画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CAT28LV65J-25 | 1.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | CAT28LV65 | Eeprom | 3V〜3.6V | 28-SOIC | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-CAT28LV65J-25-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64kbit | 250 ns | Eeprom | 8k x 8 | 5ms | |||||
![]() | 24LC014H-E/SN | 0.4350 | ![]() | 5589 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC014H | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 400 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | w25n04kvtbir tr | 5.9394 | ![]() | 1673 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 24-tbga | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVTBIRTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | |||
![]() | S25FS064SAGMFI011 | - | ![]() | 8496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FS064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 455 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | SST25WF020A-40I/W18G | - | ![]() | 6110 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST25 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 死ぬ | SST25WF020 | フラッシュ | 1.65V〜1.95V | ウェーハ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 40 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 3.5ms | |||||
![]() | Cy7C1318CV18-250BZXC | - | ![]() | 6867 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1318 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | S29GL512S10GHI020 | - | ![]() | 7335 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29GL512S10GHI020 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT29F512G08CUCDBJ6-6R:d | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 132-lbga | MT29F512G08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 132-lbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 166 MHz | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | CAT93C46YI-TE13 | 0.1900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | CAT93C46 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT93C46YI-TE13-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 250 ns | Eeprom | 64 x 16、128 x 8 | マイクロワイヤ | - | |||
![]() | snpryk18c/8g-c | 44.5000 | ![]() | 4061 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNPRYK18C/8G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S99KL512SC0BHV000 | - | ![]() | 3878 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -30°C〜85°C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 64gbit | ドラム | 2g x 32 | - | - | |||||
![]() | 70V06L12PF8 | - | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 64-LQFP | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-70V06L12PF8TR | 1 | 揮発性 | 128kbit | 12 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 12ns | |||||||||
![]() | Cy62157G30-45ZSXAT | 19.4600 | ![]() | 9896 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0071 | 1,000 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | ||||||
![]() | IS43R16160D-5TL | 4.7138 | ![]() | 3797 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | C-160D3SL/16GKIT | 48.7500 | ![]() | 5210 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-160D3SL/16GKIT | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CAT25C128P | - | ![]() | 6937 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | CAT25C128 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 5 MHz | 不揮発性 | 128kbit | Eeprom | 16k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | W632GU8AB-15 | - | ![]() | 2742 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | - | - | W632GU8 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
MT47H64M16HR-3:h | - | ![]() | 8949 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-FBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
M93C86-WDW6TP | 0.4300 | ![]() | 7128 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | M93C86 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 2 MHz | 不揮発性 | 16kbit | Eeprom | 2k x 8、1k x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||||
![]() | 24LC014T-E/SN | 0.4350 | ![]() | 2389 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC014 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | S29GL512S12DHE010 | 91.3500 | ![]() | 720 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 64-lbga | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2832-S29GL512S12DHE010 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 6 | 不揮発性 | 512mbit | 120 ns | フラッシュ | 64m x 8 | CFI | 60ns | |||
![]() | cy621572e18ll-55bvxit | - | ![]() | 3594 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy621572 | sram-非同期 | 1.65V〜2.25V | 48-VFBGA (6x8) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 8mbit | 55 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | Cy14B104LA-ZS25XI | - | ![]() | 9155 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy14B104 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 135 | 不揮発性 | 4mbit | 25 ns | nvsram | 512k x 8 | 平行 | 25ns | 確認されていません | |||||||
![]() | MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:a | 252.4600 | ![]() | 247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | MT29F256G08 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 100-lbga(12x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,120 | 100 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | DS1258W-100IND# | - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | 箱 | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 40-dip モジュール(0.610 "、15.495mm) | DS1258W | nvsram (不揮発性 sram) | 3V〜3.6V | 40-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 不揮発性 | 2mbit | 100 ns | nvsram | 128k x 16 | 平行 | 100ns | ||||
![]() | MT53E256M32D1KS-046 AIT:L TR | 11.6800 | ![]() | 8256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14.5 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E256M32D1KS-046AIT:LTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 23LC1024-I/SN | 2.6600 | ![]() | 26 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 23LC1024 | sram | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | 揮発性 | 1mbit | sram | 128k x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | S29GL256S11TFI023 | - | ![]() | 6625 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 16m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | 70V9079L9PF | - | ![]() | 6592 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9079 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 256kbit | 9 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | - |
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