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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CY621572E18LL-55BVXIT Infineon Technologies cy621572e18ll-55bvxit -
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Infineon Technologies mobl® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy621572 sram-非同期 1.65V〜2.25V 48-VFBGA （6x8） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 8mbit 55 ns sram 512K x 16 平行 55ns
CY14B104LA-ZS25XI Cypress Semiconductor Corp Cy14B104LA-ZS25XI -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy14B104 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 135 不揮発性 4mbit 25 ns nvsram 512k x 8 平行 25ns 確認されていません
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F256G08AUCABH3-10ITZ：a 252.4600
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lbga MT29F256G08 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 100-lbga（12x18） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 100 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
DS1258W-100IND# Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1258W-100IND＃ -
RFQ
 ECAD 9390 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - 箱 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 40-dip モジュール（0.610 "、15.495mm） DS1258W nvsram （不揮発性 sram） 3V〜3.6V 40-EDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 9 不揮発性 2mbit 100 ns nvsram 128k x 16 平行 100ns
MT53E256M32D1KS-046 AIT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AIT：L TR 11.6800
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 200-VFBGA 200-VFBGA （10x14.5 - 影響を受けていない 557-MT53E256M32D1KS-046AIT：LTR 1
23LC1024-I/SN Microchip Technology 23LC1024-I/SN 2.6600
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 23LC1024 sram 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 20 MHz 揮発性 1mbit sram 128k x 8 spi -quad i/o -
S29GL256S11TFI023 Infineon Technologies S29GL256S11TFI023 -
RFQ
 ECAD 6625 0.00000000 Infineon Technologies Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 256mbit 110 ns フラッシュ 16m x 16 平行 60ns
70V9079L9PF Renesas Electronics America Inc 70V9079L9PF -
RFQ
 ECAD 6592 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V9079 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 6 揮発性 256kbit 9 ns sram 32k x 8 平行 -
AS4C128M8D3B-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BCN 6.4200
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
CAT93C66LI-G onsemi cat93c66li-g -
RFQ
 ECAD 6482 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） CAT93C66 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-pdip ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 50 2 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8、256 x 16 マイクロワイヤ -
CG7803AA Infineon Technologies CG7803AA -
RFQ
 ECAD 6670 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 72
M29F800DT70N6F TR Micron Technology Inc. M29F800DT70N6F TR -
RFQ
 ECAD 3464 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 48-tsop - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,500 不揮発性 8mbit 70 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 70ns
MX25U51245GZ4J00 Macronix MX25U51245GZ4J00 6.2250
RFQ
 ECAD 5946 0.00000000 マクロニックス MX25XXX35/36 -MXSMIO™ トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 8-wson （8x6） - 3 （168 時間） 1092-MX25U51245GZ4J00 480 133 MHz 不揮発性 512mbit 5 ns フラッシュ 128m x 4、256m x 2、512m x 1 spi -quad i/o 4ms
SST39LF400A-55-4C-EKE Microchip Technology SST39LF400A-55-4C-EKE 2.8500
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST39 MPF™ トレイ アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） SST39LF400 フラッシュ 3V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない SST39LF400A554CEKE ear99 8542.32.0071 96 不揮発性 4mbit 55 ns フラッシュ 256k x 16 平行 20µs
CAT28C256GI-15T onsemi CAT28C256GI-15T -
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-lcc CAT28C256 Eeprom 4.5v〜5.5V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 500 不揮発性 256kbit 150 ns Eeprom 32k x 8 平行 5ms
S29CD016J0PFAM010 Cypress Semiconductor Corp S29CD016J0PFAM010 5.3000
RFQ
 ECAD 86 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp CD-J バルク アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 80-lbga S29CD016 フラッシュ - 1.65V〜2.75V 80-FBGA （13x11） ダウンロード 57 66 MHz 不揮発性 16mbit 54 ns フラッシュ 512K x 32 平行 60ns 確認されていません
GD25S512MDYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYEGR 6.0164
RFQ
 ECAD 9308 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25S512MDYEGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 60µs、2.5ms
7026L55JI/2703 Renesas Electronics America Inc 7026L55JI/2703 -
RFQ
 ECAD 2899 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-LCC 7026L55 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 84-PLCC （29.31x29.31 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） ear99 8542.32.0041 15 揮発性 256kbit 55 ns sram 16k x 16 平行 55ns
S25HS512TDPNHI013 Infineon Technologies S25HS512TDPNHI013 9.3800
RFQ
 ECAD 9507 0.00000000 Infineon Technologies Semper™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） ダウンロード 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
93LC56AT-I/MS Microchip Technology 93LC56AT-I/MS 0.3900
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP 、8-MSOP （0.118 "、3.00mm 幅） 93LC56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-msop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 93LC56AT-I/MSG-ND ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 256 x 8 マイクロワイヤ 6ms
MT29VZZZAD8GUFSL-046 W.219 TR Micron Technology Inc. mt29vzzzad8gufsl-046 w.219 tr 24.7950
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29VZZZAD8GUFSL-046W.219TR 2,000
SST26WF016BAT-104I/CS Microchip Technology SST26WF016BAT-104I/CS 2.2200
RFQ
 ECAD 3177 0.00000000 マイクロチップテクノロジー SST26SQI® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufbga、cspbga SST26WF016 フラッシュ 1.65V〜1.95V 8-csp ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 1.5ms
S29WS128N0PBFW012 Infineon Technologies S29WS128N0PBFW012 -
RFQ
 ECAD 5213 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
STK12C68-PF25I Infineon Technologies STK12C68-PF25I -
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 28-dip （0.300 "、7.62mm） STK12C68 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 14 不揮発性 64kbit 25 ns nvsram 8k x 8 平行 25ns
M5M5V108DFP-70HIBT Renesas Electronics America Inc M5M5V108DFP-70 -
RFQ
 ECAD 4617 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0041 1
IS43TR81024BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-107MBL 21.5163
RFQ
 ECAD 7325 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR81024BL-107MBL 136 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
BR25G640FVT-3GE2 Rohm Semiconductor BR25G640FVT-3GE2 0.4200
RFQ
 ECAD 1978年年 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） BR25G640 Eeprom 1.6V〜5.5V 8-TSSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,000 20 MHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 spi 5ms
7008S25PF8 Renesas Electronics America Inc 7008S25PF8 -
RFQ
 ECAD 3641 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 7008S25 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 512kbit 25 ns sram 64k x 8 平行 25ns
AT27C516-85JC Microchip Technology AT27C516-85JC -
RFQ
 ECAD 1722 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ 廃止 0°C〜70°C 表面マウント 44-lcc AT27C516 eprom -otp 4.5v〜5.5V 44-PLCC（16.6x16.6 ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない AT27C51685JC ear99 8542.32.0061 27 不揮発性 512kbit 85 ns eprom 32k x 16 平行 -
MT62F512M64D4EK-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F512M64D4EK-031 WT：b 23.3100
RFQ
 ECAD 7515 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 441-TFBGA SDRAM- lpddr5 - 441-TFBGA - 557-MT62F512M64D4EK-031WT：b 1 3.2 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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