | 256kbit | イーラム | 32k x 8 | spi | - |
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