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メモリ（70500）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
70261L20PFG Renesas Electronics America Inc 70261L20PFG -
RFQ
 ECAD 3317 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 70261L20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-70261L20PFG 廃止 1 揮発性 256kbit 20 ns sram 16k x 16 平行 20ns
IDT71V2556S166PFI8 Renesas Electronics America Inc IDT71V2556S166PFI8 -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp IDT71v2556 sram- sdr（zbt） 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 71V2556S166PFI8 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 揮発性 4.5mbit 3.5 ns sram 128k x 36 平行 -
7009L20PFG8 Renesas Electronics America Inc 7009L20PFG8 -
RFQ
 ECAD 4510 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 7009L20 sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
MT61M512M32KPA-14 N:C Micron Technology Inc. MT61M512M32KPA-14 N：c 42.1050
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT61M512M32KPA-14N：c 1
71V67603S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71v67603S133pfg -
RFQ
 ECAD 4148 0.00000000 IDT、統合デバイステクノロジーInc - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp 71v67603 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x14 ダウンロード 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz 揮発性 9mbit 4.2 ns sram 256k x 36 平行 -
70V9199L9PFGI Renesas Electronics America Inc 70V9199L9PFGI -
RFQ
 ECAD 2398 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 70V9199 sram- デュアルポート、同期 3V〜3.6V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 6 揮発性 1.125mbit 9 ns sram 128k x 9 平行 -
MT61K256M32JE-14:A Micron Technology Inc. MT61K256M32JE-14：a -
RFQ
 ECAD 2113 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 180-tfbga MT61K256 sgram -gddr6 1.31V〜1.39V 180-FBGA（12x14） ダウンロード ear99 8542.32.0071 1,260 1.75 GHz 揮発性 8gbit ラム 256m x 32 平行 -
7164L55DB Renesas Electronics America Inc 7164L55DB 31.4962
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - チューブ 前回購入します -55°C〜125°C 穴を通して 28-CDIP （0.600 "、15.24mm） 7164L sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-CDIP ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A001A2C 8542.32.0041 13 揮発性 64kbit 55 ns sram 8k x 8 平行 55ns
S29CL032J0RQFI030 Infineon Technologies S29CL032J0RQFI030 -
RFQ
 ECAD 6544 0.00000000 Infineon Technologies Cl-J トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 80-BQFP S29CL032 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 80-PQFP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 66 75 MHz 不揮発性 32mbit 54 ns フラッシュ 1M x 32 平行 60ns
70V05L25PF8 Renesas Electronics America Inc 70V05L25PF8 -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 64-LQFP 70V05L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 64-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 750 揮発性 64kbit 25 ns sram 8k x 8 平行 25ns
NM24C08EN Fairchild Semiconductor NM24C08EN 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） NM24C08 Eeprom 4.5v〜5.5V 8ディップ ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 未定義のベンダー ear99 8542.32.0051 1 100 kHz 不揮発性 8kbit 3.5 µs Eeprom 1k x 8 i²c 10ms
IS43TR81024B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-125KBL 20.8861
RFQ
 ECAD 2010年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA （10x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 706-IS43TR81024B-125KBL 136 800 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 1g x 8 平行 15ns
MT29F32G08AFACAWP-Z:C TR Micron Technology Inc. MT29F32G088888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888888」 -
RFQ
 ECAD 2684 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F32G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 32gbit フラッシュ 4g x 8 平行 -
70V28S15PF Renesas Electronics America Inc 70V28S15PF -
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 ECAD 9452 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します - 800-70V28S15PF 1
CY7C1041CV33-12BAXET Infineon Technologies Cy7C1041CV33-12Baxet -
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 48-TFBGA Cy7C1041 sram-非同期 3V〜3.6V 48-FBGA （7x8.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
S25FL127SABBHIC03 Infineon Technologies S25FL127SABBHIC03 -
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
EMF8132A3PF-DV-F-D Micron Technology Inc. EMF8132A3PF-DV-FD -
RFQ
 ECAD 9861 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ EMF8132 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 0000.00.0000 1,680
W25Q16CVSSJG TR Winbond Electronics w25q16cvssjg tr -
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q16CVSSJGTR ear99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
MX25U3235FZBI-10G Macronix MX25U3235FZBI-10G 0.9072
RFQ
 ECAD 4549 0.00000000 マクロニックス MX25XXX35/36 -MXSMIO™ テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント MX25U3235 フラッシュ - 1.65V〜2V ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
S29JL064J55TFA000 Infineon Technologies S29JL064J55TFA000 6.9236
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 ECAD 7581 0.00000000 Infineon Technologies JL-J トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop - ROHS3準拠 影響を受けていない 96 不揮発性 64mbit 55 ns フラッシュ CFI
LE25S81AMDS06TWG onsemi LE25S81AMDS06TWG -
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 ECAD 1216 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 - ROHS3準拠 影響を受けていない 488-LE25S81AMDS06TWG 廃止 1
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8HR-053 WT ES：B TR -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 366-WFBGA MT53D512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 366-WFBGA（12x12.7） - 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 32gbit ドラム 512m x 64 - -
S29GL512T11DHB023 Infineon Technologies S29GL512T11DHB023 13.1600
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 Infineon Technologies gl-t テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,200 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 64m x 8 平行 60ns
PA3513U-1M2G-C ProLabs PA3513U-1M2G-C 17.5000
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 ECAD 3101 0.00000000 プロラブ * 小売パッケージ アクティブ - ROHS準拠 4932-PA3513U-1M2G-C ear99 8473.30.5100 1
CG8273AA Infineon Technologies CG8273AA -
RFQ
 ECAD 6791 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
CY7C1420JV18-300BZC Infineon Technologies Cy7C1420JV18-300BZC -
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 ECAD 2924 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1420 sram- ddr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 MHz 揮発性 36mbit sram 1m x 36 平行 -
W634GU8QB09I Winbond Electronics W634GU8QB09I 6.6186
RFQ
 ECAD 5948 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU8QB09I ear99 8542.32.0036 242 1.06 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
28C64A-25B/UC Microchip Technology 28C64A-25B/UC 17.3400
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 ECAD 419 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク 廃止 - 28C64A Eeprom 4.5v〜5.5V ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けた ear99 8542.32.0051 1 不揮発性 64kbit 250 ns Eeprom 8k x 8 平行 1ms
MT29F4G08ABBDAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4：d 4.0428
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
IS42S32160B-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75EBLI -
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-WBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 144 133 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 16m x 32 平行 -
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    標準製品ユニット

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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