画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 許容範囲 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | スピード | ダイオード構成 | 電圧-DC リバース( VR )(最大) | 現在 -平均修正( io )(ダイオードあたり) | 電圧 -フォワード( vf )( max @ if | 逆回復時間( trr) | 現在 - @ vr | 動作温度 -ジャンクション | 現在 -平均修正( io) | 容量 @ vr、f | 電圧zener | インピーダンス(最大)( ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N2284R | 2.5000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 箱 | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 標準、逆極性 | DO-5 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2383-1N2284R | ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 標準回復> 500ns | 500 V | 1.19 V @ 90 a | 10 µA @ 500 V | -65°C〜200°C | 40a | - | ||||||||||
![]() | CDS5187 | - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-CDS5187 | 50 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SI-E8000-4 | 200.0300 | ![]() | 9345 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | 箱 | アクティブ | シャーシマウント | モジュール | 標準 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 2796-SI-E8000-4 | 8541.10.0000 | 1 | 標準回復> 500ns | 24000 v | 12 V @ 4 a | 1.5 µs | 5 µA @ 24000 v | -50°C〜150°C | 4a | - | ||||||||||||
![]() | 1SMA4744 | 0.4000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | DO-214AC、SMA | 1 W | sma(do-214ac) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 mA | 5 µA @ 11.4 v | 15 V | 14オーム | ||||||||||||
![]() | 1N5378B/TR12 | - | ![]() | 4468 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | ±5% | -65°C〜150°C | 穴を通して | T-18 、軸 | 1N5378 | 5 W | T-18 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 1 a | 500 NA @ 72 v | 100 V | 90オーム | |||||||||||
![]() | 1n5539b/tr | 2.8861 | ![]() | 2699 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-1N5539B/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 10 Na @ 17.1 v | 19 v | 106オーム | ||||||||||||
![]() | BZX384B68-E3-18 | 0.0360 | ![]() | 8983 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX384 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-76、SOD-323 | BZX384B68 | 200 MW | SOD-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 50 Na @ 47.6 v | 68 v | 240オーム | ||||||||||||
![]() | ammsz5229a-hf | 0.0725 | ![]() | 7554 | 0.00000000 | comchipテクノロジー | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.09% | -50°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SOD-123 | AMMSZ5229 | 500 MW | SOD-123 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 641-AMMSZ5229A-HFTR | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 22オーム | |||||||||||
![]() | BZX55C24 A0G | - | ![]() | 7578 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | ±5% | -55°C〜175°C | 穴を通して | do-204ah do-35 、軸 | BZX55 | 500 MW | DO-35 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1 V @ 100 MA | 100 Na @ 18 V | 24 v | 80オーム | |||||||||||
BZD17C62P RFG | - | ![]() | 4052 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±6.45% | -55°C〜175°C | 表面マウント | DO-219AB | BZD17 | 800 MW | sma | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 mA | 1 µA @ 47 v | 62 v | 80オーム | ||||||||||||
CDLL5235A | 2.8650 | ![]() | 2623 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±10% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | CDLL5235 | 10 MW | DO-213AB | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5オーム | ||||||||||||
1N970B | 2.0700 | ![]() | 9057 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 穴を通して | DO-204AA | 1N970 | 500 MW | DO-7 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1N970BMS | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 5 µA @ 18.2 v | 24 v | 33オーム | |||||||||||
![]() | cdll5263c/tr | 6.9150 | ![]() | 6922 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -65°C〜175°C | 表面マウント | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 影響を受けていない | 150-CDLL5263C/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 137 | 1.1 V @ 200 mA | 100 Na @ 43 v | 56 v | 150オーム | |||||||||||||
BZX84B13-E3-18 | 0.0324 | ![]() | 8512 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | BZX84 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BZX84B13 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 Na @ 8 V | 13 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | UFZVTE-1722B | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2.69% | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-90、SOD-323F | 500 MW | UMD2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 Na @ 17 V | 21.35 v | 30オーム | |||||||||||||
![]() | DZ2S03900L | - | ![]() | 5461 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | ±5% | - | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | DZ2S039 | 150 MW | SSMINI2-F5-B | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 V @ 10 mA | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 130オーム | ||||||||||||
![]() | 1N4748A | 0.1118 | ![]() | 8768 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -55°C〜150°C | 穴を通して | DO-204AL 、DO-41 、軸 | 1N4748 | 1 W | do-204al(do-41) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µA @ 16.7 v | 22 v | 23オーム | ||||||||||||
![]() | GP2D010A120B | - | ![]() | 1417 | 0.00000000 | セミク | amp+™ | チューブ | sicで中止されました | 穴を通して | TO-247-2 | sic (炭化シリコン)ショットキー | TO-247-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 1560-1044-5 | ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 回復時間なし> 500ma | 1200 v | 1.8 V @ 10 a | 0 ns | 20 µA @ 1200 v | -55°C〜175°C | 10a | 635pf @ 1V、1MHz | |||||||||
![]() | B230LA-E3/5AT | 0.4200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | DO-214AC、SMA | B230 | ショットキー | do-214ac | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 高速回復= <500ns | 30 V | 500 mV @ 2 a | 500 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 2a | - | ||||||||||
![]() | PZU16B2L 、315 | 0.0431 | ![]() | 1274 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±2% | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOD-882 | PZU16 | 250 MW | DFN1006-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 100 MA | 50 na @ 12 v | 16 v | 20オーム | |||||||||||
![]() | cdll4752a/tr | 3.1255 | ![]() | 8604 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213ab 、メルフ | DO-213AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-CDLL4752A/TR | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 mA | 100 Na @ 25.1 v | 33 v | 45オーム | |||||||||||||
![]() | Jan1N4944 | - | ![]() | 6857 | 0.00000000 | Semtech Corporation | * | バルク | sicで中止されました | - | jan1n4944s | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3910 | 48.5400 | ![]() | 5869 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | スタッドマウント | do-203ab、do-5 、スタッド | 1N3910 | 標準 | do-203ab(do-5) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 高速回復= <500ns | 100 V | 1.4 V @ 50 a | 200 ns | 15 µA @ 100 V | -65°C〜150°C | 50a | - | ||||||||||
![]() | 69SPB135A | 7.9226 | ![]() | 1436 | 0.00000000 | SMCダイオードソリューション | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | SPD-2A | 69SPB | ショットキー | SPD-2A | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 69SPB135ASMC | ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 高速回復= <500ns | 135 v | 870 mV @ 60 a | 100 µA @ 135 v | -55°C〜175°C | 60a | 100pf @ 5V、1MHz | |||||||||
![]() | BZX585-C5V1,115 | 0.3300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZX585-C5V1 | 300 MW | SOD-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 100 MA | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60オーム | |||||||||||
![]() | VS-HFA70FA120 | 53.7410 | ![]() | 5098 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes分割 | hexfred® | トレイ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | HFA70 | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | VSHFA70FA120 | ear99 | 8541.10.0080 | 160 | 高速回復= <500ns | 2独立 | 1200 v | 70a | 3.8 V @ 60 a | 51 ns | 75 µA @ 1200 v | -55°C〜150°C | ||||||||
![]() | 1N4109UR | 3.7950 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | ±5% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 1N4109 | 500 MW | DO-213AA | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 50 Na @ 11.4 v | 15 V | 100オーム | |||||||||||
![]() | BZT52C20K RKG | 0.0474 | ![]() | 2711 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±5% | -65°C〜150°C | 表面マウント | SC-79、SOD-523 | BZT52C | 200 MW | SOD-523F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 Na @ 15 V | 20 v | 55オーム | ||||||||||||
![]() | AZ23C13-7-g | - | ![]() | 6007 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | テープ&リール( tr) | 廃止 | AZ23C13 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | AZ23C13-7-GDI | ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | jantxv1n4621dur-1/tr | 34.0081 | ![]() | 5499 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/435 | テープ&リール( tr) | アクティブ | ±1% | -65°C〜175°C | 表面マウント | do-213aa (ガラス) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantxv1n4621dur-1/tr | ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 mA | 3.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700オーム |
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