画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 709269L6PFG | - | ![]() | 5303 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 前回購入します | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | sram- デュアルポート、標準 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | - | 800-709269L6PFG | 1 | 揮発性 | 256kbit | sram | 16k x 16 | 平行 | - | ||||||||||
FM24C03ULZMT8 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | FM24C03 | Eeprom | 2.7V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | 不揮発性 | 2kbit | 3.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 15ms | ||||
![]() | IS46TR16640CL-125JBLA1-TR | 3.5165 | ![]() | 8502 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640CL-125JBLA1-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | S29GL128S11TFV010 | - | ![]() | 5756 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 128mbit | 110 ns | フラッシュ | 8m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | 627554400A | - | ![]() | 8113 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1460KV25-200BZXI | 72.4325 | ![]() | 7362 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1460 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | 揮発性 | 36mbit | 3.2 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S32800D-7TL-TR | - | ![]() | 7773 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | |||
CAT28F512G90 | - | ![]() | 5239 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | CAT28F512 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 512kbit | 90 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 90ns | ||||||
![]() | SNP75X1VC/32G-C | 375.0000 | ![]() | 3209 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-SNP75X1VC/32G-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Cy7C245A-45pc | 7.3300 | ![]() | 680 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | Cy7C245 | eprom -otp | 4.5v〜5.5V | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 16kbit | 45 ns | eprom | 2k x 8 | 平行 | - | |||||||
![]() | Cy7C1414KV18-300BZXI | 46.4900 | ![]() | 87 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1414 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | 7 | 300 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | 確認されていません | ||||||||
![]() | Cy7C1543KV18-400BZC | - | ![]() | 8497 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1543 | sram- qdr ii+ | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -cy7c1543kv18-400bzc | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS61NLP51236-200B3I-TR | - | ![]() | 4624 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | mt53e4dcdt-dc | 22.5000 | ![]() | 8023 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | アクティブ | mt53e4 | - | 影響を受けていない | 557-MT53E4DCDT-DC | 1,360 | ||||||||||||||||||||
![]() | S29GL512S12DHE010 | 43.4493 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive 、AEC-Q100、GL-S | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 64-lbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 260 | 不揮発性 | 512mbit | 120 ns | フラッシュ | 64m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||
![]() | CG8271AAT | - | ![]() | 6930 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640BL-107MBLA2-TR | - | ![]() | 9442 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS46TR16640BL-107MBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w66bp6nbuahj | 5.2240 | ![]() | 2511 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66bp6 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66bp6nbuahj | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 2.133 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 16 | LVSTL_11 | 18ns | ||
![]() | MT58L128L36P1T-7.5IT | 2.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.6V | 100-TQFP(14x20.1 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | 揮発性 | 4mbit | 4 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||
CAT28F001GI-12T | - | ![]() | 2806 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-lcc | CAT28F001 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 32 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | ||||||
![]() | 78p1539-c | 170.0000 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-78p1539-c | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 5962-8700218TA | - | ![]() | 8708 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | -55°C〜125°C | 表面マウント | 48フラットパック | 5962-8700218 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 48-fpack | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 800-5962-8700218TA | 廃止 | 9 | 揮発性 | 16kbit | 35 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 35ns | |||||
![]() | 5962-8700204ZA | 188.5930 | ![]() | 4758 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 前回購入します | -55°C〜125°C | 穴を通して | 48-dip(0.600 "、15.24mm) | 5962-8700204 | sram- デュアルポート、同期 | 4.5v〜5.5V | 48サイドろう付け | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 800-5962-8700204ZA | 8 | 揮発性 | 16kbit | 55 ns | sram | 2k x 8 | 平行 | 55ns | |||||
![]() | IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR | 9.9825 | ![]() | 5203 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS64LF12832 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 4mbit | 7.5 ns | sram | 128k x 32 | 平行 | - | |||
![]() | 8905503276 | - | ![]() | 9425 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 廃止 | 1,600 | ||||||||||||||||||||
![]() | AM327A-C | 75.0000 | ![]() | 7413 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-AM327A-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 70V261S25PF | - | ![]() | 8554 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V261 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 45 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 25ns | ||||
IS61LV25616AL-10K-TR | - | ![]() | 2734 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IS61LV25616 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | MX25L6473EMBI-10G | 0.9432 | ![]() | 6233 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | MX25L6473 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 92 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi | 50µs、3ms | ||||
![]() | GD25LQ16CSIG | 0.4195 | ![]() | 7089 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms |
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