画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R1RW0416DSB-0PI#D1 | 6.2000 | ![]() | 3945 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 559-R1RW0416DSB-0PI#D1 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||
![]() | Cy7C1370KV33-200BZXI | 38.3400 | ![]() | 6266 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1370 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | w25q16fwsnig | - | ![]() | 6533 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16FWSNIG | 廃止 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | ||
![]() | w25q32jvssim tr | 0.6197 | ![]() | 3314 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSSIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | 70V27L15PFG | 99.1400 | ![]() | 700 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 70V27 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 512kbit | 15 ns | sram | 32k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | NDL88PFO-8KIT TR | 19.7505 | ![]() | 8094 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | NDL88P | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-FBGA (9x10.6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1982-NDL88PFO-8KITTR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | mtfc64gjddn-4m it | - | ![]() | 6226 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 169-lfbga | mtfc64 | フラッシュ -ナンド | 1.65v〜3.6V | 169-lfbga | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8523.51.0000 | 980 | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | MMC | - | ||||
![]() | AS7C34098A-20JIN | 5.2767 | ![]() | 1680 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | AS7C34098 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 4mbit | 20 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 20ns | |||
![]() | S25FL032P0XMFB000 | 2.4300 | ![]() | 338 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | 廃止 | - | 2156-S25FL032P0XMFB000 | 124 | |||||||||||||||||||||
![]() | AT28C010-15TU-T | 61.8800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT28C010 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 1,500 | 不揮発性 | 1mbit | 150 ns | Eeprom | 128k x 8 | 平行 | 10ms | |||
![]() | MX25L12875FMI-10G | - | ![]() | 8614 | 0.00000000 | マクロニックス | MX25XXX35/36 -MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | MX25L12875 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | 30µs、1.5ms | |||
![]() | MT52L512M64D4PQ-107 WT:b | - | ![]() | 3933 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 253-VFBGA | MT52L512 | SDRAM- lpddr3 | 1.2V | 253-VFBGA (11x11.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,890 | 933 MHz | 揮発性 | 32gbit | ドラム | 512m x 64 | - | - | |||
![]() | MT28F01012 | 187.2000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | インテル | - | バルク | 廃止 | -40°C〜125°C | 表面マウント | 32-lcc | MT28F01012 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 2156-MT28F01012 | 3A001 | 8542.32.0051 | 1 | 不揮発性 | 1mbit | 120 ns | フラッシュ | 128k x 8 | 平行 | 120ns | |||
![]() | Cy7C1518JV18-250BZC | - | ![]() | 9900 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1518 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 72mbit | sram | 4m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1370DV25-200BZI | 14.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NOBL™ | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1370 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R16320E-5TL-TR | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43R16320E-5TL-TR | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
![]() | MT53E128M16D1Z19MWC1 | 10.3800 | ![]() | 7120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53E128M16D1Z19MWC1 | 1 | |||||||||||||||||||||
MT29F128G08CFAAAWP-IT:a | - | ![]() | 4883 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | MT29F128G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | S26361-F4026-L864-C | 615.0000 | ![]() | 3518 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F4026-L864-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | mtfc32gazaqhd-wt tr | 14.3400 | ![]() | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E•MMC™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | - | 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
![]() | S29GL01GT10DHI020 | 16.3300 | ![]() | 232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | S29GL01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (9x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 100 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 60ns | |||
![]() | 501541-001-C | 35.0000 | ![]() | 1556 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-501541-001-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | M29F400BT70N6E | - | ![]() | 3724 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 48-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | 7028L15PFG8 | 122.1438 | ![]() | 9436 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7028L15 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | mt29c4g96maagbackd-5 wt tr | - | ![]() | 5160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 137-VFBGA | MT29C4G96 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-VFBGA(13x10.5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit(nand | フラッシュ、ラム | 256m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | MT62F768M64D4EK-023 AIT:b | 43.5300 | ![]() | 3414 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | 箱 | アクティブ | - | 表面マウント | 441-TFBGA | MT62F768 | SDRAM- lpddr5 | - | 441-TFBGA | - | 557-MT62F768M64D4EK-023AIT:b | 1 | 4.266 GHz | 揮発性 | 48gbit | ドラム | 768m x 64 | 平行 | - | |||||||
![]() | FM25L16B-G | 1.5300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | f-ram™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | FM25L16 | フラム(強誘電性ラム) | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,940 | 20 MHz | 不揮発性 | 16kbit | フラム | 2k x 8 | spi | - | |||
![]() | at25640b-mahl-e | 0.6400 | ![]() | 6530 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25640 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 20 MHz | 不揮発性 | 64kbit | Eeprom | 8k x 8 | spi | 5ms | |||
![]() | S26HS01GTGABHM023 | 28.5950 | ![]() | 5109 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜2V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 5.45 ns | フラッシュ | 128m x 8 | ハイパーバス | 1.7ms |
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