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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S16100E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 3511 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S16100 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 揮発性 16mbit 5.5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
BR25H320NUX-5ACTR Rohm Semiconductor BR25H320NUX-5ACTR 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド Eeprom 1.7V〜5.5V VSON008X2030 ダウンロード 1 （無制限） 4,000 20 MHz 不揮発性 32kbit Eeprom 4k x 8 spi 3.5ms
7132LA100J Renesas Electronics America Inc 7132LA100J -
RFQ
 ECAD 8595 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 52-lcc 7132la sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 52-plcc （19.13x19.13 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 24 揮発性 16kbit 100 ns sram 2k x 8 平行 100ns
CY15B104QN-20LPXI Infineon Technologies CY15B104QN-20LPXI 21.0175
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Infineon Technologies Excelon™-LP 、F-Ram™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-UQFN Cy15B104 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8-gqfn （3.23x3.28） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 20 MHz 不揮発性 4mbit フラム 512k x 8 spi -
CY7C1568V18-375BZXC Infineon Technologies Cy7C1568V18-375BZXC -
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1568 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 375 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
BR24C02-RDW6TP Rohm Semiconductor BR24C02-RDW6TP -
RFQ
 ECAD 9045 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR24C02 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 100 kHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 i²c 10ms
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT：TR -
RFQ
 ECAD 1470 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） - - MT53B384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 384m x 64 - -
S29GL256S11TFV023 Infineon Technologies S29GL256S11TFV023 7.5950
RFQ
 ECAD 2992 0.00000000 Infineon Technologies gl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
S25FS064SAGBHM023 Infineon Technologies S25FS064SAGBHM023 3.5700
RFQ
 ECAD 4784 0.00000000 Infineon Technologies FS-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 24-bga （8x6） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 2ms
IDT71V65602S100BG8 Renesas Electronics America Inc IDT71V65602S100BG8 -
RFQ
 ECAD 3962 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 119-BGA IDT71v65602 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71v65602S100bg8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 100 MHz 揮発性 9mbit 5 ns sram 256k x 36 平行 -
S25FS064SDSNFV033 Infineon Technologies S25FS064SDSNFV033 2.6075
RFQ
 ECAD 8846 0.00000000 Infineon Technologies FS-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wlga S25FS064 フラッシュ - 1.7V〜2V 8-lga （5x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
71024S20TYG Renesas Electronics America Inc 71024S20TYG 3.8500
RFQ
 ECAD 8102 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） 71024S sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 23 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E1G32D4NQ-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53E1G32 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 32gbit ドラム 1g x 32 - -
MT29F1T08CUCCBH8-6ITR:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCCBH8-6ITR：C TR -
RFQ
 ECAD 8418 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 152-lbga MT29F1T08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 152-lbga - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT29F1T08CUCCBH8-6ITR：CTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 平行 -
SM671PECLBFSS Silicon Motion, Inc. SM671PECLBFSS 29.5300
RFQ
 ECAD 5991 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM671PECLBFSS 1
NLQ26PFS-8NAT Insignis Technology Corporation NLQ26PFS-8NAT 8.8663
RFQ
 ECAD 7230 0.00000000 Insignis Technology Corporation aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1982-NLQ26PFS-8NAT 136 1.2 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
MSR622AJE288-12 MoSys, Inc. MSR622AJE288-12 -
RFQ
 ECAD 5004 0.00000000 mosys 、Inc。 - トレイ 前回購入します - 表面マウント 288-bga fcbga sram、rldram - 288-FCBGA （19x19） - 2331-MSR622AJE288-12 1 揮発性 576mbit 3.2 ns ラム 8m x 72 平行 -
7016S15J Renesas Electronics America Inc 7016S15J -
RFQ
 ECAD 3632 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 68-lcc 7016S15 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 68-PLCC（24.21x24.21 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 18 揮発性 144kbit 15 ns sram 16k x 9 平行 15ns
IS42RM16200D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16200D-6BLI-TR 2.3493
RFQ
 ECAD 1292 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42RM16200 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 32mbit 6 ns ドラム 2m x 16 平行 -
24LC02B/ST Microchip Technology 24LC02B/ST 0.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 24LC02 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 24LC02B/ST-NDR ear99 8542.32.0051 100 400 kHz 不揮発性 2kbit 900 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
CY14V101LA-BA45XIT Infineon Technologies cy14v101la-ba45xit 24.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy14V101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,000 不揮発性 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 平行 45ns
SST39LF040-45-4C-WHE-T Microchip Technology sst39lf040-45-4c-whe-t -
RFQ
 ECAD 6212 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） SST39LF040 フラッシュ 3V〜3.6V 32-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 4mbit 45 ns フラッシュ 512k x 8 平行 20µs
IS62WV102416ALL-35MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35MLI 22.4621
RFQ
 ECAD 6512 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV102416 sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 210 揮発性 16mbit 35 ns sram 1m x 16 平行 35ns
IS46LQ16256AL-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA2 15.4924
RFQ
 ECAD 7398 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-VFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-VFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 256m x 16 LVSTL 18ns
STK14C88-5L35M Infineon Technologies STK14C88-5L35M -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜125°C 表面マウント 32-lcc STK14C88 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 68 不揮発性 256kbit 35 ns nvsram 32k x 8 平行 35ns
71V65903S85PFG8 Renesas Electronics America Inc 71V65903S85PFG8 16.6165
RFQ
 ECAD 5821 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71v65903 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 9mbit 8.5 ns sram 512K x 18 平行 -
23A1024-E/ST Microchip Technology 23A1024-E/ST 2.8050
RFQ
 ECAD 4181 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） 23A1024 sram 1.7V〜2.2V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 100 16 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi -quad i/o -
IDT7164L25YI Renesas Electronics America Inc IDT7164L25YI -
RFQ
 ECAD 8790 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） IDT7164 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 7164L25yi ear99 8542.32.0041 27 揮発性 64kbit 25 ns sram 8k x 8 平行 25ns
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT：C TR -
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
CAT93C66Y-TE13 onsemi CAT93C66Y-TE13 0.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） CAT93C66 Eeprom 2.5V〜6V 8-tssop - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-CAT93C66Y-TE13-488 ear99 8542.32.0071 1 2 MHz 不揮発性 4kbit 500 ns Eeprom 256 x 16、512 x 8 マイクロワイヤ -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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