画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | プログラム可能なタイプ | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S29GL064S70TFI030 | - | ![]() | 6901 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S29GL064S70TFI030 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | PC28F640J3F75B | 5.1900 | ![]() | 9239 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-TBGA | PC28F640 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-easybga (10x13) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-PC28F640J3F75BTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 64mbit | 75 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | CFI | 75ns | ||||
![]() | IS25LX256-JHLA3 | 4.5578 | ![]() | 7912 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | IS25LX256 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LX256-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||||
![]() | 71V416VS10BEI | - | ![]() | 1920 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | 71V416V | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-cabga (9x9) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | M29F400FT55M3E2 | - | ![]() | 2597 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | M29F400 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | -M29F400FT55M3E2 | ear99 | 8542.32.0071 | 40 | 不揮発性 | 4mbit | 55 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | Cy7C1011CV33-10zi | 8.8100 | ![]() | 69 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy7C1011 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | AS4C16M16D2-25bin | 4.8100 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | AS4C16 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1450-2374 | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 400 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS61NLP102418-200B3LI-TR | - | ![]() | 2426 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | S25FS064SAGMFV010M | - | ![]() | 2466 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | FS-S | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | S25FS064 | フラッシュ - | 1.7V〜2V | 8-SOIC | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | SM671PXB-ADSS | - | ![]() | 6383 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PXB-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 80gbit | フラッシュ | 10g x 8 | UFS2.1 | - | |||||||
![]() | NP8P128AE3BSM60E | - | ![]() | 8814 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | OMN EO™ | トレイ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | NP8P128A | PCM (プラム) | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 128mbit | 135 ns | PCM (プラム) | 16m x 8 | 平行、 spi | 135ns | ||||||
![]() | AT25DN256-SSHF-B | 0.2601 | ![]() | 6874 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25DN256 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 98 | 104 MHz | 不揮発性 | 256kbit | フラッシュ | 32k x 8 | spi | 8µs 、1.75ms | |||||
![]() | CAT28C256LI15 | - | ![]() | 8976 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 28-dip (0.600 "、15.24mm) | CAT28C256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 28-pdip | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 13 | 不揮発性 | 256kbit | 150 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | ||||||
![]() | P19043-B21-C | 230.0000 | ![]() | 2740 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-P19043-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | AT24C256C-SSHL-T | 0.8400 | ![]() | 14 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT24C256C | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 4,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 256kbit | 550 ns | Eeprom | 32k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | SST39SF040-70-4C-WHE-T | 2.0250 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | SST39 MPF™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | SST39SF040 | フラッシュ | 4.5v〜5.5V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 4mbit | 70 ns | フラッシュ | 512k x 8 | 平行 | 20µs | |||||
![]() | Cy7C1265V18-450bzc | - | ![]() | 7411 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1265 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | - | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | -cy7c1265v18 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 450 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | Cy7C1312CV18-167BZC | - | ![]() | 7770 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1312 | sram- qdr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 167 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||||
![]() | w29n02kvdiaf tr | 4.0468 | ![]() | 3105 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KVDIAFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||
![]() | GD5F1GQ5UEYJGR | 2.9324 | ![]() | 5226 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 1970-GD5F1GQ5UEYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o | 600µs | |||||||||
![]() | 815100-B21-C | 130.0000 | ![]() | 2180 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-815100-B21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Cy7C1069DV33-10BVXIT | - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy7C1069 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 48-VFBGA (8x9.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | |||||
![]() | BQ2026LPR | 0.4905 | ![]() | 4218 | 0.00000000 | テキサスの楽器 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -20°C〜70°C(TA) | 穴を通して | to-226-3 | BQ2026 | eprom -otp | 2.65V〜5.5V | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0061 | 2,000 | 不揮発性 | 1.5kbit | eprom | 32バイトx 6ページ | 単一ワイヤ | - | ||||||
![]() | FT24C512A-EDR | - | ![]() | 3606 | 0.00000000 | Fremont Micro Devices Ltd | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | FT24C512 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8ディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 50 | 1 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 900 ns | Eeprom | 64k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | Cy7C1420JV18-300BZXC | - | ![]() | 7557 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1420 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 1m x 36 | 平行 | - | |||||
![]() | AT17F16-30JU | 1.0000 | ![]() | 7609 | 0.00000000 | Atmel | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 20-LCC | 2.97V〜3.63V | 20-plcc (9x9) | ダウンロード | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | フラッシュ | 16MB | 確認されていません | ||||||||||||||
![]() | P03053-CA1-C | 745.0000 | ![]() | 2945 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-P03053-CA1-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
CY15B108QSN-108BKXI | 48.7900 | ![]() | 100 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon™-ultra 、F-Ram™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | Cy15B108 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 108 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6.7 ns | フラム | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | |||||
![]() | AT27LV020A-12TU | - | ![]() | 6261 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | AT27LV020 | eprom -otp | 3V〜3.6V | 32-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 156 | 不揮発性 | 2mbit | 120 ns | eprom | 256k x 8 | 平行 | - | |||||
![]() | S26361-F4083-E816-C | 210.0000 | ![]() | 7691 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-S26361-F4083-E816-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 |
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