画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT47H64M8B6-3:D TR | - | ![]() | 7809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-FBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | |||
![]() | S29GL512S11TFIV20 | 10.8400 | ![]() | 9071 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-s | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | S29GL512 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 不揮発性 | 512mbit | 110 ns | フラッシュ | 32m x 16 | 平行 | 60ns | ||||
![]() | BR25H512FJ-5ACE2 | 1.2400 | ![]() | 4508 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-SOP-J | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 2,500 | 20 MHz | 不揮発性 | 512kbit | Eeprom | 64k x 8 | spi | 3.5ms | ||||||||
![]() | S26HL01GTFPBHB030 | 25.5675 | ![]() | 9204 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-VBGA | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-FBGA (8x8) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,300 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | ハイパーバス | 1.7ms | ||||||
![]() | IDT71124S12YI8 | - | ![]() | 6492 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) | IDT71124 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32-SOJ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 71124S12YI8 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | |||
![]() | S70WS512N00BAWAA2 | - | ![]() | 9421 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | mt28f400b5sg-8 t tr | - | ![]() | 3459 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) | MT28F400B5 | フラッシュ - | 4.5v〜5.5V | 44-SO | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 500 | 不揮発性 | 4mbit | 80 ns | フラッシュ | 512K x 8、256K x 16 | 平行 | 80ns | ||||
![]() | S25FL128SAGMFIR03 | 5.2000 | ![]() | 440 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | S25FL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,450 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | Cy62147GN30-45ZSXI | 4.6200 | ![]() | 6503 | 0.00000000 | Infineon Technologies | mobl® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | Cy62147 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,350 | 揮発性 | 4mbit | 45 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | 71v416S15yg | - | ![]() | 8666 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | チューブ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | 71V416S | sram-非同期 | 3V〜3.6V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 16 | 揮発性 | 4mbit | 15 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | S25FL256SAGNFI003 | 7.1000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fl-s | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | S25FL256 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | cy14b101la-sp45xit | 29.8550 | ![]() | 2557 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-BSSOP (0.295 "、幅7.50mm) | Cy14B101 | nvsram (不揮発性 sram) | 2.7V〜3.6V | 48スソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 不揮発性 | 1mbit | 45 ns | nvsram | 128k x 8 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | 25LC040A-M/SN | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | 25LC040 | Eeprom | 2.5V〜5.5V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | 不揮発性 | 4kbit | Eeprom | 512 x 8 | spi | 5ms | ||||
7026L25J8 | - | ![]() | 9286 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 84-LCC | 7026L25 | sram- デュアルポート、非同期 | 4.5v〜5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 200 | 揮発性 | 256kbit | 25 ns | sram | 16k x 16 | 平行 | 25ns | |||||
![]() | AT25SF161-DWFHT | - | ![]() | 8333 | 0.00000000 | Adesto Technologies | - | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 死ぬ | AT25SF161 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | ウェーハ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1265-AT25SF161-DWFHT | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 5µs 、5ms | |||||
![]() | AS6C1616-55BINTR | - | ![]() | 5538 | 0.00000000 | Alliance Memory | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-lfbga | AS6C1616 | sram-非同期 | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | ||||
![]() | S70GL02GT11FHB020 | 36.1375 | ![]() | 5165 | 0.00000000 | Infineon Technologies | gl-t | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 64-lbga | S70GL02 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-FBGA(13x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | 不揮発性 | 2Gbit | 110 ns | フラッシュ | 256m x 8、128m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | AT24CS02-MAHM-E | - | ![]() | 8697 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | AT24CS02 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-udfn (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0051 | 15,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 2kbit | 550 ns | Eeprom | 256 x 8 | i²c | 5ms | |||
![]() | CYD18S18V18-200BBAXC | - | ![]() | 6050 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 256-lbga | CYD18S18 | sram- デュアルポート、同期 | 1.42V〜1.58V、1.7V〜1.9V | 256-FBGA (17x17 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 90 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.3 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS66WV51216DBLL-70BLI-TR | - | ![]() | 7701 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WV51216 | psram(pseudo sram | 2.5V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 70 ns | psram | 512K x 16 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | Cy7C1423AV18-267BZC | - | ![]() | 4273 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | Cy7C1423 | sram- ddr ii | 1.7V〜1.9V | 165-FBGA (15x17 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 267 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | SM668PE8-ACS | - | ![]() | 8477 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | バルク | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM668 | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 1984-SM668PE8-ACS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | |||||||
Cy15b108qn-50bkxi | 44.3400 | ![]() | 9492 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Excelon™-LP 、F-Ram™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | Cy15B108 | フラム(強誘電性ラム) | 1.8V〜3.6V | 24-fbga (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 50 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 9 ns | フラム | 1m x 8 | spi | - | ||||
AT24CM01-UUM-T | - | ![]() | 7017 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufbga wlcsp | AT24CM01 | Eeprom | 1.7V〜5.5V | 8-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1B2 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 550 ns | Eeprom | 128k x 8 | i²c | 5ms | ||||
![]() | w97bh2mbva2i tr | 5.6100 | ![]() | 9782 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W97BH2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W97BH2MBVA2ITR | ear99 | 8542.32.0036 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 64m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||
![]() | S25FL064LABNFB013 | - | ![]() | 8672 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | バルク | アクティブ | - | 2156-S25FL064LABNFB013 | 1 | ||||||||||||||||||||||
SM671PXF-BFSS | 166.7500 | ![]() | 6719 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | バルク | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TBGA | フラッシュ-nand(slc) | - | 153-BGA (11.5x13 | ダウンロード | 1984-SM671PXF-BFSS | 1 | 不揮発性 | 4tbit | フラッシュ | 512g x 8 | EMMC | - | |||||||||||
![]() | w25q512jveiq tr | 4.8300 | ![]() | 3450 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q512jveiqtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
![]() | w972gg6kb25i | 10.9060 | ![]() | 1779 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | Cy62157EV30LL-45BVXIT | 7.8700 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | mobl® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | Cy62157 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 適用できない | 未定義のベンダー | 2832-CY62157EV30LL-45BVXITTR | 100 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 45ns | 確認されていません |
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