画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EDFP112A3PB-JD-FD TR | - | ![]() | 8830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -30°C〜85°C(TA) | - | - | EDFP112 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.95V | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 933 MHz | 揮発性 | 24Gbit | ドラム | 192m x 128 | 平行 | - | |||||
![]() | 71256L100TDB | 39.7300 | ![]() | 23 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | バルク | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 28-CDIP (0.300 "、7.62mm) | 71256L | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28-CDIP | ダウンロード | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 256kbit | 100 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 100ns | |||||||
![]() | MT29F1G088888ABAFAM78A3WC1 | - | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | バルク | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 死ぬ | MT29F1G08 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 死ぬ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | - | ||||||
![]() | MT53D512M32DS-046 AUT:d | 27.2200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | aec-q100 | トレイ | 前回購入します | -40°C〜125°C | 表面マウント | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,360 | 2.133 GHz | 揮発性 | 16gbit | ドラム | 512m x 32 | - | - | ||||
![]() | IDT70824L25PFI | - | ![]() | 8016 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 80-lqfp | IDT70824 | サラム | 4.5v〜5.5V | 80-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 70824L25PFI | ear99 | 8542.32.0041 | 6 | 揮発性 | 64kbit | 25 ns | ラム | 4k x 16 | 平行 | 25ns | |||
![]() | Cy7C028V-15axi | 74.0000 | ![]() | 9266 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C028 | sram- デュアルポート、非同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | Cy14V116G7-Bz30xit | 86.3625 | ![]() | 1097 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | Cy14V116 | nvsram (不揮発性 sram) | 1.7V〜3.6V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 16mbit | nvsram | 2m x 8、1m x 16 | 平行 | 30ns | |||||
![]() | Cy7C1346S-166AXC | 5.8400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | バッグ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1346 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | - | 適用できない | 3A991B2A | 52 | 166 MHz | 揮発性 | 2mbit | 3.5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | CY7C09289V-9AXC | - | ![]() | 1018 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | CY7C09289 | sram- デュアルポート、同期 | 3V〜3.6V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | 67 MHz | 揮発性 | 1mbit | 9 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | - | 確認されていません | ||||
![]() | MT29VZZZ7C8DQFSL-046 W.9J8 TR | - | ![]() | 5705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | mt29vzzz7 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | S99GL512P11TFI020 | - | ![]() | 3169 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S99GL512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | - | |||||
![]() | Cy7C1347G-166AXIT | - | ![]() | 7494 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | Cy7C1347 | sram- sdr | 3.15V〜3.6V | 100-TQFP | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 166 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.5 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | NP8P128AE3T1760E | - | ![]() | 5927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | OMN EO™ | チューブ | 廃止 | -30°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 64-TBGA | NP8P128A | PCM (プラム) | 2.7V〜3.6V | 64-easybga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,800 | 不揮発性 | 128mbit | 135 ns | PCM (プラム) | 16m x 8 | 平行、 spi | 135ns | |||||
![]() | MX68GL1G0FDXFI-12G | 15.2760 | ![]() | 5087 | 0.00000000 | マクロニックス | mx68gl | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga、CSPBGA | MX68GL1 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 不揮発性 | 1gbit | 120 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 120ns | ||||
![]() | 593913-S21-C | 62.5000 | ![]() | 9783 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-593913-S21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71342LA25J | - | ![]() | 6538 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 52-lcc | 71342la | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 52-plcc (19.13x19.13 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 24 | 揮発性 | 32kbit | 25 ns | sram | 4k x 8 | 平行 | 25ns | ||||
R1EX24004ATAS0A #S0 | 0.8200 | ![]() | 42 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | R1EX24004 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-tssop | ダウンロード | 適用できない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 4kbit | 900 ns | Eeprom | 512 x 8 | i²c | 5ms | ||||||
![]() | 24LC01BT-E/SN16KVAO | - | ![]() | 2317 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 24LC01B | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | 不揮発性 | 1kbit | 900 ns | Eeprom | 128 x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | IS43TR81024B-107MBLI | 22.8583 | ![]() | 9132 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR81024B-107MBLI | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||
![]() | PC28F064M29EWHX | - | ![]() | 8220 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | PC28F064 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA (11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | 不揮発性 | 64mbit | 60 ns | フラッシュ | 8m x 8、4m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
BR24G32FVT-5E2 | 0.4700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | BR24G32 | Eeprom | 1.6V〜5.5V | 8-TSSOP-B | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | 24AA32A-I/W16K | - | ![]() | 4822 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 24AA32 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 400 kHz | 不揮発性 | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | 7008S55PF8 | - | ![]() | 8124 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | 7008S55 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | 揮発性 | 512kbit | 55 ns | sram | 64k x 8 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | MX25V16066M1I0 | 0.3460 | ![]() | 5394 | 0.00000000 | マクロニックス | - | チューブ | アクティブ | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25V16066M1I0 | 98 | |||||||||||||||||||||
![]() | 71V67703S75PFGI8 | 29.6592 | ![]() | 5463 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | 71v67703 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 117 MHz | 揮発性 | 9mbit | 7.5 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | Cy7C1021CV33-15ZSXAT | - | ![]() | 9723 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy7C1021 | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 15 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS93C66A-2GRLI | - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 93C66A | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1051-5 | ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8、256 x 16 | マイクロワイヤ | 5ms | |||
IS43DR16640B-25EBL | - | ![]() | 9957 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | AT25EU0021A-MAHN-T | 0.4300 | ![]() | 4925 | 0.00000000 | Renesas Design | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT25EU0021A | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 85 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | - |
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