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メモリ（ 70838）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
CG8704AFT Infineon Technologies CG8704AFT -
RFQ
 ECAD 6296 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
S99GL064N0030 Infineon Technologies S99GL064N0030 -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
V29GL128P10TAI020 Infineon Technologies V29GL128P10TAI020 -
RFQ
 ECAD 4090 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 - 未定義のベンダー 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1
24AA64T-E/MNYVAO Microchip Technology 24AA64T-E/MNYVAO -
RFQ
 ECAD 5691 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 24AA64 Eeprom 1.7V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
24LC64T-E/SN16KVAO Microchip Technology 24LC64T-E/SN16KVAO -
RFQ
 ECAD 3676 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 24LC64 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 64kbit 900 ns Eeprom 8k x 8 i²c 5ms
25LC080D-E/SN16KVAO Microchip Technology 25LC080D-E/SN16KVAO -
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 マイクロチップテクノロジー aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 25LC080 Eeprom 2.5V〜5.5V 8-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 100 10 MHz 不揮発性 8kbit Eeprom 1k x 8 spi 5ms
BR93A56RF-WME2 Rohm Semiconductor BR93A56RF-WME2 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.173 "、幅4.40mm） BR93A56 Eeprom 2.5V〜5.5V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 5ms
DS1250W-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1250W-100+ 91.3355
RFQ
 ECAD 7847 0.00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-dipモジュール（0.600 "、15.24mm） DS1250W nvsram （不揮発性 sram） 3V〜3.6V 32-EDIP ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 11 不揮発性 4mbit 100 ns nvsram 512k x 8 平行 100ns
MT53D4G16D8AL-062 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53D4G16D8AL-062 WT：E TR -
RFQ
 ECAD 3057 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜85°C （TC） MT53D4G16 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT53D4G16D8AL-062WT：ETR 廃止 2,000 1.6 GHz 揮発性 64gbit ドラム 4g x 16 - -
MT53E768M32D4DT-053 AAT:E TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 AAT：E TR 29.2650
RFQ
 ECAD 6307 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 200-VFBGA MT53E768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-VFBGA （10x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない MT53E768M32D4DT-053AAT：ETR ear99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz 揮発性 24Gbit ドラム 768m x 32 - -
EM6HC16EWKG-10H Etron Technology, Inc. EM6HC16EWKG-10H 2.2538
RFQ
 ECAD 3693 0.00000000 ETRON TECHNOLOGY 、INC。 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA EM6HC16 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2174-EM6HC16EWKG-10HTR ear99 8542.32.0032 1,500 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25M02GVTBIR Winbond Electronics W25M02GVTBIR -
RFQ
 ECAD 4974 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVTBIR 廃止 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25M02GVTBJT Winbond Electronics W25M02GVTBJT -
RFQ
 ECAD 6832 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVTBJT 廃止 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
S29GL512S11DHA023 Cypress Semiconductor Corp S29GL512S11DHA023 10.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp Automotive 、AEC-Q100、GL-S テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga S29GL512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-FBGA （9x9） ダウンロード ROHS3準拠 2832-S29GL512S11DHA023TR 48 不揮発性 512mbit 110 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns 確認されていません
W25N512GVEIT Winbond Electronics W25N512GVEIT 2.1715
RFQ
 ECAD 7182 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GVEIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
SM662GEB BESS Silicon Motion, Inc. SM662GEB BESS 13.8000
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand （TLC） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1984-SM662GEBBESS 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
W25Q80EWUXBE Winbond Electronics w25q80ewuxbe -
RFQ
 ECAD 2958 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q80EWUXBE 廃止 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
7132LA35PDGI Renesas Electronics America Inc 7132LA35PDGI -
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - バルク 廃止 - 800-7132LA35PDGI 廃止 1
IS46LD32128A-25BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA1 -
RFQ
 ECAD 2362 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA（12x12） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 706-IS46LD32128A-25BPLA1 廃止 1 400 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
W25Q32JVSSJM Winbond Electronics W25Q32JVSSJM -
RFQ
 ECAD 3027 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128FVFJQ TR Winbond Electronics w25q128fvfjq tr -
RFQ
 ECAD 7562 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q128FVFJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q128FVSJQ TR Winbond Electronics w25q128fvsjq tr -
RFQ
 ECAD 8530 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q128FVSJQTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q16DVZPJP TR Winbond Electronics w25q16dvzpjp tr -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q16dvzpjptr ear99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q32FVZPJF TR Winbond Electronics w25q32fvzpjf tr -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q32fvzpjftr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
R1RW0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics America Inc R1RW0416DSB-2PR ＃D1 5.6070
RFQ
 ECAD 1741 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） R1RW0416 sram 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
S28HS512TGABHI010 Infineon Technologies S28HS512TGABHI010 13.8400
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 Infineon Technologies HS-T トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-VBGA S28HS512 フラッシュ - 1.7V〜2V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 338 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
CY7C1612KV18-250BZXC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1612KV18-250BZXC -
RFQ
 ECAD 1698 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1612 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA （15x17 ダウンロード 1 250 MHz 揮発性 144mbit sram 8m x 18 平行 - 確認されていません
S25FL256LDPBHI020 Cypress Semiconductor Corp S25FL256LDPBHI020 4.1600
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp fl-l バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-bga （8x6） ダウンロード 73 66 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi - 確認されていません
S29JL032J70TFI320 Cypress Semiconductor Corp S29JL032J70TFI320 -
RFQ
 ECAD 3686 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp JL-J バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S29JL032 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード 1 不揮発性 32mbit 70 ns フラッシュ 4m x 8、2m x 16 平行 70ns 確認されていません
CY14E256LA-SZ25XI Cypress Semiconductor Corp Cy14E256LA-SZ25XI 27.7400
RFQ
 ECAD 9381 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） Cy14E256 nvsram （不揮発性 sram） 4.5v〜5.5V 32-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 2832-CY14E256LA-SZ25XI 22 不揮発性 256kbit 25 ns nvsram 32k x 8 平行 25ns 確認されていません
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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