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メモリ（70500）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
71V416S15YG Renesas Electronics America Inc 71v416S15yg -
RFQ
 ECAD 8666 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 44-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） 71V416S sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 16 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
S25FL256SAGNFI003 Infineon Technologies S25FL256SAGNFI003 7.1000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
CY14B101LA-SP45XIT Infineon Technologies cy14b101la-sp45xit 29.8550
RFQ
 ECAD 2557 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-BSSOP （0.295 "、幅7.50mm） Cy14B101 nvsram （不揮発性 sram） 2.7V〜3.6V 48スソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 不揮発性 1mbit 45 ns nvsram 128k x 8 平行 45ns
25LC040A-M/SN Microchip Technology 25LC040A-M/SN -
RFQ
 ECAD 6980 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25LC040 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 4kbit Eeprom 512 x 8 spi 5ms
7026L25J8 Renesas Electronics America Inc 7026L25J8 -
RFQ
 ECAD 9286 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 84-LCC 7026L25 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 84-PLCC （29.31x29.31 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 200 揮発性 256kbit 25 ns sram 16k x 16 平行 25ns
AT25SF161-DWFHT Adesto Technologies AT25SF161-DWFHT -
RFQ
 ECAD 8333 0.00000000 Adesto Technologies - バルク 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 死ぬ AT25SF161 フラッシュ - 2.5V〜3.6V ウェーハ - ROHS3準拠 1 （無制限） 1265-AT25SF161-DWFHT 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 5µs 、5ms
AS6C1616-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616-55BINTR -
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga AS6C1616 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 16mbit 55 ns sram 1m x 16 平行 55ns
S70GL02GT11FHB020 Infineon Technologies S70GL02GT11FHB020 36.1375
RFQ
 ECAD 5165 0.00000000 Infineon Technologies gl-t トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA（13x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 180 不揮発性 2Gbit 110 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
AT24CS02-MAHM-E Microchip Technology AT24CS02-MAHM-E -
RFQ
 ECAD 8697 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド AT24CS02 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-udfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 15,000 1 MHz 不揮発性 2kbit 550 ns Eeprom 256 x 8 i²c 5ms
CYD18S18V18-200BBAXC Infineon Technologies CYD18S18V18-200BBAXC -
RFQ
 ECAD 6050 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 256-lbga CYD18S18 sram- デュアルポート、同期 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V 256-FBGA （17x17 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 90 200 MHz 揮発性 18mbit 3.3 ns sram 1m x 18 平行 -
IS66WV51216DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7701 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WV51216 psram（pseudo sram 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 2,500 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
CY7C1423AV18-267BZC Infineon Technologies Cy7C1423AV18-267BZC -
RFQ
 ECAD 4273 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1423 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 267 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 -
MT53E512M32D2NP-046 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 6816 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53E512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （10x14.5 - 廃止 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
SM668PE8-ACS Silicon Motion, Inc. SM668PE8-ACS -
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® バルク 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM668 フラッシュ-nand（slc） - 153-BGA （11.5x13 - ROHS3準拠 1984-SM668PE8-ACS 廃止 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
W25Q64FVSCA1 Winbond Electronics W25Q64FVSCA1 -
RFQ
 ECAD 9284 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1 104 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
CY15B108QN-50BKXI Infineon Technologies Cy15b108qn-50bkxi 44.3400
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 Infineon Technologies Excelon™-LP 、F-Ram™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga Cy15B108 フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 480 50 MHz 不揮発性 8mbit 9 ns フラム 1m x 8 spi -
IS25WP016D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JKLE 1.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25WP016 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 800µs
AT24CM01-UUM-T Microchip Technology AT24CM01-UUM-T -
RFQ
 ECAD 7017 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufbga wlcsp AT24CM01 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-wlcsp ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1B2 8542.32.0051 5,000 1 MHz 不揮発性 1mbit 550 ns Eeprom 128k x 8 i²c 5ms
W97BH2MBVA2I TR Winbond Electronics w97bh2mbva2i tr 5.6100
RFQ
 ECAD 9782 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W97BH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W97BH2MBVA2ITR ear99 8542.32.0036 3,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
S26KS256SDABHB030 Nexperia USA Inc. S26KS256SDABHB030 9.0200
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S26KS256SDABHB030 34
S25FL064LABNFB013 Nexperia USA Inc. S25FL064LABNFB013 -
RFQ
 ECAD 8672 0.00000000 Nexperia USA Inc. - バルク アクティブ - 2156-S25FL064LABNFB013 1
SM671PXF-BFSS Silicon Motion, Inc. SM671PXF-BFSS 166.7500
RFQ
 ECAD 6719 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-nand（slc） - 153-BGA （11.5x13 ダウンロード 1984-SM671PXF-BFSS 1 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 EMMC -
S25FS512SAGMFV010 Infineon Technologies S25FS512SAGMFV010 10.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies FS-S トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FS512 フラッシュ - 1.7V〜2V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 240 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、qpi -
6116SA150DB Renesas Electronics America Inc 6116SA150DB -
RFQ
 ECAD 9607 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -55°C〜125°C 穴を通して 24-CDIP （0.600 "、15.24mm） 6116SA sram-非同期 4.5v〜5.5V 24-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 15 揮発性 16kbit 150 ns sram 2k x 8 平行 150ns
W25Q512JVEIQ TR Winbond Electronics w25q512jveiq tr 4.8300
RFQ
 ECAD 3450 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q512jveiqtr 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
CY62138FV30LL-45ZSXI Infineon Technologies Cy62138FV30LL-45ZSXI -
RFQ
 ECAD 4052 0.00000000 Infineon Technologies mobl® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） Cy62138 sram-非同期 2.2V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 117 揮発性 2mbit 45 ns sram 256k x 8 平行 45ns
CY15B108QI-20LPXCT Infineon Technologies CY15B108Q-20LPXCT 24.6848
RFQ
 ECAD 8618 0.00000000 Infineon Technologies Excelon™-LP 、F-Ram™ テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 8-UQFN フラム（強誘電性ラム） 1.8V〜3.6V 8-gqfn （3.23x3.28） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2,500 20 MHz 不揮発性 8mbit 20 ns フラム 1m x 8 spi -
W972GG6KB25I Winbond Electronics w972gg6kb25i 10.9060
RFQ
 ECAD 1779 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA W972GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 144 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
CY62157EV30LL-45BVXIT Cypress Semiconductor Corp Cy62157EV30LL-45BVXIT 7.8700
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp mobl® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy62157 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS非準拠 適用できない 未定義のベンダー 2832-CY62157EV30LL-45BVXITTR 100 揮発性 8mbit 45 ns sram 512K x 16 平行 45ns 確認されていません
IS42S32200C1-55TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-55TL-TR -
RFQ
 ECAD 8928 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） IS42S32200 SDRAM 3.15V〜3.45V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 183 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

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    世界的なメーカー

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    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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