画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S32160C-75BL | - | ![]() | 3625 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-lfbga | IS42S32160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-WBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | S29GL256P11TFI020D | - | ![]() | 7613 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | - | 未定義のベンダー | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | 不揮発性 | 256mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 8 | 平行 | 110ns | |||||
![]() | IS61LPS25636A-200B3I-TR | - | ![]() | 2122 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | 25AA080B-I/WF15K | - | ![]() | 6846 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 死ぬ | 25AA080 | Eeprom | 1.8V〜5.5V | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | 不揮発性 | 8kbit | Eeprom | 1k x 8 | spi | 5ms | ||||
![]() | Cy7C1423JV18-250BZXC | 56.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1423 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | 確認されていません | |||||
![]() | 7006S25PFG8 | - | ![]() | 1126 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 64-LQFP | 7006S25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 64-TQFP(14x14 | - | 800-7006S25PFG8TR | 廃止 | 250 | 揮発性 | 128kbit | 25 ns | sram | 16k x 8 | 平行 | 25ns | |||||||
![]() | DS1225AB-150+ | 21.2700 | ![]() | 8714 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | チューブ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 穴を通して | 28-dip モジュール(0.600 "、15.24mm) | DS1225A | nvsram (不揮発性 sram) | 4.75v〜5.25V | 28-EDIP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 12 | 不揮発性 | 64kbit | 150 ns | nvsram | 8k x 8 | 平行 | 150ns | ||||
![]() | Cy7C1470V25-167BZXC | - | ![]() | 3925 | 0.00000000 | Infineon Technologies | NOBL™ | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1470 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-FBGA (15x17 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 167 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | |||
![]() | S25FL128LAGMFM003 | 5.7750 | ![]() | 3547 | 0.00000000 | Infineon Technologies | 自動車、AEC-Q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | A3520621-C | 30.0000 | ![]() | 8404 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-A3520621-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | C-2400D4SR8S/4G | 21.7500 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-2400D4SR8S/4G | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT TR | - | ![]() | 4252 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 137-VFBGA | MT29C4G48 | フラッシュ-nand 、モバイルlpdram | 1.7V〜1.95V | 137-VFBGA(13x10.5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | 不揮発性、揮発性 | 4gbit(nand | フラッシュ、ラム | 512m x 8 | 平行 | - | ||||
![]() | C-160D3N/12GK3 | 59.2500 | ![]() | 6902 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-C-160D3N/12GK3 | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
w631gg6mb15j tr | - | ![]() | 4827 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6MB15JTR | 廃止 | 3,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||
![]() | MT62F1G64D4EK-026 WT:c | 68.0400 | ![]() | 1652 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT62F1G64D4EK-026WT:c | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | GD25WD40EK6IGR | 0.4077 | ![]() | 9951 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8-USON(1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD40EK6IGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | ||||||||
![]() | IDT71016S-15ph | 3.5000 | ![]() | 619 | 0.00000000 | IDT、統合デバイステクノロジーInc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-TSOP II | - | 3277-IDT71016S-15PH | ear99 | 8542.32.0041 | 100 | 揮発性 | 1mbit | sram | 64k x 16 | 平行 | 15ns | 確認されていません | |||||||
![]() | IDT71V65602S133PF | - | ![]() | 9149 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v65602 | sram- sdr(zbt) | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71v65602S133pf | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | 揮発性 | 9mbit | 4.2 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
MX25L3236FM2I-08G | 0.6624 | ![]() | 3305 | 0.00000000 | マクロニックス | MXSMIO™ | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.65V〜3.6V | 8ソップ | - | 3 (168 時間) | 1092-MX25L3236FM2I-08G | 92 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 1M x 32、2m x 16、4m x 8 | spi -quad i/o | 50μs1.2ms | ||||||||
![]() | mt29c1g12maajvakc-5 it tr | - | ![]() | 6070 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | MT29C1G12M | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
![]() | MT53B256M16D1Z00MWC1S | 10.4800 | ![]() | 5744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | 箱 | アクティブ | - | 557-MT53B256M16D1Z00MWC1S | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | W631GU8MB-15 | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA(10.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | IDT71V67903S85PF8 | - | ![]() | 4773 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 100-lqfp | IDT71v67903 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-TQFP(14x14 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71V67903S85PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 87 MHz | 揮発性 | 9mbit | 8.5 ns | sram | 512K x 18 | 平行 | - | ||
CAT24C32VP2I-GT3 | - | ![]() | 9653 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wfdfn露出パッド | CAT24C32 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-tdfn (2x3) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 3,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 32kbit | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | i²c | 5ms | |||||
![]() | Cy62148GN30-45ZSXI | 4.6200 | ![]() | 3738 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | Cy62148 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,170 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | 815098-K21-C | 162.0000 | ![]() | 5579 | 0.00000000 | プロラブ | * | 小売パッケージ | アクティブ | - | ROHS準拠 | 4932-815098-K21-C | ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | GD25LQ64EWAGR | 1.6045 | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-wson | - | 1970-GD25LQ64EWAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | ||||||||
![]() | AT25SF321B-SSHB-B | 0.4581 | ![]() | 7873 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | AT25SF321 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1265-AT25SF321B-SSHB-B | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 108 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
CAT28C256G12 | - | ![]() | 1000 | 0.00000000 | onsemi | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 32-lcc | CAT28C256 | Eeprom | 4.5v〜5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 32 | 不揮発性 | 256kbit | 120 ns | Eeprom | 32k x 8 | 平行 | 5ms | ||||||
![]() | CB867-80050 | - | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫