画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | A2537142-C | 106.2500 | ![]() | 6435 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A2537142-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CG6751AT | - | ![]() | 2947 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | DS28E02P+ | - | ![]() | 4026 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | -20°C〜85°C(Ta) | 表面マウント | 6-smd、Jリード | Eeprom | 1.75v〜3.65V | 6-TSOC | - | ear99 | 8542.32.0051 | 120 | 不揮発性 | 1kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1-Wire® | 25ms | ||||||||
![]() | UPD44324362BF5-E40-FQ1 | 57.0300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Upd44324362 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | 4ns | ||||||
![]() | X28HC64SI-90 | 7.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | インターシル | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 90 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 5ms | |||||
![]() | R1LV0216BSB-5SI#S1 | 3.0700 | ![]() | 4782 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | R1LV0216 | sram | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 55 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | S29GL128N11FFI020 | 4.0000 | ![]() | 87 | 0.00000000 | スパンション | gl-n | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 110ns | ||||||
![]() | w957a8mfya5i tr | 2.7171 | ![]() | 8567 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 24-tbga | ハイパーラム | 3V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W957A8MFYA5ITR | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 128mbit | 36 ns | ドラム | 16m x 8 | ハイパーバス | 35ns | ||||||
![]() | Cy7C1041BNV33L-12VXC | 9.2400 | ![]() | 281 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1041 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 33 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 12ns | 確認されていません | |||||
24FC04T-E/Q6B36KVAO | - | ![]() | 9588 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 8-ufdfn露出パッド | 24FC04 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-24FC04T-E/Q6B36KVAOTR | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 450 ns | Eeprom | 256 x 8 x 2 | i²c | 5ms | |||||
![]() | P12P9888 | - | ![]() | 6878 | 0.00000000 | IBM | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 1 | ||||||||||||||||||||
CAT25040VI | 0.2500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT25040 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT25040VI-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 10 MHz | 不揮発性 | 4kbit | 40 ns | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | 7015L12PFI | - | ![]() | 1180 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-lqfp | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | - | 800-7015L12PFI | 1 | 揮発性 | 72kbit | 12 ns | sram | 8k x 9 | 平行 | 12ns | |||||||||
![]() | MT60B1G16HC-52B IT:g | 18.2400 | ![]() | 7376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT60B1G16HC-52ビット:g | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | GD25F128FB2RY | 2.2364 | ![]() | 9481 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25F128FB2RY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||
![]() | AT28HC256-90JU-600 | - | ![]() | 1532 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-lcc | AT28HC256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC( 13.97x11.43 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 256kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 10ms | ||||
![]() | CF-WMBA902G-C | 17.5000 | ![]() | 4261 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-CF-WMBA902G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | UPD44324182BF5-E40-FQ1 | 57.0300 | ![]() | 240 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | w97bh2mbva2e tr | 5.6100 | ![]() | 2309 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97BH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH2MBVA2ETR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||
![]() | Cy27C010-55ZC | 2.5700 | ![]() | 249 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | Cy27C010 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | 32-tsop i | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 55 ns | eprom | 128k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FL127SABBHVD03 | - | ![]() | 1847 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | S25FL127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-bga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 108 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | IDT71V424S15PHI | - | ![]() | 9575 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71v424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v424S15phi | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | 7132LA35J8 | - | ![]() | 6398 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 7132la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 400 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | TMS27C291-35JL | 8.1400 | ![]() | 28 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 24-dip (0.600 "、15.24mm )ウィンドウ | TMS27C291 | EPROM -UV | 4.5v〜5.5V | 24ディップ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 3542.32.0061 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 35 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C0852V-133AC | 92.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 176-LQFP | Cy7C0852 | sram- デュアルポート、同期 | 3.135V〜3.465V | 176-TQFP (24x24) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | S29AL008J70TFA010 | 1.9042 | ![]() | 9992 | 0.00000000 | Infineon Technologies | al-j | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ -ブートブロック | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ear99 | 8542.32.0071 | 960 | 不揮発性 | 8mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 16、1m x 8 | CFI | 70ns | ||||||||
![]() | NSEC53T016-IT | 18.0000 | ![]() | 6510 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand (TLC) | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA (11.5x13 | - | 1982-NSEC53T016-IT | 1,520 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
![]() | DS1245Y-FIR | - | ![]() | 5908 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 32-dipモジュール(0.600 "、15.24mm) | nvsram (不揮発性 sram) | 4.5v〜5.5V | 32-EDIP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | nvsram | 128k x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | CY7C1565KV18-400BZXC | - | ![]() | 1736 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1565 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | CG8637AA | - | ![]() | 8791 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 1 |
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