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メモリ（ 70838）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー sicプログラム可能 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D Micron Technology Inc. MT29F4G088888888888888888-AATX：d 5.4563
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,260 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT41K128M16JT-107 IT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-107 IT：k 4.5806
RFQ
 ECAD 1667 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
CG8318AAT Infineon Technologies CG8318AAT -
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） 廃止 確認されていません - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 1,000
CY7C1061GN30-10BVJXI Infineon Technologies Cy7C1061GN30-10BVJXI 34.0725
RFQ
 ECAD 2933 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA Cy7C1061 sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-VFBGA （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 4,800 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
709279L15PFI8 Renesas Electronics America Inc 709279L15PFI8 -
RFQ
 ECAD 7099 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp 709279L sram- デュアルポート、同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 3A991B2B 8542.32.0041 750 揮発性 512kbit 15 ns sram 32k x 16 平行 -
70V07L35JGI8 Renesas Electronics America Inc 70V07L35JGI8 -
RFQ
 ECAD 5011 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 68-lcc 70V07L sram- デュアルポート、非同期 3V〜3.6V 68-PLCC（24.21x24.21 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 250 揮発性 256kbit 35 ns sram 32k x 8 平行 35ns
MTFC128GAOANEA-WT ES Micron Technology Inc. mtfc128gaoanea-wt es -
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ 箱 廃止 -25°C〜85°C（タタ MTFC128 フラッシュ -ナンド - - 1 （無制限） 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MTFC128GAOAMEA-WT ES TR Micron Technology Inc. mtfc128gaoamea-wt es tr -
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -25°C〜85°C（タタ - - MTFC128 フラッシュ -ナンド - - - 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 MMC -
MT25QL02GCBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0SIT 34.7400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga MT25QL02 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-T-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,122 133 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi 8ms、2.8ms
AS6C6416-55BINTR Alliance Memory, Inc. AS6C6416-55BINTR 24.9000
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga AS6C6416 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 64mbit 55 ns sram 4m x 16 平行 55ns
IS61NLP25672-200B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1I -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 209-BGA IS61NLP25672 sram- sdr 3.135V〜3.465V 209-LFBGA（14x22） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 256k x 72 平行 -
AS4C128M8D3LB-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3LB-12BCN 5.6074
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
S25FL064LABMFM000 Infineon Technologies S25FL064LABMFM000 4.2000
RFQ
 ECAD 4176 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100 トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） S25FL064 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 240 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi -
S70GL02GT12FHAV13 Infineon Technologies S70GL02GT12FHAV13 33.4775
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 Infineon Technologies 自動車、AEC-Q100、GL-T テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 64-lbga S70GL02 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 64-FBGA （11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 不揮発性 2Gbit 120 ns フラッシュ 256m x 8、128m x 16 平行 -
S71KS512SC0BHB000 Infineon Technologies S71KS512SC0BHB000 25.0200
RFQ
 ECAD 4992 0.00000000 Infineon Technologies Automotive、AEC-Q100 、HyperFlash™ + HyperRam™Kl トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-VBGA S71KS512 フラッシュ、ドラム 1.7V〜1.95V 24-fbga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 676 166 MHz 不揮発性、揮発性 512mbit （フラッシュ）、64mbit（ram） フラッシュ、ラム - 平行 -
AS4C512M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12bin -
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1446 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS46TR16640BL-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA1 -
RFQ
 ECAD 1957年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-TWBGA （9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W631GG6MB12I TR Winbond Electronics w631gg6mb12i tr -
RFQ
 ECAD 8294 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 3,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
MT29E64G08CBCDBJ4-6:D Micron Technology Inc. MT29E64G08CBCDBJ4-6：d -
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 Micron Technology Inc. - チューブ 廃止 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 960
MT55V512V36FT-10 Micron Technology Inc. MT55V512V36FT-10 17.3600
RFQ
 ECAD 620 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 100-lqfp MT55V512V sram- zbt 3.135V〜3.465V 100-TQFP（14x20.1 ダウンロード ROHS非準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1 100 MHz 揮発性 18mbit 7.5 ns sram 512K x 36 平行 -
UPD44645182AF5-E33-FQ1 Renesas Electronics America Inc UPD44645182AF5-E33-FQ1 71.5600
RFQ
 ECAD 323 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 3 （168 時間） 未定義のベンダー 3A991B2A 8542.32.0041 1
S25FL256SAGNFV003 Infineon Technologies S25FL256SAGNFV003 6.5900
RFQ
 ECAD 8918 0.00000000 Infineon Technologies fl-s テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド S25FL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
70261L12PFI Renesas Electronics America Inc 70261L12PFI -
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - トレイ 前回購入します -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 100-lqfp sram- デュアルポート、非同期 4.5v〜5.5V 100-TQFP（14x14 - 800-70261L12PFI 1 揮発性 256kbit 12 ns sram 16k x 16 平行 12ns
SM662GEE BFST Silicon Motion, Inc. SM662GEE BFST 90.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand（ slc ）、フラッシュ -nand（tlc） - 100-BGA（14x18） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1984-SM662GEEBFST 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 EMMC -
CY7C1413KV18-333BZXI Cypress Semiconductor Corp Cy7C1413KV18-333BZXI -
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp - バルク アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 165-lbga Cy7C1413 sram- qdr ii 1.7V〜1.9V 165-FBGA ダウンロード 6 333 MHz 揮発性 36mbit sram 2m x 18 平行 - 確認されていません
S29WS512P0PBFW000 Infineon Technologies S29WS512P0PBFW000 -
RFQ
 ECAD 7676 0.00000000 Infineon Technologies WS-P トレイ 廃止 -25°C〜85°C（タタ 表面マウント 84-VFBGA S29WS512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 84-FBGA （11.6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 200 66 MHz 不揮発性 512mbit 80 ns フラッシュ 32m x 16 平行 60ns
S34MS01G200TFI003 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G200TFI003 -
RFQ
 ECAD 3125 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp MS-2 テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） S34MS01 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit 45 ns フラッシュ 128m x 8 平行 45ns
24LC32AFT-E/MNY Microchip Technology 24LC32AFT-E/MNY 0.6300
RFQ
 ECAD 3062 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wfdfn露出パッド 24LC32A Eeprom 2.5V〜5.5V 8-tdfn （2x3） ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 3,300 400 kHz 不揮発性 32kbit 900 ns Eeprom 4k x 8 i²c 5ms
BR93L56RFV-WE2 Rohm Semiconductor BR93L56RFV-WE2 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - カットテープ（CT） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-lssop（0.173 "、幅4.40mm） BR93L56 Eeprom 1.8V〜5.5V 8-SSOP-B ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0051 2,500 2 MHz 不揮発性 2kbit Eeprom 128 x 16 マイクロワイヤ 5ms
CY7C1472BV33-200BZC Cypress Semiconductor Corp Cy7C1472BV33-200BZC 138.6700
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Cypress Semiconductor Corp NOBL™ トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 165-lbga Cy7C1472 sram- sdr 3.135V〜3.6V 165-FBGA （15x17 ダウンロード ROHS非準拠 3A991B2A 8542.32.0041 105 200 MHz 揮発性 72mbit 3 ns sram 4m x 18 平行 - 確認されていません
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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