画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S32160A-75BLI-TR | - | ![]() | 1635 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-lfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | 01KN325-C | 150.0000 | ![]() | 5026 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-01KN325-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S29GL512S11TFI020 | 9.7100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | 7016S35PFI8 | - | ![]() | 5746 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-lqfp | 7016S35 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 144kbit | 35 ns | sram | 16k x 9 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | gd25lq32ewigy | 0.6760 | ![]() | 2202 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LQ32EWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | ||||||||
![]() | AS4C1G8D3LA-10BINTR | 22.0115 | ![]() | 3997 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.5 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 1450-AS4C1G8D3LA-10BINTR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||||
![]() | M29W320DT-70N6T | 4.0000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | 3277-M29W320DT-70N6TTR | ear99 | 8542.32.0071 | 50 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | 確認されていません | ||||||
![]() | w25n04kwtbiu | 6.5799 | ![]() | 6253 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N04KWTBIU | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 8 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||||
MT53E512M64D4NW-046 IT:E TR | - | ![]() | 2182 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 432-VFBGA | MT53E512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 557-MT53E512M64D4NW-046IT:ETR | 廃止 | 2,000 | 2.133 GHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | ||||||
![]() | w25q256fvbbg | - | ![]() | 7139 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W25Q256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256FVBBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 7 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | ||||
![]() | NM93C46VM8 | - | ![]() | 9226 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C46 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | 不揮発性 | 1kbit | Eeprom | 64 x 16 | マイクロワイヤ | 10ms | ||||
MT46H16M16LFBF-6 at:h | - | ![]() | 2860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 60-VFBGA | MT46H16M16 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | 38049369-C | 81.7500 | ![]() | 9792 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-38049369-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C2268Kv18-450bzc | 73.6700 | ![]() | 624 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C2268 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 450 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | IS61WV5128EDBLL-10KLI | 3.5221 | ![]() | 1342 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) | IS61WV5128 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 36-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 10ns | ||||
CAT93C46V | 0.1000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | CAT93C46 | Eeprom | 2.5V〜6V | 8-SOIC | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | 2156-CAT93C46V-488 | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 2 MHz | 不揮発性 | 1kbit | 250 ns | Eeprom | 64 x 16、128 x 8 | マイクロワイヤ | - | ||||
![]() | CAT28F001L-12B | - | ![]() | 3319 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(タタ | 穴を通して | 32-dip(0.600 "、15.24mm) | CAT28F001 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PDIP | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 11 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | |||||
![]() | 451400-001-C | 17.5000 | ![]() | 6636 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-451400-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | A2290224-C | 17.5000 | ![]() | 8366 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A2290224-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | FM24C04UEM8 | - | ![]() | 1425 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM24C04 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 10ms | |||
![]() | IS62WV5128EALL-55BI-TR | - | ![]() | 2685 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV5128 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | TC58NVG1S3HBAI6 | 3.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Kioxia America | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 67-VFBGA | TC58NVG1 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 67-VFBGA (6.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991A2 | 8542.32.0071 | 338 | 不揮発性 | 2Gbit | 25 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | w25q64jwssim | 0.8894 | ![]() | 2654 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWSSIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | 71024S12Tygi | 3.1608 | ![]() | 2662 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) | 71024S | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | Cy7C1670KV18-450BZXC | 345.5500 | ![]() | 312 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1670 | sram- ddr II+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | 1 | 450 MHz | 揮発性 | 144mbit | sram | 4m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | W966D6HBGX7I | - | ![]() | 1887 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | W966D6 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 480 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | 70V9359L9PFI8 | - | ![]() | 7620 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 70V9359 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 144kbit | 9 ns | sram | 8k x 18 | 平行 | - | |||||
![]() | S29GL064N90FAI010 | - | ![]() | 4527 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 64mbit | 90 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 90ns | ||||
![]() | S99FL164K0XMFI011 | - | ![]() | 1321 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 9023260 | - | ![]() | 4098 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | sicで中止されました | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1 |
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