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メモリ（69470）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1565KV18-400BZXC | - |  | 1736 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1565 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||||
 | R1EX24002ATAS0A s0 | 0.5600 | | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | R1EX24002 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 900 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||||
 | 5962F1120102QXA | - | | 6165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | -55°C〜125°C | 穴を通して | 165-BFCPGA | 5962F1120102 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-CCGA （21x25） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | ||||
| NSEC53T016-IT | 18.0000 | | 6510 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NSEC | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-FBGA （11.5x13 | - | 1982-NSEC53T016-IT | 1,520 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||
 | Cy7C1415AV18-200BZC | 44.8600 | | 141 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1415 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA （15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
| CAT24WC32L | 0.0500 | | 33 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | CAT24WC32 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-CAT24WC32L-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 1 µs | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 10ms | |||
| MT62F3G32D8DV-023 AIT：B TR | 86.2050 | | 2719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AIT：BTR | 2,000 | ||||||||||||||||||||||
 | 71V3556SA166BQ8 | 10.3373 | | 2707 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | 71V3556 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 165-CABGA（13x15） | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
| S99GL128P0110 | - | | 9472 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | トレイ | 廃止 | - | S99GL128 | フラッシュ - | - | - | ROHS非準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | - | ||||||||
 | IS62WVS0648FBLL-20NLI-TR | 2.0460 | | 6274 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS62WVS0648 | sram- sdr | 2.2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 3,000 | 20 MHz | 揮発性 | 512kbit | sram | 64k x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
 | UPD44324182BF5-E40-FQ1 | 57.0300 | | 240 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 未定義のベンダー | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| CG7803AA | 26.7300 | | 386 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | - | 適用できない | 12 | 確認されていません | |||||||||||||||||||||
| IS46LQ16256A-062TBLA2 | 15.4924 | | 9664 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-VFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA （10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ16256A-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | - | |||||||
 | Cy7C2170KV18-400BZC | 39.8200 | | 8 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2170 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 8 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
| GD25F128FB2RY | 2.2364 | | 9481 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25F128FB2RY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||
 | W25N512GWFIG | - | | 5678 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | W25N512 | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25N512GWFIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
| MT53E1G64D4SQ-046AAT：A TR | - | | 7665 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | MT53E1G64 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | MT53E1G64D4SQ-046AAT：ATR | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 1g x 64 | - | - | |||||||
| GD5F4GQ6UEYIGY | 6.6500 | | 4052 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F4GQ6UEYIGY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 9 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | ||||||||
| w25q128fvbag | - | | 9748 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | 24-tfbga | - | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVBAG | 廃止 | 1 | |||||||||||||||
 | CY14B108M-ZSP25XIT | 63.1925 | | 1021 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | Cy14B108 | nvsram （不揮発性 sram） | 2.7V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 8mbit | 25 ns | nvsram | 512K x 16 | 平行 | 25ns | ||||
| 593339-B21-C | 37.5000 | | 1351 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-593339-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | AT49BV002N-12VC | - | | 1658 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C | 表面マウント | 32-TFSOP （0.488 "、幅 12.40mm） | AT49BV002 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | AT49BV002N12VC | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | フラッシュ | 256k x 8 | 平行 | 50µs | |||
 | 71v424S12ph | - | | 9045 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | 71V424 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 12 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
 | IDT71V3556S133PFI | - | | 1726 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71V3556 | sram- sdr（zbt） | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP（14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 71V3556S133PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 4.2 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
| mt53d4ddsb-dc | - | | 1852年 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | バルク | アクティブ | mt53d4 | - | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1,190 | ||||||||||||||||||||
| CG8532AA | - | | 6219 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | 廃止 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 2015-CG8532Aainactive | 廃止 | 0000.00.0000 | 125 | |||||||||||||||||
 | AT28C64B-15TU | - | | 3290 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 28-TSSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | AT28C64 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | AT28C64B15TU | ear99 | 8542.32.0051 | 234 | 不揮発性 | 64kbit | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | 平行 | 10ms | |||
 | A6994476-C | 187.5000 | | 9009 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A6994476-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS42S16320F-6BLI-TR | 11.8500 | | 5366 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TW-BGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | |||
| 7164S25TPGI | - | | 3552 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | -40°C〜85°C（タタ | 穴を通して | 28-dip （0.300 "、7.62mm） | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | - | 800-7164S25TPGI | 1 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | sram | 8k x 8 | 平行 | 25ns |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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