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ダイオード（166326）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	許容範囲	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	スピード	ダイオード構成	電圧-DC リバース（ VR ）（最大）	現在 -平均修正（ io ）（ダイオードあたり）	電圧 -フォワード（ vf ）（ max @ if	逆回復時間（ trr）	現在 - @ vr	動作温度 -ジャンクション	現在 -平均修正（ io）	容量 @ vr、f	ダイオードタイプ	電圧 -ピークリバース（最大）	電圧zener	インピーダンス（最大）（ ZZT）
VS-80-5337	-	RFQ	5212	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	バルク	前回購入します					80-5337				-				112-VS-80-5337			1
ugb10gcthe3_a/i	-	RFQ	8136	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	廃止			表面マウント	TO-263-3		標準		TO-263AB	ダウンロード			影響を受けていない	112-ugb10gcthe3_a/itr	ear99	8541.10.0080	800	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	400 V	5a	1.3 V @ 5 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C
1N6000D	5.1900	RFQ	3642	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N6000		500 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 mA		100 Na @ 8 V						10 v	15オーム
Gbu8j-02e3/p	-	RFQ	8001	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU8	標準		GBU	-	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.10.0080	1					1 V @ 8 a		5 µA @ 600 v		3.9 a		単相	600 V
RS2BA	0.1718	RFQ	8025	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214AC、SMA		標準		do-214ac	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	1801-rs2batr	ear99	8541.10.0080	7,500	高速回復= <500ns		50 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	1.5a	50pf @ 4V、1MHz
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jantx1n986d-1	8.4900	RFQ	5756	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/117	バルク	アクティブ	±1％	-55°C〜175°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N986		500 MW	do-35 （do-204ah）	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 mA		500 NA @ 84 v						110 v	750オーム
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EGF1C-E3/5CA	0.2805	RFQ	3938	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	SuperEctifier®	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-214BA	EGF1	標準		do-214ba	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	6,500	高速回復= <500ns		150 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µA @ 150 v	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V、1MHz
BZT55C18 L1G	-	RFQ	4455	台湾半導体コーポレーション	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	BZT55		500 MW	ミニメルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	2,500					1 V @ 10 mA		100 Na @ 13 V						18 v	50オーム
DSTF30150C	0.8056	RFQ	7741	Littelfuse Inc.	-	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-220-3 フルパック、分離タブ	DSTF30150	ショットキー		ITO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,000	高速回復= <500ns	1ペア共通カソード	150 v	15a	1.36 V @ 15 a		200 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
LL101B-GS08	0.3900	RFQ	4	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	DO-213AC 、ミニメルフ、 SOD-80	LL101	ショットキー		SOD-80ミニマルフ	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0070	2,500	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度		50 v		950 mv @ 15 ma	1 ns	200 Na @ 40 V	125°C （最大）	30ma	2.1pf @ 0V、1MHz
jans1n6309dus/tr	356.5050	RFQ	4514	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±1％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b			500 MW	B、sq-melf	-			影響を受けていない	150-jans1n6309dus/tr	ear99	8541.10.0050	50					1.4 V @ 1 a		100 µA @ 1 V						2.4 v	30オーム
MDK950-16N1W	-	RFQ	1449	ixys	-	トレイ	アクティブ			シャーシマウント	モジュール	MDK950	標準		モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1	標準回復> 500ns	1ペア共通カソード	1600 v	950A	880 mV @ 500 a	18 µs	50 mA @ 1600 v	-40°C〜150°C
Jan1n6323us	15.9300	RFQ	3198	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/533	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	表面マウント	sq-melf b	1N6323		500 MW	B、sq-melf	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 a		1 µA @ 7 V						9.1 v	6オーム
1N3349RB	8.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	箱	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	スタッドマウント	do-203ab、do-5 、スタッド			50 W	DO-5	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	2383-1N3349RB	ear99	8541.10.0080	10					1.5 V @ 10 a		5 µA @ 136.8 v						180 v	90オーム
jans1n4581a-1/tr	142.4850	RFQ	7373	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/452	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C（タタ	穴を通して	do-204ah do-35 、軸			500 MW	do-35 （do-204ah）	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jans1n4581a-1/tr	ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V						6.4 v	25オーム
gbu6a	1.7000	RFQ	382	onsemi	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	4-sip、gbu	GBU6	標準		GBU	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	20					1 V @ 6 a		5 µA @ 50 V		6 a		単相	50 v
UZ8724	22.4400	RFQ	9723	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜175°C	穴を通して	A 、軸			1 W	A 、軸	-			影響を受けていない	150-UZ8724	ear99	8541.10.0050	1							500 NA @ 18.2 v						24 v	25オーム
1N4101	-	RFQ	2027	Microsemi Corporation	-	バルク	アクティブ	±5％	-65°C〜200°C	穴を通して	do-204ah do-35 、軸	1N4101		400 MW	DO-35	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 mA		1 µA @ 6.24 v						8.2 v	200オーム
gpp10m-e3/73	-	RFQ	9455	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ			穴を通して	DO-204AL 、DO-41 、軸	gpp10	標準		do-204al（do-41）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	標準回復> 500ns		1000 V		1.1 V @ 1 a		5 µA @ 1000 v	-55°C〜150°C	1a	-
CZRW55C2V7-G	-	RFQ	8248	comchipテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	±7％	-65°C〜150°C	表面マウント	SOD-123	CZRW55		500 MW	SOD-123	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		20 µA @ 1 V						2.7 v	100オーム
SK34HE3-TP	0.5400	RFQ	5	Micro Commercial Co	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	do-214ab 、mc	SK34	ショットキー		smc（do-214ab）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	3,000	高速回復= <500ns		40 v		500 mV @ 3 a		100 µA @ 40 V	-55°C〜150°C	3a	250pf @ 4V、1MHz
BZX84B10-E3-18	0.0324	RFQ	2821	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	BZX84	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84B10		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	10,000							200 Na @ 7 V						10 v	20オーム
BAT54C/6215	0.0300	RFQ	33	NXP USA Inc.	自動車、AEC-Q101、BAT54	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-236-3	BAT54	ショットキー		SOT-23-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.10.0070	3,000	小さな信号= <200ma（io ）、任意の速度	1ペア共通カソード	30 V	200MA （DC）	800 mV @ 100 Ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
V12P22HM3/h	1.6400	RFQ	3	Vishay General Semiconductor -Diodes分割	aec-q101	テープ＆リール（ tr）	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN		ショットキー		TO-277A	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0080	1,500	高速回復= <500ns		200 v		900 mV @ 12 a		300 µA @ 200 V	-40°C〜175°C	3.2a	720pf @ 4V、1MHz
UFR3020RE3	56.8200	RFQ	5625	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ			スタッドマウント	do-203aa		標準、逆極性		DO-4 （DO-203AA）	-			影響を受けていない	150-UFR3020RE3	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		200 v		975 mV @ 30 a	35 ns	15 µa @ 200 v	-65°C〜175°C	30a	140pf @ 10V、1MHz
jantxv1n4557rb	-	RFQ	3708	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/114	バルク	アクティブ	±10％	-65°C〜175°C	穴を通して	To-204ad			50 W	TO-204AD（to-3）	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 a		150 µA @ 500 mV						3.9 v	0.16オーム
BZX84B7V5-7-F	0.1900	RFQ	10	ダイオードが組み込まれています	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	±2％	-65°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3	BZX84		300 MW	SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 Ma		1 µA @ 5 V						7.5 v	15オーム
MBR5U45-TP	0.2618	RFQ	6934	Micro Commercial Co	-	バルク	アクティブ			表面マウント	TO-277、3-POWERDFN	MBR5U45	ショットキー		TO-277	ダウンロード				353-MBR5U45-TP	ear99	8541.10.0080	1	高速回復= <500ns		45 v		470 mV @ 5 a		200 µA @ 45 V	-55°C〜150°C	5a	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ダイオード（166326）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²