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メモリ（69470）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
GS81282Z36GD-250I GSI Technology Inc. GS81282Z36GD-250I 212.4680
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 GSI Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜100°C （TJ 表面マウント 165-lbga GS81282Z36 sram- zbt 2.3V〜2.7V、3V〜3.6V 165-fpbga （15x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2364-GS81282Z36GD-250I 3A991B2B 8542.32.0041 10 250 MHz 揮発性 144mbit sram 4m x 36 平行 -
IS42SM16800G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-75BI-TR -
RFQ
 ECAD 1481 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16800 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 8m x 16 平行 -
FM24C32UFLEM8 Fairchild Semiconductor FM24C32UFLEM8 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） FM24C32 Eeprom 2.7V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 400 kHz 不揮発性 32kbit 900 ns Eeprom 4k x 8 i²c 15ms
M95640-RDW6TP STMicroelectronics M95640-RDW6TP 0.4500
RFQ
 ECAD 4390 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） M95640 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 4,000 20 MHz 不揮発性 64kbit Eeprom 8k x 8 spi 5ms
MTFC4GMDEA-4M IT TR Micron Technology Inc. mtfc4gmdea-4m it tr -
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-WFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-wfbga（11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0036 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
MX30LF2G18AC-XKJ Macronix MX30LF2G18AC-XKJ 3.8060
RFQ
 ECAD 1790 0.00000000 マクロニックス MX30LF トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - 3 （168 時間） 1092-MX30LF2G18AC-XKJ 220 不揮発性 2Gbit 16 ns フラッシュ 256m x 8 onfi 20NS 、600µs
0A65732-C ProLabs 0A65732-C 111.2500
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-0A65732-C ear99 8473.30.5100 1
71V30L55TF Renesas Electronics America Inc 71V30L55TF -
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 ECAD 2906 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 64-LQFP 71V30 sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP （10x10） ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 40 揮発性 8kbit 55 ns sram 1k x 8 平行 55ns
71T75602S166BG Renesas Electronics America Inc 71T75602S166BG 50.3100
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 ECAD 7965 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71T75602 sram- sdr（zbt） 2.375V〜2.625V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 166 MHz 揮発性 18mbit 3.5 ns sram 512K x 36 平行 -
CY62148GN30-45SXIT Infineon Technologies Cy62148Gn30-45Sxit 4.4275
RFQ
 ECAD 4828 0.00000000 Infineon Technologies mobl® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.400 "、幅 10.16mm） Cy62148 sram-非同期 2.2V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 45 ns sram 512k x 8 平行 45ns
CY7C1514KV18-333BZC Infineon Technologies Cy7C1514KV18-333BZC -
RFQ
 ECAD 2547 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1514 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 136 333 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
S25FL064P0XMFA003 Nexperia USA Inc. S25FL064P0XMFA003 -
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 ECAD 6479 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL064P0XMFA003 1
AT26DF081A-MU Microchip Technology AT26DF081A-MU -
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） AT26DF081 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 490 70 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 256バイトx 4096ページ spi 7µs 、5ms
UCS-MR-1X081RU-G-C ProLabs UCS-MR-1X081RU-GC 145.0000
RFQ
 ECAD 1048 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-UCS-MR-1x081RU-GC ear99 8473.30.5100 1
A2537141-C ProLabs A2537141-C 17.5000
RFQ
 ECAD 7864 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-A2537141-C ear99 8473.30.5100 1
UPD431000AGW-70L-E1-A Renesas Electronics America Inc Upd431000AGW-70L-E1-A 7.6800
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991 8542.32.0041 1,000
MT53D384M32D2DS-053 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 XT：C TR -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53D384 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz 揮発性 12gbit ドラム 384m x 32 - -
FM93C56EM8 Fairchild Semiconductor FM93C56EM8 0.4900
RFQ
 ECAD 925 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 93C56 Eeprom 4.5v〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 1 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 10ms
AS4C128M16D3LC-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BINTR 7.0792
RFQ
 ECAD 3763 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BINTR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
S70KL1282DPBHB030 Infineon Technologies S70KL1282DPBHB030 8.9600
RFQ
 ECAD 8596 0.00000000 Infineon Technologies Hyperram™kl トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA S70KL1282 psram（pseudo sram 2.7V〜3.6V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 3,380 166 MHz 揮発性 128mbit 36 ns psram 16m x 8 ハイパーバス 36ns
GD25X512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEF2RR 12.9053
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD25X512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
K6T1008V2E-TF70 Samsung Semiconductor, Inc. K6T1008V2E-TF70 2.0000
RFQ
 ECAD 720 0.00000000 Samsung Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント sram-非同期 3.3V 32-tsop - 3277-K6T1008V2E-TF70 ear99 8542.32.0041 720 揮発性 1mbit sram 128k x 8 平行 70ns 確認されていません
MTFC4GMWDM-3M AIT TR Micron Technology Inc. mtfc4gmwdm-3m ait tr -
RFQ
 ECAD 5901 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 153-TFBGA mtfc4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 153-TFBGA （11.5x13 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 MMC -
AT25010B-MAHL-T Microchip Technology AT25010B-MAHL-T 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT25010 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-udfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 5,000 20 MHz 不揮発性 1kbit Eeprom 128 x 8 spi 5ms
S29AL016J70TAI020 Infineon Technologies S29AL016J70TAI020 -
RFQ
 ECAD 9004 0.00000000 Infineon Technologies al-j バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29AL016 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1 不揮発性 16mbit 70 ns フラッシュ 2m x 8、1m x 16 平行 70ns
MX35UF2G24AD-Z4I Macronix MX35UF2G24AD-Z4I 2.7680
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 マクロニックス MX35UF トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） - 3 （168 時間） 1092-MX35UF2G24AD-Z4I 480 166 MHz 不揮発性 2Gbit 5 ns フラッシュ 512m x 4 spi -
MX68GL1G0GHT2I-10G Macronix MX68GL1G0GHT2I-10G 14.0030
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 マクロニックス mx68gl トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MX68GL1 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 1gbit 100 ns フラッシュ 128m x 8 平行 100ns
MT40A1G8SA-062E AAT:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062EAAT：E TR 10.1250
RFQ
 ECAD 7005 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT40A1G8SA-062EAAT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 8gbit 19 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
71V67603S150BG Renesas Electronics America Inc 71v67603S150bg 26.1188
RFQ
 ECAD 9472 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（タタ 表面マウント 119-BGA 71v67603 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 150 MHz 揮発性 9mbit 3.8 ns sram 256k x 36 平行 -
70V631S12BCI8 Renesas Electronics America Inc 70V631S12BCI8 256.1446
RFQ
 ECAD 9508 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 256-lbga 70V631 sram- デュアルポート、非同期 3.15V〜3.45V 256-CABGA （17x17） ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4.5mbit 12 ns sram 256k x 18 平行 12ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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