画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 70V34L25PF | - | ![]() | 3521 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V34 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 3 | 揮発性 | 72kbit | 25 ns | sram | 4k x 18 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | P770018CF8C001 | - | ![]() | 6714 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | - | 影響を受けていない | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 24LC02BH-E/MS | 0.4350 | ![]() | 3224 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | 24LC02BH | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-msop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | IS61LF102418A-6.5B3I-TR | - | ![]() | 6418 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL128LAGMFB013 | - | ![]() | 5452 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL128LAGMFB013 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IDT71v424ys12ph8 | - | ![]() | 2233 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71v424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v424ys12ph8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | w25q64fwssig | - | ![]() | 9728 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 5ms | ||||
![]() | STK14CA8-NF35ITR | - | ![]() | 3786 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | STK14CA8 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 32-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 1mbit | 35 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 35ns | ||||
![]() | AS6C1008-55PINTR | 3.0208 | ![]() | 9990 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | sram-非同期 | 2.7V〜5.5V | 32-PDIP | ダウンロード | 1 (無制限) | 1450-AS6C1008-55PINTR | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | ||||||||
![]() | w97bh6mbva1i | 6.3973 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97bh6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH6MBVA1I | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |||
![]() | 809083-091-C | 120.0000 | ![]() | 7866 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-809083-091-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR | - | ![]() | 2895 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 366-WFBGA | MT53B512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||
![]() | 71V416L15Y | - | ![]() | 2608 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | 71V416L | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IDT70824L20PF | - | ![]() | 6056 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 80-lqfp | IDT70824 | サラム | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 70824L20PF | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 64kbit | 20 ns | ラム | 4k x 16 | 平行 | 20ns | |||
![]() | 11LC040T-I/TT | 0.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | TO-236-3 | 11LC040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | 単一ワイヤ | 5ms | ||||
![]() | sesy2c3z-c | 37.5000 | ![]() | 2136 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SESY2C3Z-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY15B108QN-50BKXIT | 29.2866 | ![]() | 3709 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon™-LP 、F-Ram™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 8 ns | フラム | 1m x 8 | spi | - | ||||||
![]() | MX25R4035FBDIL0 | 0.3957 | ![]() | 9003 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufbga wlcsp | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8-wlcsp | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25R4035FBDIL0TR | 6,000 | 108 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 4、2m x 2、4m x 1 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms | |||||||
![]() | IDT71V3577SA75BQI8 | - | ![]() | 8969 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IDT71V3577 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA(13x15) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V3577SA75BQI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 4.5mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1372D-167AXI | - | ![]() | 7592 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1372 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.4 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | GD9FU1G8F2DMGI | 2.3296 | ![]() | 1747 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FU1G8F2DMGI | 960 | 不揮発性 | 1gbit | 9 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 12ns 、600µs | |||||||||
![]() | AS7C31026B-20TIN | 4.5800 | ![]() | 135 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-AS7C31026B-20TIN | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 20 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 20ns | ||||
![]() | AS4C2M32SA-7TCNTR | 2.9779 | ![]() | 6676 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | AS4C2M32 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | 2ns | |||
MT53E768M64D4HJ-046 AIT:C TR | 58.2150 | ![]() | 4412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 556-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 556-WFBGA(12.4x12.4 | - | ROHS3準拠 | 557-MT53E768M64D4HJ-046AIT:CTR | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 48gbit | 3.5 ns | ドラム | 768m x 64 | 平行 | 18ns | ||||||||
![]() | MEM-DR464L-SL01-ER32-C | 770.0000 | ![]() | 5421 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-MEM-DR464L-SL01-ER32-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1354C-166666666666666666666666666666666666666666666666666666666 | 10.8800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | Cy7C1354 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 28 | 166 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | S25FL164K0XMFA011 | - | ![]() | 1900 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL164K0XMFA011 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 5962-8670302FA | 32.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 高度なマイクロデバイス | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 16-cflatpack | 5962-8670302 | - | 4.5v〜5.5V | 16-cflatpack | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 256ビット | 35 ns | プロム | 32 x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | S70KL0BGT00FHCR00 | - | ![]() | 8710 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL128S10TFB023 | 4.8311 | ![]() | 1206 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1,000 | 不揮発性 | 128mbit | 100 ns | フラッシュ | 16m x 8 | CFI | 60ns |
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