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メモリ（70500）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61NVP51236-250B3-TR	-	RFQ	7559	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61NVP51236	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
647879-B21-C	36.2500	RFQ	9960	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-647879-B21-C	ear99	8473.30.5100	1
AT45DQ321-MHD-T	-	RFQ	7138	Adesto Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	8-udfn露出パッド	AT45DQ321	フラッシュ	2.5V〜3.6V	8-udfn （5x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	6,000	104 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	528バイトx 8192ページ	spi	8µs 、4ms
70V26S55J	-	RFQ	6827	Renesas Electronics America Inc	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	84-LCC	70V26S	sram- デュアルポート、非同期	3V〜3.6V	84-PLCC （29.31x29.31	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	15		揮発性	256kbit	55 ns	sram	16k x 16	平行	55ns
Cy7C1545V18-375BZC	-	RFQ	4163	Infineon Technologies	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	Cy7C1545	sram- qdr ii	1.7V〜1.9V	165-FBGA （15x17	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	105	375 MHz	揮発性	72mbit		sram	2m x 36	平行	-
P00930-H21-C	745.0000	RFQ	2672	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-P00930-H21-C	ear99	8473.30.5100	1
S25HS512TDSMHV013	9.3499	RFQ	3262	Infineon Technologies	Semper™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		フラッシュ - （slc）	1.7V〜2V	16-SOIC	-	ROHS3準拠		影響を受けていない				1,450	166 MHz	不揮発性	512mbit		フラッシュ	64m x 8	spi -quad i/o、qpi	-
S29GL01GS11DHAV23	16.2400	RFQ	6527	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q100、GL-S	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	64-lbga	S29GL01	フラッシュ -	1.65v〜3.6V	64-FBGA （9x9）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,200		不揮発性	1gbit	110 ns	フラッシュ	64m x 16	平行	60ns
T9V43AA-C	2.0000	RFQ	4750	プロラブ	*	小売パッケージ	アクティブ								-	ROHS準拠			4932-T9V43AA-C	ear99	8473.30.5100	1
IS46DR16320C-25DBLA1-TR	7.2600	RFQ	3841	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
71V632S8PFG	1.6600	RFQ	299	IDT、統合デバイステクノロジーInc	-	バルク	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	71v632	sram- sdr	3.135V〜3.63V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1		揮発性	2mbit	8 ns	sram	64k x 32	平行	-
71V3558S166PFGI8	11.4896	RFQ	8217	Renesas Electronics America Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	71V3558	sram- sdr（zbt）	3.135V〜3.465V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000	166 MHz	揮発性	4.5mbit	3.5 ns	sram	256k x 18	平行	-
IS39LV040-70JCE	-	RFQ	8043	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	IS39LV040	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	32		不揮発性	4mbit	70 ns	フラッシュ	512k x 8	平行	70ns
IS25wp128-jble	2.6300	RFQ	27	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	IS25WP128	フラッシュ	1.65V〜1.95V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1443	3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	800µs
S80KS5122GABHA020	24.6700	RFQ	676	Infineon Technologies	Hyperram™	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	24-VBGA	S80KS5122	psram（pseudo sram	1.7V〜2V	24-fbga （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0028	338	200 MHz	揮発性	512mbit	35 ns	psram	64m x 8	ハイパーバス	35ns
N25Q064A13E5340F TR	-	RFQ	8742	Micron Technology Inc.	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-xfbga	N25Q064A13	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8-XFSCSP（2.93x3.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	5,000	108 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	16m x 4	spi	8ms、5ms
w25x80vssig	-	RFQ	9041	ウィンボンドエレクトロニクス	Spiflash®	チューブ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	W25x80	フラッシュ	2.7V〜3.6V	8-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	90	75 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi	3ms
709089L12PFI	-	RFQ	6316	Renesas Electronics America Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	709089L	sram- デュアルポート、同期	4.5v〜5.5V	100-TQFP（14x14	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2B	8542.32.0041	6		揮発性	512kbit	12 ns	sram	64k x 8	平行	-
Cy14B101L-SZ35xc	-	RFQ	7925	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	Cy14B101	nvsram （不揮発性 sram）	2.7V〜3.6V	32-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	22		不揮発性	1mbit	35 ns	nvsram	128k x 8	平行	35ns
IS46LD32640B-25BLA2-TR	-	RFQ	5061	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	前回購入します	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	134-TFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46LD32640B-25BLA2-TR			1	400 MHz	揮発性	2Gbit	5.5 ns	ドラム	64m x 32	HSUL_12	15ns
IDT6116LA20SO	-	RFQ	4021	Renesas Electronics America Inc	-	チューブ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	24-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）	IDT6116	sram-非同期	4.5v〜5.5V	24-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	6116LA20SO	ear99	8542.32.0041	310		揮発性	16kbit	20 ns	sram	2k x 8	平行	20ns
IS46DR16320D-25DBLA2-TR	7.5150	RFQ	9997	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	84-TFBGA	IS46DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	2,500	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
STK11C68-SF45TR	-	RFQ	8063	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	28-SOIC （0.342 "、幅8.69mm）	STK11C68	nvsram （不揮発性 sram）	4.5v〜5.5V	28-SOIC	ダウンロード	ROHS非準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0041	1,000		不揮発性	64kbit	45 ns	nvsram	8k x 8	平行	45ns
S71VS128RB0AHKCL0	-	RFQ	2917	Infineon Technologies	vs-r	トレイ	廃止	-25°C〜85°C（タタ	表面マウント	56-VFBGA	S71VS128	フラッシュ、 psram	1.7V〜1.95V	56-VFRBGA （7.7x6.2	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止		100	108 MHz	不揮発性、揮発性	128mbit（フラッシュ）、32mbit（ram）		フラッシュ、ラム	-	平行	-
IS49NLC18320-33BI	-	RFQ	3085	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	144-TFBGA	IS49NLC18320	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	32m x 18	平行	-
SST39LF040-55-4C-NHE-T	2.6400	RFQ	6380	マイクロチップテクノロジー	SST39 MPF™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	32-lcc	SST39LF040	フラッシュ	3V〜3.6V	32-PLCC （11.43x13.97	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	750		不揮発性	4mbit	55 ns	フラッシュ	512k x 8	平行	20µs
Cy7C1328A-133AI	3.9100	RFQ	2	Cypress Semiconductor Corp	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	Cy7C1328	sram- sdr	3.15V〜3.6V	100-TQFP	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	未定義のベンダー		3A991B2A	8542.32.0041	1	133 MHz	揮発性	4.5mbit	4 ns	sram	256k x 18	平行	-
S29JL032J60BHI313	-	RFQ	4971	Infineon Technologies	JL-J	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	S29JL032	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	48-FBGA （8.15x6.15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		不揮発性	32mbit	60 ns	フラッシュ	4m x 8、2m x 16	平行	60ns
Cy62147GE30-45BVXIT	6.5100	RFQ	1894年年	Infineon Technologies	mobl®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	Cy62147	sram-非同期	2.2V〜3.6V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		揮発性	4mbit	45 ns	sram	256k x 16	平行	45ns
MX30LF2G18AC-TJ	3.8610	RFQ	6780	マクロニックス	MX30LF	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	48-tsop	-		3 （168 時間）		1092-MX30LF2G18AC-TJ			96		不揮発性	2Gbit	16 ns	フラッシュ	256m x 8	onfi	20NS 、600µs

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

メモリ（70500）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²